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图形化蓝宝石衬底上InGaN/GaN多量子阱发光二极管的光谱特性研究
被引量：
2
1
作者
颜建
钟灿涛
+3 位作者
于彤军
徐承龙
陶岳彬
张国义
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第1期7-10,共4页
运用电致发光(EL)和光致发光(PL)实验,分析了图形化蓝宝石衬底(PSSLEDs)和常规平面蓝宝石衬底(C-LEDs)InGaN/GaN多量子阱发光二极管的光谱特性。对比EL谱,发现PSSLEDs拥有更强的光功率和更窄的半峰宽(FWHM),说明PSSLEDs具有较高的晶体...
运用电致发光(EL)和光致发光(PL)实验,分析了图形化蓝宝石衬底(PSSLEDs)和常规平面蓝宝石衬底(C-LEDs)InGaN/GaN多量子阱发光二极管的光谱特性。对比EL谱,发现PSSLEDs拥有更强的光功率和更窄的半峰宽(FWHM),说明PSSLEDs具有较高的晶体质量。其次,PSSLEDs的EL谱半峰宽随电流增加出现了更快的展宽,而这两种LED样品的PL谱半峰宽随激光功率增加呈现了基本相同的展宽变化,说明在相同电流下,PSSLEDs量子阱中载流子浓度更高,能带填充效应更强。另外,随着电流的增加,PSSLEDs和C-LEDs的峰值波长都发生蓝移,且前者的蓝移程度较小,结合半峰宽的对比分析,说明PSSLEDs量子阱中的极化电场较小。最后,对比了PSSLEDs和C-LEDs的外量子效率随电流的变化,发现PSSLEDs拥有更严重的efficiency droop,说明量子阱中极化电场不是导致efficiency droop的主要原因。
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关键词
图形化蓝宝石衬底发光二极管
峰值波长
极化场
EFFICIENCY
droop
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职称材料
InGaN／GaN多量子阱蓝光发光二极管老化过程中的光谱特性
被引量：
1
2
作者
代爽
于彤军
+2 位作者
李兴斌
袁刚成
路慧敏
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第2期327-330,共4页
系统地研究了小注入电流(<4mA)下InGaN/GaN多量子阱结构蓝光发光二极管的发光光谱特性在老化过程中的变化。对比老化前后的电致发光(EL)光谱,发现在注入电流1mA下的峰值波长(peak wavelength)和半高宽(FWHM)随老化时间增加而减小,变...
系统地研究了小注入电流(<4mA)下InGaN/GaN多量子阱结构蓝光发光二极管的发光光谱特性在老化过程中的变化。对比老化前后的电致发光(EL)光谱,发现在注入电流1mA下的峰值波长(peak wavelength)和半高宽(FWHM)随老化时间增加而减小,变化过程分两个阶段:前期(<100h)减小速度较快,而后逐渐变缓,呈现出与LEDs的发光光功率一致的变化规律,说明LEDs的等效极化电场在老化过程中减弱,这一变化和量子阱内缺陷的增加有明确的关系。通过电学特性测量发现同一结电压(Vj=1.8V)下的结电容Cj和由交流小信号I—V方法计算得到的注入电流1mA下的结电压Vj随老化时间增加而增大,明确了在同等小注入电流下量子阱内的载流子浓度随老化过程增加。分析表明在老化过程中InGaN/GaN多量子阱结构蓝光发光二极管量子阱内的缺陷及其束缚的载流子数量增加,形成了增强的极化电场屏蔽效应,减弱的等效极化电场导致了量子阱的能带倾斜变小,带边辐射复合能量增大,能态密度增多,对应的发光过程的峰值波长变短(蓝移),半高宽变窄。
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关键词
INGAN
GaN多量子阱蓝光发光二极管
老化
电致发光谱
极化电场
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职称材料
题名
图形化蓝宝石衬底上InGaN/GaN多量子阱发光二极管的光谱特性研究
被引量：
2
1
作者
颜建
钟灿涛
于彤军
徐承龙
陶岳彬
张国义
机构
北京大学介观物理与人工微结构国家重点实验室
出处
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第1期7-10,共4页
基金
国家重点基础研究发展计划项目(2011CB301904,2011CB301905)
国家高技术研究发展计划项目(2009AA03A198)
国家自然科学基金项目(61076012,61076013)资助
文摘
运用电致发光(EL)和光致发光(PL)实验,分析了图形化蓝宝石衬底(PSSLEDs)和常规平面蓝宝石衬底(C-LEDs)InGaN/GaN多量子阱发光二极管的光谱特性。对比EL谱,发现PSSLEDs拥有更强的光功率和更窄的半峰宽(FWHM),说明PSSLEDs具有较高的晶体质量。其次,PSSLEDs的EL谱半峰宽随电流增加出现了更快的展宽,而这两种LED样品的PL谱半峰宽随激光功率增加呈现了基本相同的展宽变化,说明在相同电流下,PSSLEDs量子阱中载流子浓度更高,能带填充效应更强。另外,随着电流的增加,PSSLEDs和C-LEDs的峰值波长都发生蓝移,且前者的蓝移程度较小,结合半峰宽的对比分析,说明PSSLEDs量子阱中的极化电场较小。最后,对比了PSSLEDs和C-LEDs的外量子效率随电流的变化,发现PSSLEDs拥有更严重的efficiency droop,说明量子阱中极化电场不是导致efficiency droop的主要原因。
关键词
图形化蓝宝石衬底发光二极管
峰值波长
极化场
EFFICIENCY
droop
Keywords
Light emitting diodes on patterned sapphire substrate
Peak wavelength
Piezoele ctric field
Efficiency droop
分类号
O433.4 [机械工程—光学工程]
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职称材料
题名
InGaN／GaN多量子阱蓝光发光二极管老化过程中的光谱特性
被引量：
1
2
作者
代爽
于彤军
李兴斌
袁刚成
路慧敏
机构
北京大学介观物理与人工微结构国家重点实验室
出处
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第2期327-330,共4页
基金
国家重点基金研究项目(2011CB301900,2013CB328705)
国家高科技研究发展计划项目(2011AA03A103)
国家自然科学基金项目(61076012,61076013,61204054,61275052)资助
文摘
系统地研究了小注入电流(<4mA)下InGaN/GaN多量子阱结构蓝光发光二极管的发光光谱特性在老化过程中的变化。对比老化前后的电致发光(EL)光谱,发现在注入电流1mA下的峰值波长(peak wavelength)和半高宽(FWHM)随老化时间增加而减小,变化过程分两个阶段:前期(<100h)减小速度较快,而后逐渐变缓,呈现出与LEDs的发光光功率一致的变化规律,说明LEDs的等效极化电场在老化过程中减弱,这一变化和量子阱内缺陷的增加有明确的关系。通过电学特性测量发现同一结电压(Vj=1.8V)下的结电容Cj和由交流小信号I—V方法计算得到的注入电流1mA下的结电压Vj随老化时间增加而增大,明确了在同等小注入电流下量子阱内的载流子浓度随老化过程增加。分析表明在老化过程中InGaN/GaN多量子阱结构蓝光发光二极管量子阱内的缺陷及其束缚的载流子数量增加,形成了增强的极化电场屏蔽效应,减弱的等效极化电场导致了量子阱的能带倾斜变小,带边辐射复合能量增大,能态密度增多,对应的发光过程的峰值波长变短(蓝移),半高宽变窄。
关键词
INGAN
GaN多量子阱蓝光发光二极管
老化
电致发光谱
极化电场
Keywords
InGaN/GaN blue LEDs
Degradation
Electroluminescence spectra
Polarization field
分类号
N34 [自然科学总论]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
图形化蓝宝石衬底上InGaN/GaN多量子阱发光二极管的光谱特性研究
颜建
钟灿涛
于彤军
徐承龙
陶岳彬
张国义
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
InGaN／GaN多量子阱蓝光发光二极管老化过程中的光谱特性
代爽
于彤军
李兴斌
袁刚成
路慧敏
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
1
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职称材料
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