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氮化物宽禁带半导体的MOCVD大失配异质外延被引量：5: 1; 作者沈波杨学林许福军《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2020年第11期1953-1969,共17页; 以氮化镓(GaN)、AlN(氮化铝)为代表的Ⅲ族氮化物宽禁带半导体是研制短波长光电子器件和高频、高功率电子器件的核心材料体系。由于缺少高质量、低成本的同质GaN和AlN衬底,氮化物半导体主要通过异质外延,特别是大失配异质外延来制备。由... 展开更多; 关键词氮化镓氮化铝金属有机化学气相沉积(MOCVD) 大失配异质外延宽禁带半导体; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaN基半导体异质结构的外延生长、物性研究和器件应用被引量：10: 2; 作者沈波唐宁 +4 位作者杨学林王茂俊许福军王新强秦志新《物理学进展》 CSCD 北大核心 2017年第3期81-97,共17页; GaN基宽禁带半导体异质结构具有非常强的极化效应、高饱和电子漂移速度、高击穿场强、高于室温的居里转变温度、和较强的自旋轨道耦合效应等优越的物理性质,是发展高功率微波射频器件不可替代的材料体系,也是发展高效节能功率电子器件... 展开更多; 关键词 GaN基宽禁带半导体外延生长二维电子气输运性质自旋性质 GaN基电子器件; 在线阅读下载PDF 职称材料

高亮度InGaN基白光LED特性研究被引量：10: 3; 作者李忠辉丁晓民 +2 位作者杨志坚于彤军张国义《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期390-392,共3页; 利用自行研制的InGaN GaNSQW蓝光LED芯片和YAG :Ge3 + 荧光粉制作了高亮度白光LED(Φ3) ,并对其发光强度、色度坐标、I V、色温及显色性等特性进行了研究 .实验结果表明 :室温下 ,正向电流为 2 0mA时 ,白光LED的轴向发光强度为 1 1～ 2 ... 展开更多; 关键词光源、InGaN、YAG、白光LED; 在线阅读下载PDF 职称材料

Si衬底上外延生长GaN基射频电子材料的研究进展被引量：2: 4; 作者杨学林沈波《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第5期723-731,共9页; Si衬底因兼具大尺寸、低成本以及与现有CMOS工艺兼容等优势,使Si衬底上GaN基射频(RF)电子材料和器件成为继功率电子器件之后下一个该领域关注的焦点。由于力学性质与低阻Si衬底不同,高阻Si衬底上GaN基外延材料生长的应力控制和位错抑制... 展开更多; 关键词 Si衬底上GaN 金属有机化合物化学气相沉积应力位错射频损耗; 在线阅读下载PDF 职称材料

人工LED光源在猪场养殖的应用研究被引量：3: 5; 作者童玉珍张国义 +2 位作者陈聪刘涛胡志平《中国畜牧业》 2022年第8期45-47,共3页; 随着工业化养猪业的兴起和非洲猪瘟等疾病的发生,猪场空气、光照、温湿度等环境因素受到更多关注。但光照对猪的影响往往被忽视。其实光有很好的杀菌效果,而且光能影响动物的新陈代谢、日常行为、生长周期、繁殖性能等,与动物生长发育... 展开更多; 关键词非洲猪瘟人工补光繁殖性能生长节律养猪业人工照明人工光源 LED光源; 在线阅读下载PDF 职称材料

MOCVD生长InGaN/GaN MQW紫光LED 被引量：9: 6; 作者李忠辉杨志坚 +7 位作者于彤军胡晓东杨华陆曙任谦金春来章蓓张国义《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期107-109,共3页; 利用LP MOCVD系统生长了InGaN/GaNMQW紫光LED外延片 ,双晶X射线衍射测试获得了 2级卫星峰 ,室温光致发光谱的峰值波长为 399 5nm ,FWHM为 15 5nm ,波长均匀性良好。制成的LED管芯 ,正向电流2 0mA时 ,工作电压在 4V以下。; 关键词 INGAN 量子阱紫光LED MOCVD 发光二极管外延生长镓铟化合物氮化镓 GaN; 在线阅读下载PDF 职称材料

不同LED光配比对红绿线椒果实品质的影响被引量：1: 7; 作者吴娇童玉珍 +2 位作者周华罗丽萍梁文静《黑龙江农业科学》 2021年第9期58-61,共4页; 为更好地提升线椒品质,以“满分107”线椒为试材,在水培条件下,设置了红蓝绿比为4∶1∶1(4R1B1G)、红蓝紫比为4∶1∶1(4R1B1P)和红蓝白比为4∶1∶1(4R1B1W),测定分析了3种光配比下红线椒和绿线椒果实品质情况,研究不同光配比对红线椒和... 展开更多; 关键词 LED 光配比线椒果实品质; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名氮化物宽禁带半导体的MOCVD大失配异质外延被引量：5: 1; 作者沈波杨学林许福军; 机构北京大学宽禁带半导体研究中心北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室北京大学物理学院量子物质科学协同创新中心教育部纳光电子前沿科学中心; 出处《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2020年第11期1953-1969,共17页; 基金国家重点研发计划(2018YFE0125700,2016YFB0400100) 国家自然科学基金(1634002,61521004,61927806)。; 文摘以氮化镓(GaN)、AlN(氮化铝)为代表的Ⅲ族氮化物宽禁带半导体是研制短波长光电子器件和高频、高功率电子器件的核心材料体系。由于缺少高质量、低成本的同质GaN和AlN衬底,氮化物半导体主要通过异质外延,特别是大失配异质外延来制备。由此导致的高缺陷密度、残余应力成为当前深紫外发光器件、功率电子器件等氮化物半导体器件发展的主要瓶颈,严重影响了材料和器件性能的提升。本文简要介绍了氮化物半导体金属有机化学气相沉积(MOCVD)大失配异质外延的发展历史,重点介绍了北京大学在蓝宝石衬底上AlN、高Al组分AlGaN的MOCVD外延生长和p型掺杂、Si衬底上GaN薄膜及其异质结构的外延生长和缺陷控制等方面的主要研究进展。最后对Ⅲ族氮化物宽禁带半导体MOCVD大失配异质外延的未来发展做了简要展望。; 关键词氮化镓氮化铝金属有机化学气相沉积(MOCVD) 大失配异质外延宽禁带半导体; Keywords GaN AlN metal organic chemical vapor deposition(MOCVD) large lattice-mismatched heteroepitaxial growth wide bandgap semiconductor; 分类号 O484.1 [理学—固体物理] TN36 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaN基半导体异质结构的外延生长、物性研究和器件应用被引量：10: 2; 作者沈波唐宁杨学林王茂俊许福军王新强秦志新; 机构北京大学宽禁带半导体研究中心北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室北京大学信息与科学技术学院微纳电子学系; 出处《物理学进展》 CSCD 北大核心 2017年第3期81-97,共17页; 基金国家科技重点专项(2016YFB0400100 2016YFB0400200) +9 种基金 2013CB632804) 国家自然科学基金(11634002 61521004 61361166007 61376095 61522401 61574006 61204099) 北京市科技计划项目(Z151100003315002)对本文涉及工作的大力支持; 文摘 GaN基宽禁带半导体异质结构具有非常强的极化效应、高饱和电子漂移速度、高击穿场强、高于室温的居里转变温度、和较强的自旋轨道耦合效应等优越的物理性质,是发展高功率微波射频器件不可替代的材料体系,也是发展高效节能功率电子器件的主要材料体系之一,在半导体自旋电子学器件上亦有潜在的应用价值。GaN基异质结构材料、物理与器件研究已成为当前国际上半导体科学技术的前沿领域和研究热点。本文从GaN基异质结构的外延生长、物理性质及其电子器件应用三个方面对国内外该领域近年来的研究进展进行了系统的介绍和评述,并简要介绍了北京大学在该领域的研究进展。; 关键词 GaN基宽禁带半导体外延生长二维电子气输运性质自旋性质 GaN基电子器件; Keywords GaN-based wide band-gap semiconductors, epitaxial growth, two dimensional elec-tron gas （2DEG）, transport properties, spin properties, GaN-based electronic devices; 分类号 TN304 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高亮度InGaN基白光LED特性研究被引量：10: 3; 作者李忠辉丁晓民杨志坚于彤军张国义; 机构北京大学物理学院介观物理国家重点实验室北京大学宽禁带半导体研究中心; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期390-392,共3页; 基金国家"8 63"计划招标项目 (批准号 2 0 0 1AA3 13 14 0 ) ~~; 文摘利用自行研制的InGaN GaNSQW蓝光LED芯片和YAG :Ge3 + 荧光粉制作了高亮度白光LED(Φ3) ,并对其发光强度、色度坐标、I V、色温及显色性等特性进行了研究 .实验结果表明 :室温下 ,正向电流为 2 0mA时 ,白光LED的轴向发光强度为 1 1～ 2 3cd ,正向电压小于 3 5V ,色度坐标为 (0 2 8,0 34) ,显色指数约为 70 .; 关键词光源、InGaN、YAG、白光LED; Keywords light source InGaN YAG white LEDs.; 分类号 TN312.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Si衬底上外延生长GaN基射频电子材料的研究进展被引量：2: 4; 作者杨学林沈波; 机构北京大学宽禁带半导体研究中心北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室教育部纳光电子前沿科学中心量子物质科学协同创新中心; 出处《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第5期723-731,共9页; 基金国家重点研发计划(2021YFB3602400,2022YFB3604400) 国家自然科学基金(62234002,61927806) 广东省重点研发计划(2020B010171002)。; 文摘 Si衬底因兼具大尺寸、低成本以及与现有CMOS工艺兼容等优势,使Si衬底上GaN基射频(RF)电子材料和器件成为继功率电子器件之后下一个该领域关注的焦点。由于力学性质与低阻Si衬底不同,高阻Si衬底上GaN基外延材料生长的应力控制和位错抑制问题仍然困难,且严重的射频损耗问题限制着其在射频电子领域的应用。本文简要介绍了Si衬底上GaN基射频电子材料的研究现状和面临的挑战,重点介绍了北京大学研究团队在高阻Si衬底上GaN基材料射频损耗的产生机理,以及低位错密度、低射频损耗GaN的外延生长等方面的主要研究进展。最后对Si衬底上GaN基射频电子材料和器件的未来发展作了展望。; 关键词 Si衬底上GaN 金属有机化合物化学气相沉积应力位错射频损耗; Keywords GaN-on-Si MOCVD stress dislocation RF loss; 分类号 O484.1 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名人工LED光源在猪场养殖的应用研究被引量：3: 5; 作者童玉珍张国义陈聪刘涛胡志平; 机构北京大学东莞光电研究院北京大学宽禁带半导体研究中心高安研究院北京大学物理学院佛山市馨园照明科技有限公司; 出处《中国畜牧业》 2022年第8期45-47,共3页; 文摘随着工业化养猪业的兴起和非洲猪瘟等疾病的发生,猪场空气、光照、温湿度等环境因素受到更多关注。但光照对猪的影响往往被忽视。其实光有很好的杀菌效果,而且光能影响动物的新陈代谢、日常行为、生长周期、繁殖性能等,与动物生长发育有直接关系。通常情况下,猪舍光照分为自然光照射和人工补光两种,随着猪场规模化发展及猪瘟的影响,大跨度、全封闭式猪舍越来越多,高密闭性猪舍光源基本依赖于舍内人工照明系统。如何利用LED人工光源调节猪的生长节律,提高生长速率,降低死亡成为行业关注热点。; 关键词非洲猪瘟人工补光繁殖性能生长节律养猪业人工照明人工光源 LED光源; 分类号 S85 [农业科学—兽医学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名MOCVD生长InGaN/GaN MQW紫光LED 被引量：9: 6; 作者李忠辉杨志坚于彤军胡晓东杨华陆曙任谦金春来章蓓张国义; 机构北京大学物理学院北京大学宽禁带半导体研究中心; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期107-109,共3页; 基金国家自然科学基金 ( 6 0 2 76 0 10 ) 国家 86 3计划 ( 2 0 0 1AA3130 6 0 +1 种基金 2 0 0 1AA313110 2 0 0 1AA31314 0 )资助项目; 文摘利用LP MOCVD系统生长了InGaN/GaNMQW紫光LED外延片 ,双晶X射线衍射测试获得了 2级卫星峰 ,室温光致发光谱的峰值波长为 399 5nm ,FWHM为 15 5nm ,波长均匀性良好。制成的LED管芯 ,正向电流2 0mA时 ,工作电压在 4V以下。; 关键词 INGAN 量子阱紫光LED MOCVD 发光二极管外延生长镓铟化合物氮化镓 GaN; Keywords InGaN quantum well violet LED MOCVD; 分类号 TN312.08 [电子电信—物理电子学] O472.31 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名不同LED光配比对红绿线椒果实品质的影响被引量：1: 7; 作者吴娇童玉珍周华罗丽萍梁文静; 机构北京大学宽禁带半导体研究中心高安研究院江西财经大学产业经济研究院江西省科学院生物资源研究所南昌大学生命科学学院; 出处《黑龙江农业科学》 2021年第9期58-61,共4页; 基金江西省科技厅重点研发计划项目(20171ACF60003) 国家自然科学地区基金(31960623) 中央引导地方科技发展专项资金(20202ZDA02009)。; 文摘为更好地提升线椒品质,以“满分107”线椒为试材,在水培条件下,设置了红蓝绿比为4∶1∶1(4R1B1G)、红蓝紫比为4∶1∶1(4R1B1P)和红蓝白比为4∶1∶1(4R1B1W),测定分析了3种光配比下红线椒和绿线椒果实品质情况,研究不同光配比对红线椒和绿线椒果实品质的影响,分别对红、绿线椒果实中VC、可溶性蛋白含量、POD、CAT活力等品质指标进行对比分析。结果表明:紫光的存在增加绿辣椒VC和可溶性蛋白含量,但会降低红辣椒的VC和可溶性蛋白含量,同时降低红绿线椒的POD活力。绿光的补充会提高红、绿线椒CAT活力。红、绿线椒果实中VC、可溶性蛋白、POD和CAT活力受到光配比影响存在差异,所以在种植补光过程中,应按需选用。; 关键词 LED 光配比线椒果实品质; Keywords LED light ratio line pepper fruit nutrition quality; 分类号 S66 [农业科学—果树学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	氮化物宽禁带半导体的MOCVD大失配异质外延	沈波杨学林许福军	《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心	2020	5	在线阅读下载PDF 职称材料
2	GaN基半导体异质结构的外延生长、物性研究和器件应用	沈波唐宁杨学林王茂俊许福军王新强秦志新	《物理学进展》 CSCD 北大核心	2017	10	在线阅读下载PDF 职称材料
3	高亮度InGaN基白光LED特性研究	李忠辉丁晓民杨志坚于彤军张国义	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2002	10	在线阅读下载PDF 职称材料
4	Si衬底上外延生长GaN基射频电子材料的研究进展	杨学林沈波	《人工晶体学报》 CAS 北大核心	2023	2	在线阅读下载PDF 职称材料
5	人工LED光源在猪场养殖的应用研究	童玉珍张国义陈聪刘涛胡志平	《中国畜牧业》	2022	3	在线阅读下载PDF 职称材料
6	MOCVD生长InGaN/GaN MQW紫光LED	李忠辉杨志坚于彤军胡晓东杨华陆曙任谦金春来章蓓张国义	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2003	9	在线阅读下载PDF 职称材料
7	不同LED光配比对红绿线椒果实品质的影响	吴娇童玉珍周华罗丽萍梁文静	《黑龙江农业科学》	2021	1	在线阅读下载PDF 职称材料