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正丁基苝四羧酸二酰亚胺的晶型和性能研究
1
作者
张文官
赵生敏
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第2期302-305,共4页
文章合成了N，N’-二正丁基菲四羧酸二酰亚胺，并纯化、调晶，进行了IR、元素分析、X射线等测定。分析该化合物在DMF中的紫外光谱（最大吸收波长524．80nm）、荧光光谱（最大发射波长539．0nm）、Stokes位移（数值15nm）等光谱性质。存4...
文章合成了N，N’-二正丁基菲四羧酸二酰亚胺，并纯化、调晶，进行了IR、元素分析、X射线等测定。分析该化合物在DMF中的紫外光谱（最大吸收波长524．80nm）、荧光光谱（最大发射波长539．0nm）、Stokes位移（数值15nm）等光谱性质。存400-700nm范围内，α晶型薄膜紫外-可见吸收出现很强的吸收峰，且由β型变为α型，最大吸收波长有明显的红移（545nm变为580nm）。X射线粉末衍射也反映出α晶型的2θ在26．0。处衍射峰CPS为2508，β型在25．2。为1891。α，β晶型作为电荷产生材料制得的功能分离型有机光导体，在光源滤波波长λ=532nm曝光下，测得含α，β感光体达到饱和电位的时间分别为46，93．98s。光衰电位（5．3千伏电压负充电电晕，1～2S后的表面电位）分别为727和525V，半衰曝光量分别为4．32，4．34μJ·cm^-2，残余电位分别为30和45V等光导性能数值。
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关键词
N
N-二正丁基菲四羧酸二酰亚胺
品型
光谱
光导件能
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职称材料
题名
正丁基苝四羧酸二酰亚胺的晶型和性能研究
1
作者
张文官
赵生敏
机构
北京印刷学院印刷包装材料与技术北京地区重点实验室
出处
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第2期302-305,共4页
文摘
文章合成了N，N’-二正丁基菲四羧酸二酰亚胺，并纯化、调晶，进行了IR、元素分析、X射线等测定。分析该化合物在DMF中的紫外光谱（最大吸收波长524．80nm）、荧光光谱（最大发射波长539．0nm）、Stokes位移（数值15nm）等光谱性质。存400-700nm范围内，α晶型薄膜紫外-可见吸收出现很强的吸收峰，且由β型变为α型，最大吸收波长有明显的红移（545nm变为580nm）。X射线粉末衍射也反映出α晶型的2θ在26．0。处衍射峰CPS为2508，β型在25．2。为1891。α，β晶型作为电荷产生材料制得的功能分离型有机光导体，在光源滤波波长λ=532nm曝光下，测得含α，β感光体达到饱和电位的时间分别为46，93．98s。光衰电位（5．3千伏电压负充电电晕，1～2S后的表面电位）分别为727和525V，半衰曝光量分别为4．32，4．34μJ·cm^-2，残余电位分别为30和45V等光导性能数值。
关键词
N
N-二正丁基菲四羧酸二酰亚胺
品型
光谱
光导件能
Keywords
N＇, N Bis（n-butyl）-3,4,9,10-perylene tetracarboxylic diimide
Crystalline
Spectra
Photocondutivity
分类号
O734 [理学—晶体学]
O738 [理学—晶体学]
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作者
出处
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1
正丁基苝四羧酸二酰亚胺的晶型和性能研究
张文官
赵生敏
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
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