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集电区电导调制下的饱和压降及其工艺控制
1
作者
陈家耀
《半导体技术》
CAS
1981年第4期9-13,共5页
一、理论分析 我们知道,一般常见的饱和压降公式为, Vces=Ieres+Ve-Vc+Icsrcs （1） 这里Ie为发射极电流, res为发射极串联电阻（一般可忽略）。 Ve为发射结饱和时的结压降。 Ve为集电结饱和时的结压降。 由于在器件进入饱和时,集电结...
一、理论分析 我们知道,一般常见的饱和压降公式为, Vces=Ieres+Ve-Vc+Icsrcs （1） 这里Ie为发射极电流, res为发射极串联电阻（一般可忽略）。 Ve为发射结饱和时的结压降。 Ve为集电结饱和时的结压降。 由于在器件进入饱和时,集电结和发射结皆为正偏,所以它们极性相反,其值可用下式计算:
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关键词
集电区
电导率
电性
饱和压降
电导调制
集电结
非平衡载流子寿命
少子寿命
集电极电流
少子浓度
工艺控制
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职称材料
题名
集电区电导调制下的饱和压降及其工艺控制
1
作者
陈家耀
机构
北京半导体器件十一厂
出处
《半导体技术》
CAS
1981年第4期9-13,共5页
文摘
一、理论分析 我们知道,一般常见的饱和压降公式为, Vces=Ieres+Ve-Vc+Icsrcs （1） 这里Ie为发射极电流, res为发射极串联电阻（一般可忽略）。 Ve为发射结饱和时的结压降。 Ve为集电结饱和时的结压降。 由于在器件进入饱和时,集电结和发射结皆为正偏,所以它们极性相反,其值可用下式计算:
关键词
集电区
电导率
电性
饱和压降
电导调制
集电结
非平衡载流子寿命
少子寿命
集电极电流
少子浓度
工艺控制
分类号
TN3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
集电区电导调制下的饱和压降及其工艺控制
陈家耀
《半导体技术》
CAS
1981
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