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超声波探伤发射电路及参数分析
被引量：
14
1
作者
王晓蕊
张晓青
贾三山
《仪表技术与传感器》
CSCD
北大核心
2012年第9期30-32,共3页
研究了基于ARM和FPGA的数字式超声波探伤电路系统,运用MOSFET开关I/V特性推导出阈值电压和漏极电流公式,推导了电容充放电时间以及运用极限法来分析发射电路中电容电阻因素。并对发射电路进行仿真设计及分析,实现了FPGA对发射电路的控...
研究了基于ARM和FPGA的数字式超声波探伤电路系统,运用MOSFET开关I/V特性推导出阈值电压和漏极电流公式,推导了电容充放电时间以及运用极限法来分析发射电路中电容电阻因素。并对发射电路进行仿真设计及分析,实现了FPGA对发射电路的控制。最后从超声波探伤实用性角度分析了发射电路参数对探伤系统性能的影响。研究结论表明,MOFSET开关和电容充放电中电压、电阻、电容等影响发射电路性能的因素合理取值提高了超声波探伤系统的能力。
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关键词
超声波探伤
发射电路
MOSFET开关
脉冲
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职称材料
题名
超声波探伤发射电路及参数分析
被引量：
14
1
作者
王晓蕊
张晓青
贾三山
机构
北京
信息
科技
大学
北京声华兴业科技有限公司
出处
《仪表技术与传感器》
CSCD
北大核心
2012年第9期30-32,共3页
文摘
研究了基于ARM和FPGA的数字式超声波探伤电路系统,运用MOSFET开关I/V特性推导出阈值电压和漏极电流公式,推导了电容充放电时间以及运用极限法来分析发射电路中电容电阻因素。并对发射电路进行仿真设计及分析,实现了FPGA对发射电路的控制。最后从超声波探伤实用性角度分析了发射电路参数对探伤系统性能的影响。研究结论表明,MOFSET开关和电容充放电中电压、电阻、电容等影响发射电路性能的因素合理取值提高了超声波探伤系统的能力。
关键词
超声波探伤
发射电路
MOSFET开关
脉冲
Keywords
ultrasonic inspection
transmitting circuit
MOSFET switch
pulse
分类号
TH-3 [机械工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
超声波探伤发射电路及参数分析
王晓蕊
张晓青
贾三山
《仪表技术与传感器》
CSCD
北大核心
2012
14
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