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题名辐照对MOSFETs栅介质阈值电压漂移的影响研究
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作者
杨燚
赵凯
赵钰迪
董俊辰
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机构
北京信息科技大学智能芯片与网络研究院
北京大学微米纳米加工技术国家级重点实验室
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出处
《北京信息科技大学学报（自然科学版）》
2022年第1期40-44,共5页
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基金
北京市教委科研计划资助项目(KM202111232016)
北京信息科技大学“勤信人才”培育计划资助项目(QXTCP C202109)
北京信息科技大学校科研基金项目(2021XJJ20)。
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文摘
研究了铪基金属-氧化物半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor field effect transistors, MOSFETs)栅介质中陷阱诱导的退化和总剂量电离辐照效应。利用动力学蒙特卡洛模拟方法,研究了MOSFETs栅介质中本征缺陷的生长/复合、辐照诱导陷阱电荷和载流子的生成以及载流子俘获/发射等多种物理行为对阈值电压漂移的影响。结果显示MOSFETs阈值电压漂移主要受温度、辐照剂量和被钝化的悬挂键密度的影响。随着温度的升高,栅介质内产生新的缺陷参与载流子输运等行为,导致阈值电压漂移更加明显。辐照剂量很小时辐照效应相对较小,陷阱诱导的退化是主要的影响因素;随着辐照剂量的累积,辐照效应开始占主导地位并产生强烈的负向漂移;当辐照剂量累积到极高水平时,阈值电压漂移表现出反弹效应。
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关键词
高K栅介质
金属-氧化物半导体场效应晶体管
阈值电压漂移
总剂量辐照效应
动力学蒙特卡洛
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Keywords
high-k gate dielectric
metal oxide semiconductor field effect transistors(MOSFETs)
threshold voltage shifts
total ionizing dose(TID)effects
kinetic Monte Carlo(KMC)
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分类号
TN386.1
[电子电信—物理电子学]
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题名基于FPGA的短距离传输信号实时均衡器
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作者
张天宇
缪旻
孙剑
钟康平
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机构
北京信息科技大学智能芯片与网络研究院
北京信息科技大学光电测试技术及仪器教育部重点实验室
波亿光电子深圳有限公司
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出处
《北京信息科技大学学报（自然科学版）》
2022年第3期14-19,共6页
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基金
国家自然科学基金资助项目(62074017)。
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文摘
实时均衡系统中,训练和更新抽头系数会占用大量的现场可编程门阵列(field-programmable gate array, FPGA)内部资源,限制系统的吞吐量提升。基于最小均方误差算法,使用一种共享抽头系数的并行前馈均衡器(feed-forward equalizer, FFE)结构,通过在单一FFE单元进行训练和更新抽头系数,其他并行FFE单元共享抽头系数的方式优化均衡器的资源占用规模,使均衡器在保证高吞吐量的同时具备自适应信道变化的能力。在基于L-PIC;单片集成硅基光发射机400 Gbit/s CWDM PAM4传输系统中,选用Xilinx XC7VH580T FPGA器件对应采用的并行FFE结构进行仿真分析,通过并行212个FFE单元实现了对2 km传输的53 GBd PAM 4信号(接收机带宽35 GHz)实时均衡。
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关键词
现场可编程门阵列(FPGA)
前馈均衡器
并行结构
实时均衡
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Keywords
field-programmable gate array(FPGA)
feed-forward equalizer(FFE)
parallel structure
real time equalization
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分类号
TN929.11
[电子电信—通信与信息系统]
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