介质加载表面等离激元的近场光学观测

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作者 方哲宇 宋文涛 +3 位作者 王辰 齐洪 林峰 朱星 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期111-115,共5页

利用扫描近场光学显微术(SNOM),观测并分析了基于银膜衬底上CdS纳米带的介质加载表面等离激元(Dielectric-loaded Surface Plasmon Polariton,DLSPP)的激发现象。通过SNOM可以观察到纳米带不同位置的光致荧光光谱峰位有30meV的红移量。... 利用扫描近场光学显微术(SNOM),观测并分析了基于银膜衬底上CdS纳米带的介质加载表面等离激元(Dielectric-loaded Surface Plasmon Polariton,DLSPP)的激发现象。通过SNOM可以观察到纳米带不同位置的光致荧光光谱峰位有30meV的红移量。利用Franz-Keldysh效应可以很好地解释能量红移的产生。有限时域差分法的模拟结果进一步验证了实验中观测的现象。这种DLSPP的激发结构,对于光子集成电路及基于等离激元的微纳器件波导有实际意义。 展开更多

关键词 近场光学显微术 纳米带 表面等离激元

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反对称介质-金属结构中的表面等离激元

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作者 梁启军 王若鹏 《北京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期177-182,共6页

利用反对称半无限介质-金属结构实现了表面等离激元的高反射率。计算了反对称半无限金属-介质结构中正入射和斜入射表面等离激元的反射和透射。限制介质的厚度,将电磁场表示成各离散本征模式的叠加,根据边界条件得到反射系数和透射系数... 利用反对称半无限介质-金属结构实现了表面等离激元的高反射率。计算了反对称半无限金属-介质结构中正入射和斜入射表面等离激元的反射和透射。限制介质的厚度,将电磁场表示成各离散本征模式的叠加,根据边界条件得到反射系数和透射系数矩阵。介质厚度趋于无穷时,得到反对称半无限介质-金属结构中表面等离激元反射系数和透射系数的近似解析表达式,计算结果与数值解相吻合。最后分析了斜入射表面等离激元的反射率和透射率与入射角的关系。 展开更多

关键词 表面等离激元 反对称半无限介质-金属结构 色散关系 反射率 透射率

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介观尺度超导体的超导电性

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作者 熊明渊 甘子钊 《北京大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期722-730,共9页

在GinzburgLandau理论框架内,发展了一种解析的处理方法研究了介观超导体的超导电性。

关键词 介观超导体 Ginzburg—Landau理论 涡旋 序参量

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GaN基半导体异质结构的外延生长、物性研究和器件应用 被引量：10

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作者 沈波 唐宁 +4 位作者 杨学林 王茂俊 许福军 王新强 秦志新 《物理学进展》 CSCD 北大核心 2017年第3期81-97,共17页

GaN基宽禁带半导体异质结构具有非常强的极化效应、高饱和电子漂移速度、高击穿场强、高于室温的居里转变温度、和较强的自旋轨道耦合效应等优越的物理性质,是发展高功率微波射频器件不可替代的材料体系,也是发展高效节能功率电子器件... GaN基宽禁带半导体异质结构具有非常强的极化效应、高饱和电子漂移速度、高击穿场强、高于室温的居里转变温度、和较强的自旋轨道耦合效应等优越的物理性质,是发展高功率微波射频器件不可替代的材料体系,也是发展高效节能功率电子器件的主要材料体系之一,在半导体自旋电子学器件上亦有潜在的应用价值。GaN基异质结构材料、物理与器件研究已成为当前国际上半导体科学技术的前沿领域和研究热点。本文从GaN基异质结构的外延生长、物理性质及其电子器件应用三个方面对国内外该领域近年来的研究进展进行了系统的介绍和评述,并简要介绍了北京大学在该领域的研究进展。 展开更多

关键词 GaN基宽禁带半导体 外延生长 二维电子气 输运性质 自旋性质 GaN基电子器件

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Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构中2DEG的塞曼自旋分裂

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作者 唐宁 沈波 +4 位作者 韩奎 卢芳超 许福军 秦志新 张国义 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期147-149,共3页

通过在低温和强磁场下的磁输运测量研究了非故意掺杂Al0.24Ga0.76N/GaN异质结构中二维电子气(2DEG)的磁电阻振荡现象。在强磁场下观察到了表征2DEG塞曼自旋分裂的舒勃尼科夫-德哈斯(SdH)振荡的分裂峰。通过分析SdH分裂峰的位置,获得了... 通过在低温和强磁场下的磁输运测量研究了非故意掺杂Al0.24Ga0.76N/GaN异质结构中二维电子气(2DEG)的磁电阻振荡现象。在强磁场下观察到了表征2DEG塞曼自旋分裂的舒勃尼科夫-德哈斯(SdH)振荡的分裂峰。通过分析SdH分裂峰的位置,获得了塞曼自旋分裂能量和g*的大小,发现由于交换相互作用,g*比g0有了显著的增加,同时g*随着磁场的增大而增大,说明随着磁场的增大,电子与电子的交换相互作用增强。 展开更多

关键词 AlxGa1-xN/GaN异质结构 二维电子气 自旋

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一种介质加载型表面等离激元透镜的研究

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作者 卢旭星 《北京大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期519-523,共5页

提出一种由金属圆盘和圆锥形介质薄膜组成的表面等离激元透镜结构,该结构能将正入射的电磁波汇聚成束缚于介质表面的圆弧形聚焦斑。这些聚焦斑的尺寸随着介质薄膜中心厚度的减小而减小,并在薄膜厚度等于某个值时汇聚成一个焦点。该结构... 提出一种由金属圆盘和圆锥形介质薄膜组成的表面等离激元透镜结构,该结构能将正入射的电磁波汇聚成束缚于介质表面的圆弧形聚焦斑。这些聚焦斑的尺寸随着介质薄膜中心厚度的减小而减小,并在薄膜厚度等于某个值时汇聚成一个焦点。该结构还能实现较好的局域场增强。 展开更多

关键词 表面等离激元 表面等离激元透镜 有限时域差分 局域场增强

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聚芴类有机电致发光的材料和器件 被引量：5

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作者 曲波 陈志坚 +1 位作者 李福山 龚旗煌 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期683-692,共10页

综述了聚芴类有机电致发光领域中材料和器件的研究现况和展望。主要围绕有机电致发光的基本原理、近年来聚芴类有机电致发光的材料制备、器件改进情况和有机电致发光的应用前景三方面内容进行了评述。

关键词 有机电致发光 聚芴 衍生物 器件

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氮化物宽禁带半导体的MOCVD大失配异质外延 被引量：5

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作者 沈波 杨学林 许福军 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2020年第11期1953-1969,共17页

以氮化镓(GaN)、AlN(氮化铝)为代表的Ⅲ族氮化物宽禁带半导体是研制短波长光电子器件和高频、高功率电子器件的核心材料体系。由于缺少高质量、低成本的同质GaN和AlN衬底,氮化物半导体主要通过异质外延,特别是大失配异质外延来制备。由... 以氮化镓(GaN)、AlN(氮化铝)为代表的Ⅲ族氮化物宽禁带半导体是研制短波长光电子器件和高频、高功率电子器件的核心材料体系。由于缺少高质量、低成本的同质GaN和AlN衬底,氮化物半导体主要通过异质外延,特别是大失配异质外延来制备。由此导致的高缺陷密度、残余应力成为当前深紫外发光器件、功率电子器件等氮化物半导体器件发展的主要瓶颈,严重影响了材料和器件性能的提升。本文简要介绍了氮化物半导体金属有机化学气相沉积(MOCVD)大失配异质外延的发展历史,重点介绍了北京大学在蓝宝石衬底上AlN、高Al组分AlGaN的MOCVD外延生长和p型掺杂、Si衬底上GaN薄膜及其异质结构的外延生长和缺陷控制等方面的主要研究进展。最后对Ⅲ族氮化物宽禁带半导体MOCVD大失配异质外延的未来发展做了简要展望。 展开更多

关键词 氮化镓 氮化铝 金属有机化学气相沉积(MOCVD) 大失配异质外延 宽禁带半导体

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有机太阳能电池能量转化效率的提高思路 被引量：1

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作者 木丽萍 袁丹 +4 位作者 环敏 陈志坚 肖立新 曲波 龚旗煌 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期1161-1167,共7页

能源问题是目前最为关注的焦点之一,随着社会的进步和工业的发展,地球上已探明可使用的化学燃料能源,包括石油、天然气和煤等,日趋枯竭。太阳能的利用已引起各国的重视。光伏器件是太阳能利用的最为重要的手段之一,有机太阳电池在此类... 能源问题是目前最为关注的焦点之一,随着社会的进步和工业的发展,地球上已探明可使用的化学燃料能源,包括石油、天然气和煤等,日趋枯竭。太阳能的利用已引起各国的重视。光伏器件是太阳能利用的最为重要的手段之一,有机太阳电池在此类器件中将承担极其重要的角色。但低的光电转换效率是阻碍其产业化的瓶颈。为此简要综述了提高有机太阳能电池能量转化效率的两个思路,并指出了有待解决的问题。 展开更多

关键词 有机太阳电池 能量转换效率 光吸收 表面等离子激元

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Si衬底上外延生长GaN基射频电子材料的研究进展 被引量：2

10

作者 杨学林 沈波 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第5期723-731,共9页

Si衬底因兼具大尺寸、低成本以及与现有CMOS工艺兼容等优势,使Si衬底上GaN基射频(RF)电子材料和器件成为继功率电子器件之后下一个该领域关注的焦点。由于力学性质与低阻Si衬底不同,高阻Si衬底上GaN基外延材料生长的应力控制和位错抑制... Si衬底因兼具大尺寸、低成本以及与现有CMOS工艺兼容等优势,使Si衬底上GaN基射频(RF)电子材料和器件成为继功率电子器件之后下一个该领域关注的焦点。由于力学性质与低阻Si衬底不同,高阻Si衬底上GaN基外延材料生长的应力控制和位错抑制问题仍然困难,且严重的射频损耗问题限制着其在射频电子领域的应用。本文简要介绍了Si衬底上GaN基射频电子材料的研究现状和面临的挑战,重点介绍了北京大学研究团队在高阻Si衬底上GaN基材料射频损耗的产生机理,以及低位错密度、低射频损耗GaN的外延生长等方面的主要研究进展。最后对Si衬底上GaN基射频电子材料和器件的未来发展作了展望。 展开更多

关键词 Si衬底上GaN 金属有机化合物化学气相沉积 应力 位错 射频损耗

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色度稳定的新型红色有机电致发光材料及其器件性能研究

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作者 曲波 陈志坚 +1 位作者 许峰 龚旗煌 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期128-128,共1页

本文较为详细地介绍了新型红色有机电致发光材料2，4，6-nis[2-（N-ethyl-3-carbazole）carboxethenyl]-1，3，5-s-triazine（TC3）的合成方法，并对其吸收谱、荧光谱和电致发光谱进行了细致地研究。TC3的分子结构表明该材料具有较高的... 本文较为详细地介绍了新型红色有机电致发光材料2，4，6-nis[2-（N-ethyl-3-carbazole）carboxethenyl]-1，3，5-s-triazine（TC3）的合成方法，并对其吸收谱、荧光谱和电致发光谱进行了细致地研究。TC3的分子结构表明该材料具有较高的空间位阻，从而TC3具有较弱的浓度淬灭效应，基于TC3（或高浓度掺杂体系）作为发光材料的器件，得到色度稳定的红色电致发光。 展开更多

关键词 有机电致发光材料 器件性能 稳定 色度 电致发光谱 合成方法 空间位阻 分子结构

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飞秒激光脉冲在石英玻璃表面的微刻蚀

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作者 吴朝新 蒋红兵 等 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第6期559-559,共1页

关键词 飞秒激光脉冲 石英玻璃表面 微刻蚀

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采用AlGaN/GaN阻挡层的大功率InGaN/GaN MQWs蓝光LED 被引量：1

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作者 齐胜利 陈志忠 +8 位作者 潘尧波 郝茂盛 邓俊静 田朋飞 张国义 颜建锋 朱广敏 陈诚 李士涛 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期216-218,共3页

大功率InGaN/GaN多量子阱蓝光发光二极管在大注入电流下,载流子泄漏而引起的效率下降问题是目前限制大功率发光二极管光电特性及其应用的突出问题。本文通过在p型GaN和InGaN/GaN多量子阱(MQW)有源区之间插入p型AlGaN/GaN多量子势垒(MQB... 大功率InGaN/GaN多量子阱蓝光发光二极管在大注入电流下,载流子泄漏而引起的效率下降问题是目前限制大功率发光二极管光电特性及其应用的突出问题。本文通过在p型GaN和InGaN/GaN多量子阱(MQW)有源区之间插入p型AlGaN/GaN多量子势垒(MQB)电子阻挡层,利用多量子势垒对电子的量子反射作用,有效地解决了大注入下载流子泄漏问题。与未使用多量子势垒电子阻挡层的样品相比,MQB样品的光功率和外量子效率分别提高了约80%和100%。 展开更多

关键词 氮化镓 多量子阱 发光二极管 铝镓氮/氮化镓 多量子势垒 外量子效率

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半导体激光器件阵列泵浦固体激光中的二元光学器件 被引量：1

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作者 付振海 邬敏贤 +1 位作者 崔晓明 陈茗玲 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第S1期382-383,共2页

半导体激光器件阵列泵浦固体激光中的二元光学器件付振海，邬敏贤，崔晓明，陈茗玲（清华大学）（北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室）半导体激光器阵列体积小、效率高、谱线窄、功率高，用来泵浦固体激光器或光纤激光器时，... 半导体激光器件阵列泵浦固体激光中的二元光学器件付振海，邬敏贤，崔晓明，陈茗玲（清华大学）（北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室）半导体激光器阵列体积小、效率高、谱线窄、功率高，用来泵浦固体激光器或光纤激光器时，可以充分发挥团体激光器和半导体激光... 展开更多

关键词 二元光学器件 半导体激光器 固体激光器 光器件 光纤激光器 阵列 柱面镜 耦合效率 棱镜组 国家重点实验室

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利用阿秒激光追踪和控制原子分子内部电子的运动(英文) 被引量：1

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作者 彭良友 徐明辉 +1 位作者 张政 龚旗煌 《物理学进展》 CSCD 北大核心 2010年第4期354-370,共17页

随着强激光技术的快速发展,在物质与激光相互作用下,实验上发现了很多新奇的物理现象。这些现象成功地被各种理论模型和数值模拟所解释和证明。一种很重要的现象就是所谓的高次谐波产生:在原子和分子与强激光相互作用时,能够放出能量为... 随着强激光技术的快速发展,在物质与激光相互作用下,实验上发现了很多新奇的物理现象。这些现象成功地被各种理论模型和数值模拟所解释和证明。一种很重要的现象就是所谓的高次谐波产生:在原子和分子与强激光相互作用时,能够放出能量为基频光子能量几倍到几百倍的大能量光子。在实验上,人们已经可以通过合成截止频率附近的几个谐波来产生脉冲长度在阿秒量级的激光脉冲(1阿秒=10^(-18)s)。阿秒脉冲的获得开启了超快科学一个全新的领域:人们可以在电子运动的自然时间尺度上去探测和操控原子分子内部电子的运动,这是继飞秒科学后人们操控微观世界物质运动的又一大飞跃。在本文中,我们就最近几年我们在理论上所开展的阿秒物理做一个简单的综述,重点强调利用阿秒光去控制电子的电离动力学以及探测分子内部电子运动。 展开更多

关键词 阿秒科学 量子调控 电离 阿秒脉冲 双缝干涉

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HVPE法生长GaN厚膜弯曲的分析

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作者 赵璐冰 于彤军 +3 位作者 陆羽 李俊 杨志坚 张国义 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期164-166,共3页

异质外延生长和降温过程中的失配会引起HVPE厚膜样品的弯曲,较大的弯曲会导致薄膜开裂和剥落。利用高分辨X射线衍射仪(XRD)分析,HVPE生长的不同厚度GaN样品的弯曲。对于同一个样品,X射线出射狭缝分别用1mm的标准狭缝和50μm的小狭缝测量... 异质外延生长和降温过程中的失配会引起HVPE厚膜样品的弯曲,较大的弯曲会导致薄膜开裂和剥落。利用高分辨X射线衍射仪(XRD)分析,HVPE生长的不同厚度GaN样品的弯曲。对于同一个样品,X射线出射狭缝分别用1mm的标准狭缝和50μm的小狭缝测量,发现(0002)面摇摆曲线的半宽有明显变化。通过计算和比较,采用标准狭缝测得的(0002)面摇摆曲线的展宽是由弯曲和位错共同引起的,而弯曲表现得更为显著,小狭缝的展宽主要反应样品位错的信息。通过不同狭缝半宽的测量,得到了不同厚度GaN厚膜样品的曲率和位错密度。 展开更多

关键词 氢化物气相外延 厚膜 弯曲 X射线

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ICP刻蚀对p-GaN表面改性及接触的影响

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作者 邓俊静 齐胜利 +3 位作者 陈志忠 田朋飞 郝茂盛 张国义 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期143-146,共4页

采用不同条件的等离子体(O2、Cl2)对p-GaN样品进行刻蚀,通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)、阴极荧光谱(CL)、光致发光光谱(PL)、电流-电压(I-V)等方法详细研究了等离子体刻蚀对p-GaN表面改性及接触的影响。研究发现,经O2... 采用不同条件的等离子体(O2、Cl2)对p-GaN样品进行刻蚀,通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)、阴极荧光谱(CL)、光致发光光谱(PL)、电流-电压(I-V)等方法详细研究了等离子体刻蚀对p-GaN表面改性及接触的影响。研究发现,经O2等离子体刻蚀后,样品的Ga/N降低,PL谱的蓝带发生蓝移,说明刻蚀减小了p-GaN中与Mg相关的自补偿作用,使得更多的Mg原子起到受主作用。另外,样品经O2等离子体处理后在表面形成了一层严重影响接触欧姆特性的氧化层,但此氧化层可经Cl2等离子体刻蚀后得到有效的去除。 展开更多

关键词 感应耦合等离子体 氮空位 蓝带

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