期刊文献+
共找到17篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
利用自制可加磁场样品台对链状位移型磁畴壁的原位洛伦兹电子显微术研究 被引量:5
1
作者 刘海华 车仁超 +1 位作者 王志峰 段晓峰 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期97-101,共5页
利用自制的可加磁场样品台,结合离焦洛仑兹电子显微术,原位研究了坡莫合金中的一种链状位移型磁畴壁在磁化和反磁化过程中的变化,并据此提出了相应的样品薄膜面内的磁力线分布模型。
关键词 原位洛仑兹电子显微术 链状位移型畴壁 磁畴 坡莫合金
在线阅读 下载PDF
Mg预处理蓝宝石衬底法制备的Zn极性ZnO外延薄膜的结构研究(英文) 被引量:2
2
作者 王勇 袁洪涛 +6 位作者 杜小龙 梅增霞 曾兆权 邹进 贾金峰 薛其坤 张泽 《电子显微学报》 CAS CSCD 2007年第5期405-410,共6页
通过分子束外延法在经Mg预处理的蓝宝石衬底上制备了ZnO单晶薄膜,利用高分辨透射电镜、电子全息和X射线能谱对该薄膜的结构进行了细致的研究。结果表明,在蓝宝石衬底上预沉积一层很薄的Mg层,可以生长均匀Zn极性的ZnO外延薄膜。ZnO/MgO/... 通过分子束外延法在经Mg预处理的蓝宝石衬底上制备了ZnO单晶薄膜,利用高分辨透射电镜、电子全息和X射线能谱对该薄膜的结构进行了细致的研究。结果表明,在蓝宝石衬底上预沉积一层很薄的Mg层,可以生长均匀Zn极性的ZnO外延薄膜。ZnO/MgO/蓝宝石的界面非常清晰锐利,同时在界面处可以观察到大约3个原子层的MgO。预沉积的Mg薄层对随后ZnO的极性选择起了关键性作用。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 透射电子显微术 电子全息术 极性 X射线能谱
在线阅读 下载PDF
低维纳米材料中五次孪晶结构的透射电镜研究 被引量:1
3
作者 陈寒元 李建奇 +1 位作者 高燕 解思深 《电子显微学报》 CAS CSCD 2005年第1期29-38,共10页
本文对Ag纳米线中的五次孪晶结构进行了深入系统的透射电镜研究。首次获得了Ag纳米线截面的五次孪晶结构的高分辨图像和电子衍射花样;研究了单根孪晶Ag纳米线中五次孪晶的结构特性。结果表明:Ag纳米线沿着[110]方向生长,具有显著的五次... 本文对Ag纳米线中的五次孪晶结构进行了深入系统的透射电镜研究。首次获得了Ag纳米线截面的五次孪晶结构的高分辨图像和电子衍射花样;研究了单根孪晶Ag纳米线中五次孪晶的结构特性。结果表明:Ag纳米线沿着[110]方向生长,具有显著的五次孪晶结构特点,其中五次孪晶是由五个{111}晶体旋转组成。并针对五重旋转孪晶产生7°20′本征间隙的这一典型结构问题,进行了统计实验分析,提出了纳米线中五次孪晶的新的结构模型。电子能量损失谱(EELS)研究表明:五次孪晶的中心部位相对于Ag单晶,其Ag M4,5峰向低能量方向有轻微漂移。单根纳米线的选区电子衍射或者是由[112]和[110]方向,或者是由[110]和[111]方向叠加产生的。对五次孪晶纳米线高温动态行为的透射电镜原位观察将有利于了解纳米线的生长机理。 展开更多
关键词 电子衍射 纳米线 位相 EELS 本征 电子能量损失谱 晶体 透射电镜 首次 部位
在线阅读 下载PDF
自组装ZnO孪晶纳米结构的透射电镜研究
4
作者 张志华 刘海华 +2 位作者 简基康 邹凯 段晓峰 《电子显微学报》 CAS CSCD 2006年第B08期46-47,共2页
关键词 纳米结构 透射电镜 ZnO 自组装 孪晶 宽带隙半导体材料 一维纳米材料 TEM
在线阅读 下载PDF
固态锂电池中正极/电解质界面的密度泛函计算研究(英文)
5
作者 王雪龙 肖睿娟 +2 位作者 向勇 李泓 陈立泉 《电化学》 CSCD 北大核心 2017年第4期381-390,共10页
锂离子电池的广泛应用对储能器件的能量密度、安全性和充放电速度提出了新的要求.全固态锂电池与传统锂离子电池相比具有更少的副反应和更高的安全性,已成为下一代储能器件的首选.构建匹配的电极/电解质界面是在全固态锂电池中获得优异... 锂离子电池的广泛应用对储能器件的能量密度、安全性和充放电速度提出了新的要求.全固态锂电池与传统锂离子电池相比具有更少的副反应和更高的安全性,已成为下一代储能器件的首选.构建匹配的电极/电解质界面是在全固态锂电池中获得优异综合性能的关键.本文采用第一性原理计算研究了固态电池中电解质表面及正极/电解质界面的局域结构和锂离子输运性质.选取β-Li_3PS_4(010)/LiCoO_2(104)和Li_4GeS_4(010)/LiCoO_2(104)体系计算了界面处的成键情况及锂离子的迁移势垒.部分脱锂态的正极/电解质界面上由于Co-S成键的加强削弱了P/Ge-S键的强度,降低了对Li+的束缚,从而导致了更低的锂离子迁移势垒.理解界面局域结构及其对Li+输运性质的影响将有助于人们在固态电池中构建性能优异的电极/电解质界面. 展开更多
关键词 固态锂电池 正极/电解质界面 密度泛函模拟 锂离子迁移
在线阅读 下载PDF
1,3-二氮杂薁类衍生物电子结构和光谱性质的理论研究 被引量:1
6
作者 李满宇 朱耘玑 +2 位作者 艾希成 孙萌涛 张建平 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第11期2277-2280,共4页
对1,3-二氮杂薁类衍生物采用密度泛函理论(DFT)在B3LYP/6-31G(d)的水平上进行了几何构型的全优化,在此基础上探讨了分子结构和前线分子轨道能量等性质的变化规律,采用含时密度泛函理论(TD-DFT)计算了分子的电子跃迁性质,采用二维平面图... 对1,3-二氮杂薁类衍生物采用密度泛函理论(DFT)在B3LYP/6-31G(d)的水平上进行了几何构型的全优化,在此基础上探讨了分子结构和前线分子轨道能量等性质的变化规律,采用含时密度泛函理论(TD-DFT)计算了分子的电子跃迁性质,采用二维平面图和三维立体图来直观表示激发态的性质,研究分子内电子转移特性.跃迁密度矩阵的二维等高线图反映了电子-空穴相干性,三维跃迁密度图反映了跃迁偶极矩的方向和强度,三维电荷差异密度图说明了激发过程中分子内电子转移性质. 展开更多
关键词 1 3-二氮杂薁 分子内电子转移 跃迁密度 电荷差异密度 电子-空穴相干性
在线阅读 下载PDF
噻唑衍生物电子光谱和二阶非线性光学性质的理论研究 被引量:1
7
作者 谭回 马小华 +3 位作者 梁然 艾希成 孙萌涛 张建平 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期357-360,共4页
采用量子化学密度泛函方法(DFT)在B3LYP/6-31G(d)水平上对有机二阶非线性光学生色团(E)-2-(5-(4-(双(4-甲氧苯基)氨基)苯乙烯基)噻唑-5)三氰乙烯(TPA-Ti2-TCV)(1)和(E)-2-(5-(4-(双(4-甲氧苯基)氨基)苯乙烯基)噻唑-2)三氰乙烯(TPA-Ti5-T... 采用量子化学密度泛函方法(DFT)在B3LYP/6-31G(d)水平上对有机二阶非线性光学生色团(E)-2-(5-(4-(双(4-甲氧苯基)氨基)苯乙烯基)噻唑-5)三氰乙烯(TPA-Ti2-TCV)(1)和(E)-2-(5-(4-(双(4-甲氧苯基)氨基)苯乙烯基)噻唑-2)三氰乙烯(TPA-Ti5-TCV)(2)进行几何构型的完全优化,在优化所得构型的基础上,采用含时密度泛函方法(TDDFT)在6-31G(d)基组水平上计算了电子吸收光谱的跃迁性质.再采用有限场法(FF)在B3LYP/6-31G(d)水平上计算了分子的一阶超极化率β.计算结果表明,三芳胺在噻唑环上取代C5比取代C2有更大的一阶超极化率,这是由于噻唑的区域化学性导致ΔEHOMO-LUMO(TPA-Ti2-TCV)比ΔEHOMO-LUMO(TPA-Ti5-TCV)大很多造成的. 展开更多
关键词 噻唑 电子吸收光谱 一阶超极化率 密度泛函理论
在线阅读 下载PDF
在外电场作用下BaTiO_3单晶中铁电畴极化反转的透射电镜原位研究
8
作者 齐笑迎 段晓峰 《电子显微学报》 CAS CSCD 2006年第3期204-207,共4页
通过在样品表面施加电场,利用透射电子显微镜原位观察和研究了BaTiO3单晶中铁电畴的极化反转过程。结果表明,在外加电场作用下,铁电畴发生重新取向,其极化方向逐渐向着与电场方向平行的方向转变,当撤去电场后,又趋向于恢复到初始状态。
关键词 原位透射电子显微学 极化反转 铁电畴 BATIO3
在线阅读 下载PDF
国产SiC衬底上利用AlN缓冲层生长高质量GaN外延薄膜 被引量:10
9
作者 陈耀 王文新 +5 位作者 黎艳 江洋 徐培强 马紫光 宋京 陈弘 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期896-901,共6页
采用高温AlN作为缓冲层在国产SiC衬底上利用金属有机物化学气相外延技术生长GaN外延薄膜。通过优化AlN缓冲层的生长参数得到了高质量的GaN外延薄膜,其对称(0002)面和非对称(1012)面X射线衍射摇摆曲线的半峰宽分别达到130 arcsec和252 ar... 采用高温AlN作为缓冲层在国产SiC衬底上利用金属有机物化学气相外延技术生长GaN外延薄膜。通过优化AlN缓冲层的生长参数得到了高质量的GaN外延薄膜,其对称(0002)面和非对称(1012)面X射线衍射摇摆曲线的半峰宽分别达到130 arcsec和252 arcsec,这是目前报道的在国产SiC衬底上生长GaN最好的结果。文中研究了AlN缓冲层生长参数对GaN晶体质量的影响,还利用拉曼散射研究了GaN外延薄膜中的应力,发现具有越小X射线衍射摇摆曲线半峰宽的GaN外延薄膜受到的张应力也越小。 展开更多
关键词 GAN ALN SIC衬底 MOCVD X射线衍射
在线阅读 下载PDF
用200kV高分辨电子显微镜辨认3C-SiC中的硅和碳原子 被引量:1
10
作者 唐春艳 李方华 王蓉 《电子显微学报》 CAS CSCD 2007年第2期85-89,共5页
用200 kV六硼化镧灯丝的高分辨电子显微镜拍摄了外延生长在硅衬底的3C-SiC薄膜的[110]显微像。经过解卷处理和衍射振幅校正,把实验像转换为直接反映晶体投影结构的结构像,近邻Si、C原子柱显现为黑(灰)的像点对,即所谓的哑铃。测量了结... 用200 kV六硼化镧灯丝的高分辨电子显微镜拍摄了外延生长在硅衬底的3C-SiC薄膜的[110]显微像。经过解卷处理和衍射振幅校正,把实验像转换为直接反映晶体投影结构的结构像,近邻Si、C原子柱显现为黑(灰)的像点对,即所谓的哑铃。测量了结构像中不同厚度区域哑铃的灰度变化,分析了哑铃中二个端点的相对灰度值随厚度的变化关系,结合赝弱相位物体近似像衬理论进行分析,辨认出Si与C原子柱。 展开更多
关键词 高分辨电子显微像 解卷处理 赝弱相位物体近似像衬理论 3C-SiC薄膜
在线阅读 下载PDF
锌阳极原位固态电解质界面 被引量:1
11
作者 陈立泉 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2020年第8期21-22,共2页
锌离子电池具有巨大的成本和原料储量优势,有望突破铅酸电池的价格底线。此外,高安全、绿色环保等特点也符合国家战略需求和无铅化的发展趋势,有利于国家整体资源整合和利用,应用价值巨大。然而,阻碍其产业化的关键瓶颈主要在于锌阳极... 锌离子电池具有巨大的成本和原料储量优势,有望突破铅酸电池的价格底线。此外,高安全、绿色环保等特点也符合国家战略需求和无铅化的发展趋势,有利于国家整体资源整合和利用,应用价值巨大。然而,阻碍其产业化的关键瓶颈主要在于锌阳极再充电过程中的不均匀沉积及枝晶现象,严重制约锌电池的循环稳定性及效率。 展开更多
关键词 固态电解质 锌阳极 铅酸电池 锌离子电池 充电过程 国家战略需求 锌电池 循环稳定性
在线阅读 下载PDF
场发射枪透射电镜电子全息静电双棱镜二氧化硅细丝的制作
12
作者 杨新安 车仁超 +4 位作者 田焕芳 梁重云 卢江波 段晓峰 李建奇 《电子显微学报》 CAS CSCD 2007年第2期163-166,共4页
电子全息静电双棱镜二氧化硅细丝是在透射电子显微镜中进行电子全息实验的关键部件,目前国内尚不能制备。本文采用简单易行的方法,加工制作了镀金石英细丝,直径约1μm,并粘接在电子全息静电双棱镜的电极上,导电性良好,获得了条纹间距优... 电子全息静电双棱镜二氧化硅细丝是在透射电子显微镜中进行电子全息实验的关键部件,目前国内尚不能制备。本文采用简单易行的方法,加工制作了镀金石英细丝,直径约1μm,并粘接在电子全息静电双棱镜的电极上,导电性良好,获得了条纹间距优于0.2 nm的电子全息干涉图。 展开更多
关键词 电子全息 透射电子显微镜 光阑 电子全息干涉图
在线阅读 下载PDF
用200kV电子显微镜分辨Li1-xNbO2中的Nb和O原子
13
作者 王玉梅 李方华 +1 位作者 王蓉 车广灿 《电子显微学报》 CAS CSCD 2008年第3期173-178,共6页
在远离Scherzer聚焦条件下,用200 kV的高分辨电子显微镜拍摄了Li1-xNbO2(x≈0.7)高分辨像,再借助像解卷处理使之恢复为直接反映晶体投影结构的解卷像。在不同晶体厚度的解卷像上均能清楚地分辨间距为0.153nm的Nb和O原子柱,看不见Li原子... 在远离Scherzer聚焦条件下,用200 kV的高分辨电子显微镜拍摄了Li1-xNbO2(x≈0.7)高分辨像,再借助像解卷处理使之恢复为直接反映晶体投影结构的解卷像。在不同晶体厚度的解卷像上均能清楚地分辨间距为0.153nm的Nb和O原子柱,看不见Li原子。Nb和O原子的衬度随厚度变化的规律符合赝弱相位物体近似像衬理论。从像模拟得知,即使原始像的离焦量接近Scherzer聚焦条件,解卷处理也同样有助于提高像的质量,并分辨开单个的O原子柱。 展开更多
关键词 高分辨电子显微像 像解卷 赝弱相位物体近似理论 Li1-xNbO2
在线阅读 下载PDF
球差校正高分辨电子显微像的像衬和解卷处理
14
作者 万威 李方华 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期303-308,共6页
本工作将赝弱相位物体近似像衬理论延伸至球差校正高分辨电子显微像,分析了球差校正像的衬度随样品厚度的变化规律。指出非Scherzer聚焦条件下球差校正电镜拍摄的高分辨像仍未必反映晶体结构,讨论了解卷处理方法应用于球差校正像的有效... 本工作将赝弱相位物体近似像衬理论延伸至球差校正高分辨电子显微像,分析了球差校正像的衬度随样品厚度的变化规律。指出非Scherzer聚焦条件下球差校正电镜拍摄的高分辨像仍未必反映晶体结构,讨论了解卷处理方法应用于球差校正像的有效性,并以有I2型层错的GaN晶体为例,借助像模拟肯定了解卷处理能用于复原原子分辨率晶体缺陷的结构像。 展开更多
关键词 高分辨电子显微像 球差校正电子显微镜 赝弱相位物体像衬理论 解卷处理 GAN
在线阅读 下载PDF
Al-Cr二元合金中的一个新正交相O-Al11Cr2 被引量:1
15
作者 曹宝宝 郭可信 《电子显微学报》 CAS CSCD 2008年第3期179-184,共6页
通过透射电镜原位观察,发现单斜η-Al11Cr2相在800℃保温2 h后,其三个主带轴电子衍射图中的超点阵弱点逐渐减弱直至消失,且a轴和c轴所成的角度由91°变为90°。这些变化意味着单斜η-Al11Cr2相在加热后转变为一个新相,点阵参数... 通过透射电镜原位观察,发现单斜η-Al11Cr2相在800℃保温2 h后,其三个主带轴电子衍射图中的超点阵弱点逐渐减弱直至消失,且a轴和c轴所成的角度由91°变为90°。这些变化意味着单斜η-Al11Cr2相在加热后转变为一个新相,点阵参数为a≈1.2428 nm,b≈1.2658 nm,c≈3.0456 nm的体心正交相,命名为O-Al11Cr2。其[010]电子衍射图具有伪十次对称特点,因此也是一个十重对称准晶近似相。 展开更多
关键词 O-Al11Cr2 准晶近似相 透射电子显微学
在线阅读 下载PDF
n型Al_xGa_(1-x)N材料的电学和光学性质
16
作者 彭铭曾 张洁 +4 位作者 朱学亮 郭丽伟 贾海强 陈弘 周均铭 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2006年第11期1057-1059,共3页
文章介绍了无裂纹高导电性n型A lxGa1-xN的MOCVD生长及其电学、光学和表面形貌性质。通过A lN两步生长法,有效地解决了A lxGa1-xN外延薄膜易裂的难题。并且对其生长进行优化,减少了A lxGa1-xN外延薄膜中的受主补偿缺陷,从而实现了高导... 文章介绍了无裂纹高导电性n型A lxGa1-xN的MOCVD生长及其电学、光学和表面形貌性质。通过A lN两步生长法,有效地解决了A lxGa1-xN外延薄膜易裂的难题。并且对其生长进行优化,减少了A lxGa1-xN外延薄膜中的受主补偿缺陷,从而实现了高导电性的n型A lxGa1-xN薄膜,其载流子浓度为4.533×1018cm-3,并且电子迁移率高达77.5cm2/V.s,已经达到了目前国际上报道的先进水平。另外光学吸收谱说明A lxGa1-xN外延薄膜在302nm处具有陡峭的带边吸收,同时结合原子力显微镜分析材料的表面形貌,证实了材料表面光滑且平整。 展开更多
关键词 n型AlxGa1-xN MOCVD 导电性 光学吸收
在线阅读 下载PDF
硅基高质量氧化锌外延薄膜的界面控制
17
作者 王喜娜 梅增霞 +5 位作者 王勇 杜小龙 张晓娜 贾金锋 薛其坤 张泽 《电子显微学报》 CAS CSCD 2007年第6期570-575,共6页
本文利用反射式高能电子衍射(RHEED)、高分辨透射电镜和选区电子衍射方法,系统研究了Si(111)衬底上制备高质量氧化锌单晶薄膜的界面控制工艺。发现低温下Mg(0001)/Si(111)界面互扩散得到有效抑制,形成了高质量的单晶镁膜,进一步通过低... 本文利用反射式高能电子衍射(RHEED)、高分辨透射电镜和选区电子衍射方法,系统研究了Si(111)衬底上制备高质量氧化锌单晶薄膜的界面控制工艺。发现低温下Mg(0001)/Si(111)界面互扩散得到有效抑制,形成了高质量的单晶镁膜,进一步通过低温氧化法和分子束外延法实现了单晶MgO缓冲层的制备,从而为ZnO的外延生长提供了模板。在这一低温界面控制工艺中,Mg膜有效防止了Si表面的氧化,而MgO膜不仅为ZnO的成核与生长提供了优良的缓冲层,且极大地弛豫了由于衬底与ZnO之间的晶格失配所引起的应变。上述低温工艺也可用来控制其它活性金属膜与硅的界面,从而在硅衬底上获得高质量的氧化物模板。 展开更多
关键词 ZnO/Si界面 低温界面控制 MgO缓冲层 透射电镜 反射式高能电子衍射
在线阅读 下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部