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SOI高压LDMOS器件氧化层抗总电离剂量辐射效应研究被引量：2: 1; 作者王永维黄柯月 +4 位作者王芳温恒娟陈浪涛周锌赵永瑞《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第8期758-766,共9页; 绝缘体上硅(SOI)高压横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件是高压集成电路的核心器件,对其进行了总电离剂量(TID)辐射效应研究。利用仿真软件研究了器件栅氧化层、场氧化层和埋氧化层辐射陷阱电荷对电场和载流子分布的调制作用,栅氧化... 展开更多; 关键词辐射电荷总电离剂量(TID)辐射效应绝缘体上硅(SOI) 横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS) 击穿电压导通电流; 在线阅读下载PDF 职称材料

中低压碳化硅材料、器件及其在电动汽车充电设备中的应用示范被引量：7: 2; 作者盛况郭清 +1 位作者于坤山丁晓伟《浙江大学学报（理学版）》 CAS CSCD 北大核心 2016年第6期631-634,637,共5页; 碳化硅(SiC)电力电子器件的高压、高温和高频率特性,使其成为理想的电动汽车充电设备器件,将显著提升电动汽车充电设备的效率和功率密度.开展中低压SiC材料、器件及其在电动汽车充电设备中的示范应用,不仅有利于加快建立我国自主的碳化... 展开更多; 关键词碳化硅电动汽车充电; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种高结终端效率1700V/10A SiC功率MOSFET 被引量：4: 3; 作者刘岳巍杨瑞霞 +2 位作者张志国王永维邓小川《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第9期685-689,695,共6页; 设计了一种具有分组缓变间距场限环(MGM-FLR)结终端结构的SiC功率MOSFET,并基于国内现有的SiC电力电子器件工艺平台进行了流片,完成了1700 V/10 A SiC功率MOSFET样品的制备。测试结果表明,MGM-FLR结构有效调制并优化了结终端区域的表面... 展开更多; 关键词 SiC MOSFET 场限环击穿电压阈值电压高温反偏(HTRB); 在线阅读下载PDF 职称材料

一种考虑端口引线趋肤效应的GaAs PHEMT器件小信号模型: 4; 作者章婷婷刘军 +1 位作者夏颖张志国《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第1期47-52,共6页; 为了精确地表征高频GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)的器件特性,提出了一种考虑端口引线趋肤效应的GaAs PHEMT器件小信号模型。采用传输线理论,建立GaAs PHEMT的源-漏电压为0 V情况下沟道的T型等效网络。以量化沟道电阻为中间项,推... 展开更多; 关键词高频小信号模型传输线理论趋肤效应沟道等效电路参数提取; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名SOI高压LDMOS器件氧化层抗总电离剂量辐射效应研究被引量：2: 1; 作者王永维黄柯月王芳温恒娟陈浪涛周锌赵永瑞; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所北京国联万众半导体科技有限公司电子科技大学集成电路科学与工程学院山东省产品质量检验研究院北京振兴计量测试研究所河北新华北集成电路有限公司; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第8期758-766,共9页; 文摘绝缘体上硅(SOI)高压横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件是高压集成电路的核心器件,对其进行了总电离剂量(TID)辐射效应研究。利用仿真软件研究了器件栅氧化层、场氧化层和埋氧化层辐射陷阱电荷对电场和载流子分布的调制作用,栅氧化层辐射陷阱电荷主要作用于器件沟道区,而场氧化层和埋氧化层辐射陷阱电荷则主要作用于器件漂移区;辐射陷阱电荷在器件内部感生出的镜像电荷改变了器件原有的电场和载流子分布,从而导致器件阈值电压、击穿电压和导通电阻等参数的退化。对80 V SOI高压LDMOS器件进行了总电离剂量辐射实验,结果表明在ON态和OFF态下随着辐射剂量的增加器件性能逐步衰退,当累积辐射剂量为200 krad(Si)时,器件的击穿电压大于80 V,阈值电压漂移为0.3 V,器件抗总电离剂量辐射能力大于200 krad(Si)。; 关键词辐射电荷总电离剂量(TID)辐射效应绝缘体上硅(SOI) 横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS) 击穿电压导通电流; Keywords radiation charge total ionizing dose(TID)radiation effect silicon on insulator(SOI) laterally diffused metal oxide semiconductor(LDMOS) breakdown voltage conduction current; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学] TN306 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名中低压碳化硅材料、器件及其在电动汽车充电设备中的应用示范被引量：7: 2; 作者盛况郭清于坤山丁晓伟; 机构浙江大学电气工程学院北京国联万众半导体科技有限公司北京华商三优新能源科技有限公司; 出处《浙江大学学报（理学版）》 CAS CSCD 北大核心 2016年第6期631-634,637,共5页; 基金国家重点研发计划项目(2016YFB0400402); 文摘碳化硅(SiC)电力电子器件的高压、高温和高频率特性,使其成为理想的电动汽车充电设备器件,将显著提升电动汽车充电设备的效率和功率密度.开展中低压SiC材料、器件及其在电动汽车充电设备中的示范应用,不仅有利于加快建立我国自主的碳化硅全产业链,而且有助于提高我国电动汽车充电设备的核心竞争力.; 关键词碳化硅电动汽车充电; Keywords silicon carbide electric vehicle charging; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种高结终端效率1700V/10A SiC功率MOSFET 被引量：4: 3; 作者刘岳巍杨瑞霞张志国王永维邓小川; 机构河北工业大学电子信息工程学院石家庄铁道大学电气与电子工程学院北京国联万众半导体科技有限公司中国电子科技集团公司第十三研究所电子科技大学电子科学与工程学院; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第9期685-689,695,共6页; 基金国家自然科学基金资助项目(61774054)。; 文摘设计了一种具有分组缓变间距场限环(MGM-FLR)结终端结构的SiC功率MOSFET,并基于国内现有的SiC电力电子器件工艺平台进行了流片,完成了1700 V/10 A SiC功率MOSFET样品的制备。测试结果表明,MGM-FLR结构有效调制并优化了结终端区域的表面电场强度分布,SiC MOSFET漏电流为1μA时最大击穿电压达到2400 V,为理想平行平面结击穿电压的91%。器件的比导通电阻约为36 mΩ·cm^2,阈值电压为2.9 V。对制备的SiC功率MOSFET进行了150℃、168 h的高温反偏(HTRB)可靠性测试评估,实验前后的击穿电压变化量不超过100 V,初步验证了MGM-FLR结终端结构的鲁棒性和可行性。; 关键词 SiC MOSFET 场限环击穿电压阈值电压高温反偏(HTRB); Keywords SiC MOSFET field limiting ring breakdown voltage threshold voltage high temperature reverse bias(HTRB); 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学] TN304.24 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种考虑端口引线趋肤效应的GaAs PHEMT器件小信号模型: 4; 作者章婷婷刘军夏颖张志国; 机构杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室北京国联万众半导体科技有限公司; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第1期47-52,共6页; 基金国家自然科学基金资助项目(61934006)。; 文摘为了精确地表征高频GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)的器件特性,提出了一种考虑端口引线趋肤效应的GaAs PHEMT器件小信号模型。采用传输线理论,建立GaAs PHEMT的源-漏电压为0 V情况下沟道的T型等效网络。以量化沟道电阻为中间项,推导出含有趋肤效应模型的拓扑结构并提出参数解析提取方法。结合趋肤效应的高频响应特征,从频率高于40 GHz的测试S参数中剥离10 GHz以下的非本征参数,然后从剥离之后的网络参数中提取趋肤效应模型参数值。采用总栅宽为4×25μm GaAs PHEMT管芯用于模型和模型参数提取方法的验证。结果显示在2~110 GHz下,该模型的仿真结果与测试结果吻合较好。; 关键词高频小信号模型传输线理论趋肤效应沟道等效电路参数提取; Keywords high frequency small signal model transmission line theory skin effect channel equivalent circuit parameter extraction; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	SOI高压LDMOS器件氧化层抗总电离剂量辐射效应研究	王永维黄柯月王芳温恒娟陈浪涛周锌赵永瑞	《半导体技术》 CAS 北大核心	2024	2	在线阅读下载PDF 职称材料
2	中低压碳化硅材料、器件及其在电动汽车充电设备中的应用示范	盛况郭清于坤山丁晓伟	《浙江大学学报（理学版）》 CAS CSCD 北大核心	2016	7	在线阅读下载PDF 职称材料
3	一种高结终端效率1700V/10A SiC功率MOSFET	刘岳巍杨瑞霞张志国王永维邓小川	《半导体技术》 CAS 北大核心	2020	4	在线阅读下载PDF 职称材料
4	一种考虑端口引线趋肤效应的GaAs PHEMT器件小信号模型	章婷婷刘军夏颖张志国	《半导体技术》 CAS 北大核心	2021	0	在线阅读下载PDF 职称材料