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化合物半导体芯片工艺线的特种气体供应系统探讨被引量：3: 1; 作者李波朱延超《电子工业专用设备》 2022年第2期1-4,22,共5页; 随着半导体芯片产业对特种气体需求的不断增加,对特种气体安全性和气体纯度的更高要求,对特种气体的不同性质进行了分类和讨论,对化合物半导体芯片工艺线的特种气体系统进行了阐述;并对系统的重要组成单元:特种气体柜/气瓶架、特种气体... 展开更多; 关键词工艺线供应系统特种气体安全; 在线阅读下载PDF 职称材料

SOI高压LDMOS器件氧化层抗总电离剂量辐射效应研究: 2; 作者王永维黄柯月 +4 位作者王芳温恒娟陈浪涛周锌赵永瑞《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第8期758-766,共9页; 绝缘体上硅(SOI)高压横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件是高压集成电路的核心器件,对其进行了总电离剂量(TID)辐射效应研究。利用仿真软件研究了器件栅氧化层、场氧化层和埋氧化层辐射陷阱电荷对电场和载流子分布的调制作用,栅氧化... 展开更多; 关键词辐射电荷总电离剂量(TID)辐射效应绝缘体上硅(SOI) 横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS) 击穿电压导通电流; 在线阅读下载PDF 职称材料

100 V SOI厚栅氧LDMOS器件设计与优化: 3; 作者王永维黄柯月 +2 位作者温恒娟陈浪涛周锌《通讯世界》 2024年第7期1-3,共3页; 基于高压模拟开关需求,对100 V绝缘体上硅(SOI)厚栅氧横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件开展研究。利用仿真软件,研究了该LDMOS器件的结构参数,包括漂移区长度、漂移区掺杂剂量、多晶硅栅场板长度对LDMOS器件击穿电压的影响。采用沟... 展开更多; 关键词 SOI LDMOS 绝缘体上硅功率器件击穿电压阈值电压; 在线阅读下载PDF 职称材料

企业财务管理中的成本控制策略探究被引量：2: 4; 作者侯丽敏《现代审计与会计》 2024年第6期28-30,共3页; 新时期背景下,企业在运行过程中面临着激烈的竞争与经营挑战,而成本控制作为企业财务管理的主要环节,对企业利润水平具有直接影响。合理、有效的成本控制,可在帮助企业减少成本支出的同时提高资源使用效率,进而实现企业价值。基于此,本... 展开更多; 关键词企业财务管理成本控制有效策略; 在线阅读下载PDF 职称材料

SiC高温退火表面保护薄膜制备的研究: 5; 作者刘相伍李波 +1 位作者陟金华朱江涛《电子工业专用设备》 2024年第3期9-12,共4页; 采用光刻胶涂覆、PVD、PECVD和RIE方法制备的类金刚石(DLC)薄膜覆盖于SiC晶片表面,作为SiC离子注入后高温激活退火的保护层,高温退火后晶片表面均无明显形貌退化,从薄膜应力、厚度、产能及成本等方面对4种方法进行了对比和分析。; 关键词碳化硅类金刚石高温退火; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种高结终端效率1700V/10A SiC功率MOSFET 被引量：4: 6; 作者刘岳巍杨瑞霞 +2 位作者张志国王永维邓小川《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第9期685-689,695,共6页; 设计了一种具有分组缓变间距场限环(MGM-FLR)结终端结构的SiC功率MOSFET,并基于国内现有的SiC电力电子器件工艺平台进行了流片,完成了1700 V/10 A SiC功率MOSFET样品的制备。测试结果表明,MGM-FLR结构有效调制并优化了结终端区域的表面... 展开更多; 关键词 SiC MOSFET 场限环击穿电压阈值电压高温反偏(HTRB); 在线阅读下载PDF 职称材料

一种考虑端口引线趋肤效应的GaAs PHEMT器件小信号模型: 7; 作者章婷婷刘军 +1 位作者夏颖张志国《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第1期47-52,共6页; 为了精确地表征高频GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)的器件特性,提出了一种考虑端口引线趋肤效应的GaAs PHEMT器件小信号模型。采用传输线理论,建立GaAs PHEMT的源-漏电压为0 V情况下沟道的T型等效网络。以量化沟道电阻为中间项,推... 展开更多; 关键词高频小信号模型传输线理论趋肤效应沟道等效电路参数提取; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名化合物半导体芯片工艺线的特种气体供应系统探讨被引量：3: 1; 作者李波朱延超; 机构北京国联万众半导体科技有限公司中国电子科技集团公司第十三研究所; 出处《电子工业专用设备》 2022年第2期1-4,22,共5页; 文摘随着半导体芯片产业对特种气体需求的不断增加,对特种气体安全性和气体纯度的更高要求,对特种气体的不同性质进行了分类和讨论,对化合物半导体芯片工艺线的特种气体系统进行了阐述;并对系统的重要组成单元:特种气体柜/气瓶架、特种气体分配箱/分配盘、特种气体输送管道、尾气处理器和特种气体监控系统的功能和用途进行了探讨。; 关键词工艺线供应系统特种气体安全; Keywords Foundry Supply system Special gas safety; 分类号 TN305 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名SOI高压LDMOS器件氧化层抗总电离剂量辐射效应研究: 2; 作者王永维黄柯月王芳温恒娟陈浪涛周锌赵永瑞; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所北京国联万众半导体科技有限公司电子科技大学集成电路科学与工程学院山东省产品质量检验研究院北京振兴计量测试研究所河北新华北集成电路有限公司; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第8期758-766,共9页; 文摘绝缘体上硅(SOI)高压横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件是高压集成电路的核心器件,对其进行了总电离剂量(TID)辐射效应研究。利用仿真软件研究了器件栅氧化层、场氧化层和埋氧化层辐射陷阱电荷对电场和载流子分布的调制作用,栅氧化层辐射陷阱电荷主要作用于器件沟道区,而场氧化层和埋氧化层辐射陷阱电荷则主要作用于器件漂移区;辐射陷阱电荷在器件内部感生出的镜像电荷改变了器件原有的电场和载流子分布,从而导致器件阈值电压、击穿电压和导通电阻等参数的退化。对80 V SOI高压LDMOS器件进行了总电离剂量辐射实验,结果表明在ON态和OFF态下随着辐射剂量的增加器件性能逐步衰退,当累积辐射剂量为200 krad(Si)时,器件的击穿电压大于80 V,阈值电压漂移为0.3 V,器件抗总电离剂量辐射能力大于200 krad(Si)。; 关键词辐射电荷总电离剂量(TID)辐射效应绝缘体上硅(SOI) 横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS) 击穿电压导通电流; Keywords radiation charge total ionizing dose(TID)radiation effect silicon on insulator(SOI) laterally diffused metal oxide semiconductor(LDMOS) breakdown voltage conduction current; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学] TN306 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名100 V SOI厚栅氧LDMOS器件设计与优化: 3; 作者王永维黄柯月温恒娟陈浪涛周锌; 机构中国电子科技集团公司电子第十三研究所北京国联万众半导体科技有限公司电子科技大学集成电路科学与工程学院北京振兴计量测试研究所; 出处《通讯世界》 2024年第7期1-3,共3页; 文摘基于高压模拟开关需求,对100 V绝缘体上硅(SOI)厚栅氧横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件开展研究。利用仿真软件,研究了该LDMOS器件的结构参数,包括漂移区长度、漂移区掺杂剂量、多晶硅栅场板长度对LDMOS器件击穿电压的影响。采用沟道离子补偿注入的方法,通过控制沟道区调整沟道区硼离子注入剂量,调节器件的阈值电压,同时通过优化N阱区(N-well)注入窗口长度改善器件的饱和电流。; 关键词 SOI LDMOS 绝缘体上硅功率器件击穿电压阈值电压; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名企业财务管理中的成本控制策略探究被引量：2: 4; 作者侯丽敏; 机构北京国联万众半导体科技有限公司; 出处《现代审计与会计》 2024年第6期28-30,共3页; 文摘新时期背景下,企业在运行过程中面临着激烈的竞争与经营挑战,而成本控制作为企业财务管理的主要环节,对企业利润水平具有直接影响。合理、有效的成本控制,可在帮助企业减少成本支出的同时提高资源使用效率,进而实现企业价值。基于此,本文首先阐述了企业财务成本控制的重要性;其次,详细分析了企业财务管理中成本控制存在的问题,如成本控制管理措施规范性不足、企业成本控制与成本预算目标存在偏差、企业成本控制模式存在缺陷、企业成本控制方法较为传统等;最后,结合上述问题,针对企业财务管理中成本控制提出了一系列改进策略,其中包括优化企业内部成本控制管理体系、优化企业内部管理信息系统、强化企业内部人员的成本控制意识、构建完善成本控制考核制度等,以期帮助企业更好地对成本进行管理与控制,增强财务稳定性。; 关键词企业财务管理成本控制有效策略; 分类号 F234.2 [经济管理—会计学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名SiC高温退火表面保护薄膜制备的研究: 5; 作者刘相伍李波陟金华朱江涛; 机构北京国联万众半导体科技有限公司; 出处《电子工业专用设备》 2024年第3期9-12,共4页; 文摘采用光刻胶涂覆、PVD、PECVD和RIE方法制备的类金刚石(DLC)薄膜覆盖于SiC晶片表面,作为SiC离子注入后高温激活退火的保护层,高温退火后晶片表面均无明显形貌退化,从薄膜应力、厚度、产能及成本等方面对4种方法进行了对比和分析。; 关键词碳化硅类金刚石高温退火; Keywords SiC(Silicon carbide) DLC(Diamond-like carbon) High temperature anneal; 分类号 TN304.05 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种高结终端效率1700V/10A SiC功率MOSFET 被引量：4: 6; 作者刘岳巍杨瑞霞张志国王永维邓小川; 机构河北工业大学电子信息工程学院石家庄铁道大学电气与电子工程学院北京国联万众半导体科技有限公司中国电子科技集团公司第十三研究所电子科技大学电子科学与工程学院; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第9期685-689,695,共6页; 基金国家自然科学基金资助项目(61774054)。; 文摘设计了一种具有分组缓变间距场限环(MGM-FLR)结终端结构的SiC功率MOSFET,并基于国内现有的SiC电力电子器件工艺平台进行了流片,完成了1700 V/10 A SiC功率MOSFET样品的制备。测试结果表明,MGM-FLR结构有效调制并优化了结终端区域的表面电场强度分布,SiC MOSFET漏电流为1μA时最大击穿电压达到2400 V,为理想平行平面结击穿电压的91%。器件的比导通电阻约为36 mΩ·cm^2,阈值电压为2.9 V。对制备的SiC功率MOSFET进行了150℃、168 h的高温反偏(HTRB)可靠性测试评估,实验前后的击穿电压变化量不超过100 V,初步验证了MGM-FLR结终端结构的鲁棒性和可行性。; 关键词 SiC MOSFET 场限环击穿电压阈值电压高温反偏(HTRB); Keywords SiC MOSFET field limiting ring breakdown voltage threshold voltage high temperature reverse bias(HTRB); 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学] TN304.24 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种考虑端口引线趋肤效应的GaAs PHEMT器件小信号模型: 7; 作者章婷婷刘军夏颖张志国; 机构杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室北京国联万众半导体科技有限公司; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第1期47-52,共6页; 基金国家自然科学基金资助项目(61934006)。; 文摘为了精确地表征高频GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)的器件特性,提出了一种考虑端口引线趋肤效应的GaAs PHEMT器件小信号模型。采用传输线理论,建立GaAs PHEMT的源-漏电压为0 V情况下沟道的T型等效网络。以量化沟道电阻为中间项,推导出含有趋肤效应模型的拓扑结构并提出参数解析提取方法。结合趋肤效应的高频响应特征,从频率高于40 GHz的测试S参数中剥离10 GHz以下的非本征参数,然后从剥离之后的网络参数中提取趋肤效应模型参数值。采用总栅宽为4×25μm GaAs PHEMT管芯用于模型和模型参数提取方法的验证。结果显示在2~110 GHz下,该模型的仿真结果与测试结果吻合较好。; 关键词高频小信号模型传输线理论趋肤效应沟道等效电路参数提取; Keywords high frequency small signal model transmission line theory skin effect channel equivalent circuit parameter extraction; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	化合物半导体芯片工艺线的特种气体供应系统探讨	李波朱延超	《电子工业专用设备》	2022	3	在线阅读下载PDF 职称材料
2	SOI高压LDMOS器件氧化层抗总电离剂量辐射效应研究	王永维黄柯月王芳温恒娟陈浪涛周锌赵永瑞	《半导体技术》 CAS 北大核心	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	100 V SOI厚栅氧LDMOS器件设计与优化	王永维黄柯月温恒娟陈浪涛周锌	《通讯世界》	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	企业财务管理中的成本控制策略探究	侯丽敏	《现代审计与会计》	2024	2	在线阅读下载PDF 职称材料
5	SiC高温退火表面保护薄膜制备的研究	刘相伍李波陟金华朱江涛	《电子工业专用设备》	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	一种高结终端效率1700V/10A SiC功率MOSFET	刘岳巍杨瑞霞张志国王永维邓小川	《半导体技术》 CAS 北大核心	2020	4	在线阅读下载PDF 职称材料
7	一种考虑端口引线趋肤效应的GaAs PHEMT器件小信号模型	章婷婷刘军夏颖张志国	《半导体技术》 CAS 北大核心	2021	0	在线阅读下载PDF 职称材料