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低温等离子体射流制备二氧化钛薄膜及其光催化活性的研究被引量：12: 1; 作者刘忠伟李森 +2 位作者陈强王正铎杨丽珍《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期1-5,共5页; 利用大气压低温等离子体射流技术,以空气为放电气体,四氯化钛为钛源,在玻璃载玻片基底上制备了二氧化钛薄膜。利用扫描电镜及椭圆偏振仪分析测量了薄膜的表面形貌与沉积速率。利用紫外光照射硬脂酸分解速率评价所制备薄膜的光催化活性,... 展开更多; 关键词等离子体射流二氧化钛光催化薄膜; 在线阅读下载PDF 职称材料

等离子体增强原子层沉积技术制备铜薄膜: 2; 作者樊启鹏胡玉莲 +2 位作者桑利军王卉刘忠伟《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第4期306-312,共7页; 集成电路的高速发展为铜互连提出诸多要求,其中,如何低温条件(≤150℃)下在大深宽比的通孔或沟槽中沉积保形性好、纯度高、导电性好的铜籽晶层是亟需解决的问题。本文利用等离子体增强原子层沉积技术,以脒基铜为铜前驱体,以氢等离子体... 展开更多; 关键词射频等离子体铜籽晶层原子层沉积; 在线阅读下载PDF 职称材料

石英微晶天平技术在原子层沉积碳化镍薄膜过程中的应用研究: 3; 作者胡玉莲郭群 +4 位作者樊启鹏王正铎王院民刘忠伟杨丽珍《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第11期990-995,共6页; 采用等离子体增强原子层沉积技术分别以Ni(amd)2、Ni(dad)2为镍、碳前驱体,氢等离子体为还原剂成功沉积了碳化镍薄膜。两个沉积过程中,碳化镍薄膜厚度都随着反应循环次数的增加而线性增加。利用石英微晶天平技术对碳化镍薄膜的沉积过程... 展开更多; 关键词石英微晶天平碳化镍原子层沉积; 在线阅读下载PDF 职称材料

单体对大气下沉积SiO_(x)薄膜的性能研究被引量：1: 4; 作者汤文杰韩尔立 +1 位作者陈强葛袁静《包装工程》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期56-58,共3页; 在大气压下,利用工作在16kHz的介质阻挡放电(DBD)等离子枪,以氩气为工作气体,分别用四甲基硅氧烷(TEOS)、六甲基硅氧烷(HMDSO)和八甲基环四硅氧烷(D4)为单体,通过改变载气流量、等离子体放电功率等研究聚合S iOx薄膜的结构性能影响。采... 展开更多; 关键词大气压DBD SIOX 单体; 在线阅读下载PDF 职称材料

化学气相沉积/原子层沉积铜前驱体的研究进展被引量：4: 5; 作者国政陈强 +4 位作者王正铎桑利军杨丽珍葛新昱刘忠伟《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第10期1282-1290,共9页; 随着微电子领域的快速发展,用于集成电路中器件互连的铜薄膜要求具有无缺陷并且高纯度等特征。本文介绍了利用化学气相沉积技术与原子层沉积技术沉积铜薄膜工艺的研究;特别是,综述了铜-卤素、β-二酮、烷氧、脒基、胍基、环戊二烯基等... 展开更多; 关键词铜薄膜前驱体化学气相沉积原子层沉积; 在线阅读下载PDF 职称材料

原子层沉积铜薄膜研究进展被引量：1: 6; 作者郭群国政 +4 位作者桑利军王安玲田旭杨丽珍刘忠伟《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第8期856-861,共6页; 微电子领域中的铜互连工艺需要沉积一层连续且保形好的铜籽晶层,随着集成电路中特征尺寸的减小及沟槽深宽比的增加,传统的热沉积工艺难以满足其将来的制作要求。本文介绍了使用新的强还原剂前驱体沉积铜金属工艺的研究进展,重点综述了... 展开更多; 关键词铜籽晶层原子层沉积低温等离子体; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名低温等离子体射流制备二氧化钛薄膜及其光催化活性的研究被引量：12: 1; 作者刘忠伟李森陈强王正铎杨丽珍; 机构北京印刷学院印刷包装材料与技术北京市重点实验室等离子体物理与材料研究室; 出处《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期1-5,共5页; 基金北京市教育委员会科技计划面上项目(No.KM201010015005) 北京市优秀人才培养计划资助项目(No.2010D005004000001); 文摘利用大气压低温等离子体射流技术,以空气为放电气体,四氯化钛为钛源,在玻璃载玻片基底上制备了二氧化钛薄膜。利用扫描电镜及椭圆偏振仪分析测量了薄膜的表面形貌与沉积速率。利用紫外光照射硬脂酸分解速率评价所制备薄膜的光催化活性,结果显示在同一放电输入功率及气体流量条件下,四氯化钛前驱体引入位置距射流枪枪口越近,所制备的二氧化钛薄膜光催化性能越高。在同一反应位置时,放电输入功率的增加有助于提高二氧化钛薄膜的光催化活性。; 关键词等离子体射流二氧化钛光催化薄膜; Keywords Plasma jet Titanium dioxide Photocatalysis Thin film; 分类号 TB321 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名等离子体增强原子层沉积技术制备铜薄膜: 2; 作者樊启鹏胡玉莲桑利军王卉刘忠伟; 机构北京印刷学院印刷包装材料与技术北京市重点实验室等离子体物理与材料研究室; 出处《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第4期306-312,共7页; 基金北京市自然科学基金项目(4162024) 2016年度北京市优秀人才培养资助青年拔尖个人项目(No.10000200388) +3 种基金北京印刷学院北印英才资助项目(20150103); 文摘集成电路的高速发展为铜互连提出诸多要求,其中,如何低温条件(≤150℃)下在大深宽比的通孔或沟槽中沉积保形性好、纯度高、导电性好的铜籽晶层是亟需解决的问题。本文利用等离子体增强原子层沉积技术,以脒基铜为铜前驱体,以氢等离子体为还原物质,在较低的沉积温度(100℃)下,沉积了纯度高、导电性能优良的铜薄膜。在10∶1的硅基沟槽中,表面与沟槽底部厚度均匀(~80 nm)。考察了放电输入功率对薄膜形貌的影响并利用时间分辨发射光谱技术对氢等离子体进行在线诊断。本论文研究表明铜脒基前驱体用于低温等离子体辅助原子层沉积工艺,可有效地解决铜薄膜沉积过程中铜粒子的团聚问题,并为其它类脒基前驱体进行金属薄膜的沉积提供借鉴。; 关键词射频等离子体铜籽晶层原子层沉积; Keywords Radio-frequency plasma, Copper seed layer, Atomic layer deposition; 分类号 TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名石英微晶天平技术在原子层沉积碳化镍薄膜过程中的应用研究: 3; 作者胡玉莲郭群樊启鹏王正铎王院民刘忠伟杨丽珍; 机构北京印刷学院印刷包装材料与技术北京市重点实验室等离子体物理与材料研究室; 出处《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第11期990-995,共6页; 基金国家自然科学基金项目(11775028) 北京市自然科学基金项目(4162024) +2 种基金北京市级大学生创新创业训练项目(201805101); 文摘采用等离子体增强原子层沉积技术分别以Ni(amd)2、Ni(dad)2为镍、碳前驱体,氢等离子体为还原剂成功沉积了碳化镍薄膜。两个沉积过程中,碳化镍薄膜厚度都随着反应循环次数的增加而线性增加。利用石英微晶天平技术对碳化镍薄膜的沉积过程进行了原位在线测量。初步提出碳化镍薄膜的沉积机理,其中由等离子体作用产生的氢原子对沉积过程有重要作用。一方面,在等离子体中原子氢与Ni(amd)2或Ni(dad)2发生化学反应,生成Ni、挥发性的N-叔丁基乙酰胺盐和碳氢化合物,这些镍在镍表面上有吸附和分解的趋势。此外,原子氢对吸附的碳氢化合物脱氢生成碳化镍和大量碳物种具有促进作用。另一方面,预计它还会刻蚀碳化镍表面的无定形碳和石墨,或者将碳化镍分解成具有催化活性的金属镍。; 关键词石英微晶天平碳化镍原子层沉积; Keywords Quartz crystal microbalance Nickel carbide Atomic layer deposition; 分类号 TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名单体对大气下沉积SiO_(x)薄膜的性能研究被引量：1: 4; 作者汤文杰韩尔立陈强葛袁静; 机构北京印刷学院印刷包装材料与技术北京市重点实验室等离子体物理与材料研究室; 出处《包装工程》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期56-58,共3页; 基金北京市教委项目北京印刷学院引进人才基金的资助; 文摘在大气压下,利用工作在16kHz的介质阻挡放电(DBD)等离子枪,以氩气为工作气体,分别用四甲基硅氧烷(TEOS)、六甲基硅氧烷(HMDSO)和八甲基环四硅氧烷(D4)为单体,通过改变载气流量、等离子体放电功率等研究聚合S iOx薄膜的结构性能影响。采用红外光谱(FTIR)分析所沉积S iOx薄膜的结构,通过接触角测试了解其表面亲/疏水性能。; 关键词大气压DBD SIOX 单体; Keywords atmospheric pressure DBD SiOx precursors; 分类号 TQ325 [化学工程—合成树脂塑料工业] TB484 [一般工业技术—包装工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名化学气相沉积/原子层沉积铜前驱体的研究进展被引量：4: 5; 作者国政陈强王正铎桑利军杨丽珍葛新昱刘忠伟; 机构北京印刷学院印刷包装材料与技术北京市重点实验室等离子体物理与材料研究室; 出处《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第10期1282-1290,共9页; 基金北京市属高等学校高层次人才引进与培养计划项目(CIT&TCD201404130) 北京市教育委员会科技计划面上项目(KM201510015002) 2014北京市本科生科学研究计划项目资助; 文摘随着微电子领域的快速发展,用于集成电路中器件互连的铜薄膜要求具有无缺陷并且高纯度等特征。本文介绍了利用化学气相沉积技术与原子层沉积技术沉积铜薄膜工艺的研究;特别是,综述了铜-卤素、β-二酮、烷氧、脒基、胍基、环戊二烯基等各类铜前驱体的研究现状与发展趋势;概述了应用所述前驱体进行铜薄膜沉积的参数及所制备铜薄膜的导电性能。最后,介绍了本课题组对铜薄膜沉积的研究进展。; 关键词铜薄膜前驱体化学气相沉积原子层沉积; Keywords Copper films Precursor Chemical vapor deposition Atomic layer deposition; 分类号 O484.1 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名原子层沉积铜薄膜研究进展被引量：1: 6; 作者郭群国政桑利军王安玲田旭杨丽珍刘忠伟; 机构北京印刷学院印刷包装材料与技术北京市重点实验室等离子体物理与材料研究室; 出处《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第8期856-861,共6页; 基金北京市自然科学基金项目(4162024) 北京市属高等学校高层次人才引进与培养计划项目(CIT&TCD201404130) +2 种基金 KM201510015009) 2015北京市本科生科学研究计划项目资助(201601002); 文摘微电子领域中的铜互连工艺需要沉积一层连续且保形好的铜籽晶层,随着集成电路中特征尺寸的减小及沟槽深宽比的增加,传统的热沉积工艺难以满足其将来的制作要求。本文介绍了使用新的强还原剂前驱体沉积铜金属工艺的研究进展,重点综述了利用氢气等离子体辅助原子层沉积铜薄膜工艺的研究现状,概述了应用各类铜前驱体进行铜薄膜沉积的参数及所制备铜薄膜的性能,总结了各工艺的优缺点。; 关键词铜籽晶层原子层沉积低温等离子体; Keywords Copper seed layer Atomic layer deposition Low temperature Plasma; 分类号 TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	低温等离子体射流制备二氧化钛薄膜及其光催化活性的研究	刘忠伟李森陈强王正铎杨丽珍	《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2012	12	在线阅读下载PDF 职称材料
2	等离子体增强原子层沉积技术制备铜薄膜	樊启鹏胡玉莲桑利军王卉刘忠伟	《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2018	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	石英微晶天平技术在原子层沉积碳化镍薄膜过程中的应用研究	胡玉莲郭群樊启鹏王正铎王院民刘忠伟杨丽珍	《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2018	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	单体对大气下沉积SiO_(x)薄膜的性能研究	汤文杰韩尔立陈强葛袁静	《包装工程》 CAS CSCD 北大核心	2006	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	化学气相沉积/原子层沉积铜前驱体的研究进展	国政陈强王正铎桑利军杨丽珍葛新昱刘忠伟	《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2015	4	在线阅读下载PDF 职称材料
6	原子层沉积铜薄膜研究进展	郭群国政桑利军王安玲田旭杨丽珍刘忠伟	《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2016	1	在线阅读下载PDF 职称材料