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脉冲缓冲层对AlN外延层位错密度的影响
1
作者
桑立雯
秦志新
+6 位作者
方浩
代涛
杨志坚
沈波
张国义
张小平
俞大鹏
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第S1期154-157,共4页
在蓝宝石衬底上采用交替通Al源和NH3的方法生长的100周期的AlN作为缓冲层,随后外延生长AlN薄膜。X射线衍射结果表明AlN外延层中的位错密度大大降低。通过透射电镜观察位错在样品中的形貌,发现在缓冲层和外延层之间存在明显的界面。界面...
在蓝宝石衬底上采用交替通Al源和NH3的方法生长的100周期的AlN作为缓冲层,随后外延生长AlN薄膜。X射线衍射结果表明AlN外延层中的位错密度大大降低。通过透射电镜观察位错在样品中的形貌,发现在缓冲层和外延层之间存在明显的界面。界面之上的位错通过形成位错环互相湮灭或者直接终断于界面,使得在外延层中大量减少。研究表明,位错环的形成是由于在外延层的生长过程中侧向生长速率增加导致位错在镜像力的作用下互相吸引造成的。而位错在界面处的终断则被认为是由于界面上下应变发生变化引起的。
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关键词
化合物半导体
位错
透射电镜
蓝宝石
氮化铝
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职称材料
题名
脉冲缓冲层对AlN外延层位错密度的影响
1
作者
桑立雯
秦志新
方浩
代涛
杨志坚
沈波
张国义
张小平
俞大鹏
机构
北京大学介观物理和人工微结构国家重点实验室宽禁带半导体研究中心
北京大学
电镜室
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第S1期154-157,共4页
基金
国家自然科学基金(60876041
60577030
60776041)
文摘
在蓝宝石衬底上采用交替通Al源和NH3的方法生长的100周期的AlN作为缓冲层,随后外延生长AlN薄膜。X射线衍射结果表明AlN外延层中的位错密度大大降低。通过透射电镜观察位错在样品中的形貌,发现在缓冲层和外延层之间存在明显的界面。界面之上的位错通过形成位错环互相湮灭或者直接终断于界面,使得在外延层中大量减少。研究表明,位错环的形成是由于在外延层的生长过程中侧向生长速率增加导致位错在镜像力的作用下互相吸引造成的。而位错在界面处的终断则被认为是由于界面上下应变发生变化引起的。
关键词
化合物半导体
位错
透射电镜
蓝宝石
氮化铝
Keywords
compound semiconductor material
dislocations
TEM
sapphire
AlN
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
脉冲缓冲层对AlN外延层位错密度的影响
桑立雯
秦志新
方浩
代涛
杨志坚
沈波
张国义
张小平
俞大鹏
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008
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