(Al,Zr)共掺杂ZnO透明导电薄膜的结构以及光电性能研究 被引量：10

1

作者 薛建设 林炜 +2 位作者 马瑞新 康勃 吴中亮 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2007年第5期560-564,共5页

用射频磁控溅射法在玻璃衬底上氩气气氛中制备出(Al,Zr)共掺杂的ZnO透明导电薄膜,研究了不同Zr掺杂浓度和薄膜厚度ZnO薄膜的结构、电学和光学特性。结果表明,在最佳沉积条件下我们制备出了具有(002)单一择优取向的多晶六角纤锌矿结构,... 用射频磁控溅射法在玻璃衬底上氩气气氛中制备出(Al,Zr)共掺杂的ZnO透明导电薄膜,研究了不同Zr掺杂浓度和薄膜厚度ZnO薄膜的结构、电学和光学特性。结果表明,在最佳沉积条件下我们制备出了具有(002)单一择优取向的多晶六角纤锌矿结构,电阻率为2.2×10-2Ω.cm,且可见光段(320～800nm)平均透过率达到85%的ZnO透明导电薄膜。在150℃的条件下对(Al,Zr)共掺杂的ZnO薄膜进行1h的退火处理,薄膜电阻率降低至8.4×10-3Ω.cm。Zr杂质的掺入改善了薄膜的可见光透光性。 展开更多

关键词 氧化锌 透明导电薄膜 电阻率 透光率 射频磁控溅射

在线阅读 下载PDF 职称材料

新型组装方式烧结纯PcBN材料

2

作者 邓福铭 王浩 +3 位作者 宋美娇 王涵 杨幸 张鹏 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2021年第1期27-31,共5页

为降低合成纯PcBN的温度和压力条件,改进合成腔体内的组装方式:使用横截面积更小的高导电型石墨管,采用双加热管设计和填充大尺寸的白云石。采用新型组装方式,在高温超高压条件下用粒度尺寸为10μm的cBN的微粉合成出纯聚晶立方氮化硼(Pc... 为降低合成纯PcBN的温度和压力条件,改进合成腔体内的组装方式:使用横截面积更小的高导电型石墨管,采用双加热管设计和填充大尺寸的白云石。采用新型组装方式,在高温超高压条件下用粒度尺寸为10μm的cBN的微粉合成出纯聚晶立方氮化硼(PcBN)烧结体。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)对烧结体的微观形貌和物相进行分析,同时测试烧结体的致密性、显微硬度以及抗压强度。结果表明:采用新型组装方式可在相对较低的烧结温度下得到性能良好的纯PcBN样品。在压力为7.5 GPa,温度为1700℃下烧结得到的纯PcBN的组织结构致密度最好,其硬度达到了3992.7 Hv,高于传统PcBN材料的硬度,且样品中形成大量的cBN–cBN颗粒间键合,有效提升了烧结体的综合性能。 展开更多

关键词 纯PcBN 组装方式 高温高压 硬度

在线阅读 下载PDF 职称材料

北京市电子工业VOCs排放特征及行业排放强度对比 被引量：10

3

作者 崔阳阳 周震 +5 位作者 闫静 李家毅 全京 曹西子 丁淮剑 薛亦峰 《环境科学研究》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第6期1287-1294,共8页

为更好地掌握北京市电子工业挥发性有机物(VOCs)排放特征及其与其他溶剂使用行业的排放差异,为工业结构调整提供启发和建议,通过实际监测,识别电子工业有组织和无组织VOCs排放水平,采用产污系数法并结合集气效率和去除效率,核算得到201... 为更好地掌握北京市电子工业挥发性有机物(VOCs)排放特征及其与其他溶剂使用行业的排放差异,为工业结构调整提供启发和建议,通过实际监测,识别电子工业有组织和无组织VOCs排放水平,采用产污系数法并结合集气效率和去除效率,核算得到2019年北京市电子工业VOCs排放量及各子行业的排放贡献,并与其他典型溶剂使用行业的VOCs排放强度进行了对比.结果表明:电子工业VOCs产生主要集中在光刻、清洗、剥离、显影等环节,使用的有机溶剂主要包括光刻胶、稀释剂、清洗剂和去除剂,分别约占3%、81%、6%和10%,其中约16%以废气形式排入大气.核算得到2019年北京市电子工业VOCs排放量为1542 t,主要来自显示器件和集成电路行业,分别贡献了71%和18%,与其产量和有机溶剂使用量较大有关,电子专用材料制造和其他行业则分别贡献了3.2%和7.8%.通过与其他典型溶剂使用行业排放强度对比发现,电子工业单位产值VOCs排放强度较低,是家具制造、印刷等传统溶剂使用行业的12750和13250,说明北京市工业结构调整和优化对于减少污染排放具有重要作用.研究显示,可综合城市发展及经济水平,逐步限制发展高排放工业类别,鼓励发展如电子工业等技术密集型和附加值高的行业类别,从而促进城市空气质量的改善. 展开更多

关键词 电子工业 VOCS 排放强度 溶剂使用 工业结构调整

在线阅读 下载PDF 职称材料

RGBW液晶显示中的像素极性排布方式解析 被引量：1

4

作者 于洁 李鹏涛 +5 位作者 王春华 佟泽源 韩锐 马青 尹大根 张阳阳 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2020年第5期444-448,共5页

为提升RGBW液晶显示模组的显示质量,通过对RGBW液晶显示模组进行数据测试和理论分析验证,得到提升RGBW液晶显示质量的方案。通过FPGA信号转换算法同时搭配RGBW玻璃,产出透过率增加50%的车载液晶显示模组。由于彩膜(CF)进行了重新设计修... 为提升RGBW液晶显示模组的显示质量,通过对RGBW液晶显示模组进行数据测试和理论分析验证,得到提升RGBW液晶显示质量的方案。通过FPGA信号转换算法同时搭配RGBW玻璃,产出透过率增加50%的车载液晶显示模组。由于彩膜(CF)进行了重新设计修改,模组发生交叉串扰、色偏以及横纹闪烁等不良,通过测试不同极性反转驱动对应的波形,以及CF排列组合,得出产生问题的原因。结果表明,RGBW液晶显示中的像素极性排列需要与CF匹配,否则将发生交叉串扰、色偏以及横纹不良。液晶像素设计中同行同色像素的极性需要正负平衡,否则将使模组显示质量下降。 展开更多

关键词 车载显示 RGBW模组 极性排布

在线阅读 下载PDF 职称材料

光-电协同调控的高反射率全彩色液晶器件 被引量：2

5

作者 曾爽爽 林海一 +5 位作者 刘涛 侯丹星 王家星 车春城 武晓娟 郭金宝 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2024年第3期338-348,共11页

本文利用光-电协同调控的方法获得了具有高反射率、全彩色显示的倾斜螺旋胆甾相(ChOH)器件。在液晶体系中引入一种具有左旋旋向的手性光开关switch 1,并基于相反旋向手性添加剂的手性抵消原则,使用R811来平衡switch 1发生光致Z/E异构化... 本文利用光-电协同调控的方法获得了具有高反射率、全彩色显示的倾斜螺旋胆甾相(ChOH)器件。在液晶体系中引入一种具有左旋旋向的手性光开关switch 1,并基于相反旋向手性添加剂的手性抵消原则,使用R811来平衡switch 1发生光致Z/E异构化前后螺旋扭曲力上的差异,使体系在光照前后对其施加相同的电场强度可以反射具有相反旋向且相同波段的红-绿-蓝三色光。在此基础上,构筑了双层结构的液晶器件,对材料进行分层光-电刺激,诱导上层螺旋结构翻转,可在双层结构中分别形成左右旋结构,从而具有全反射效应,在双层ChOH液晶器件中反射率提升约60%。本研究为制备具有高反射率的全彩色电子纸器件提供了新思路,同时也为光开关材料在液晶器件中的应用提供了有益的探索。 展开更多

关键词 倾斜螺旋胆甾相 宽光谱调谐 手性光开关 手性翻转 光-电调控

在线阅读 下载PDF 职称材料

一种TFT-LCD Vertical Block Mura的研究与改善 被引量：26

6

作者 吴洪江 王威 龙春平 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期433-439,共7页

在TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display)以及其他显示器件产品中,Mura是一种比较常见的不良现象,它可以直接影响到产品的画面品质。文章结合生产工艺的实际情况,采用MM,CD,EPM,SEM,FIB等检测设备,对一种Vertical Block... 在TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display)以及其他显示器件产品中,Mura是一种比较常见的不良现象,它可以直接影响到产品的画面品质。文章结合生产工艺的实际情况,采用MM,CD,EPM,SEM,FIB等检测设备,对一种Vertical Block Mura进行了大量的实验测试、数据分析和理论研究工作,特别是对其产生的原因创新性地提出了两种方向上的理论观点。通过加强设备科学管理监控,减小耦合电容效应等一系列改善措施,产品质量得到了很大程度的提升,Vertical Block Mura从改善前的26.1%降到了1.3%,从而使Vertical Block Mura得以改善,很大程度地提高了产品的品质,并为今后相关问题的进一步研究和解决奠定了一定的理论基础。 展开更多

关键词 TFT-LCD Mura 抖动 耦合电容 画面品质

在线阅读 下载PDF 职称材料

非晶硅TFT栅界面层氮化硅薄膜性能的研究 被引量：12

7

作者 谢振宇 龙春平 +1 位作者 邓朝勇 林承武 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期341-345,共5页

采用傅里叶变换红外光谱仪、椭偏仪和YAF-5000M等测试仪器,对薄膜晶体栅界面层的键结构及含量、光学性能、物理性能以及晶体管导电性能进行分析研究。重点讨论了键含量与薄膜禁带宽度和介电常数的关系。结果表明:提高栅界面层N-H键含量... 采用傅里叶变换红外光谱仪、椭偏仪和YAF-5000M等测试仪器,对薄膜晶体栅界面层的键结构及含量、光学性能、物理性能以及晶体管导电性能进行分析研究。重点讨论了键含量与薄膜禁带宽度和介电常数的关系。结果表明:提高栅界面层N-H键含量(或减少Si-H键含量)能提高光禁带宽度和相对介电常数。栅界面层能改善非晶氮化硅薄膜和非晶硅薄膜的界面性能,提高薄膜晶体管的稳定性和场效应迁移率。 展开更多

关键词 栅界面层 氮化硅 光禁带宽度 介电常数 导通电流

在线阅读 下载PDF 职称材料

使用低电阻金属铝制造薄膜晶体管阵列信号电极 被引量：8

8

作者 刘翔 陈旭 +2 位作者 谢振宇 高浩然 王威 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期533-536,共4页

金属电阻是影响大尺寸TFT-LCD信号延迟的关键因素。研究了利用低电阻率金属Al制作大尺寸TFT阵列信号线的生产工艺,发现在完成有源半导体层刻蚀后残留的少量Cl2会在后续工艺中对金属Al造成腐蚀,严重地影响了产品的性能。通过优化刻蚀工艺... 金属电阻是影响大尺寸TFT-LCD信号延迟的关键因素。研究了利用低电阻率金属Al制作大尺寸TFT阵列信号线的生产工艺,发现在完成有源半导体层刻蚀后残留的少量Cl2会在后续工艺中对金属Al造成腐蚀,严重地影响了产品的性能。通过优化刻蚀工艺,采用活性更高的SF6去除刻蚀有源半导体层时残留的少量Cl2,避免了金属Al腐蚀的发生。 展开更多

关键词 薄膜晶体管 铝 腐蚀 刻蚀

在线阅读 下载PDF 职称材料

薄膜晶体管阵列四次光刻工艺中光刻胶灰化工艺的研究 被引量：7

9

作者 刘翔 王章涛 +2 位作者 崔祥彦 邓振波 邱海军 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期183-187,共5页

光刻胶灰化是薄膜晶体管四次光刻工艺的核心工艺之一。初步研究了用纯O2对光刻胶进行灰化的工艺,影响光刻胶灰化的主要因素有功率、气压和灰化气体的流量,经过一组正交实验,得到了功率、气压、灰化气体的流量对光刻胶的灰化速率和均匀... 光刻胶灰化是薄膜晶体管四次光刻工艺的核心工艺之一。初步研究了用纯O2对光刻胶进行灰化的工艺,影响光刻胶灰化的主要因素有功率、气压和灰化气体的流量,经过一组正交实验,得到了功率、气压、灰化气体的流量对光刻胶的灰化速率和均匀度的影响趋势。结果表明,功率是影响灰化速率的主要因素。通过不断地优化光刻胶的灰化条件,最终得到了理想的灰化条件,即功率为10500W,气压为26.7Pa,O2的流量为2000mL/min,灰化时间为91s。 展开更多

关键词 薄膜晶体管 四次光刻 光刻胶 灰化

在线阅读 下载PDF 职称材料

TFT-LCD面影像残留改善研究 被引量：11

10

作者 彭毅雯 徐伟 +1 位作者 罗毅 韩彦军 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期66-69,共4页

影像残留是一种TFT-LCD屏的固有特性。主要是由于长时间显示静态画面时液晶材料的极化敏感性造成的。这种极化影响了液晶材料的光学特性,并阻止液晶分子完全恢复到正常松弛状态。本文主要探讨了通过改变TFT设计来改善面影像残留现象的... 影像残留是一种TFT-LCD屏的固有特性。主要是由于长时间显示静态画面时液晶材料的极化敏感性造成的。这种极化影响了液晶材料的光学特性,并阻止液晶分子完全恢复到正常松弛状态。本文主要探讨了通过改变TFT设计来改善面影像残留现象的方案。通过设计实验变更TFT-LCD的主要参数(Pixel设计、Aperture Ratio、ΔVp等),提出了4种面影像残留改善方案并制作了样品。对这4种改善方案的试制样品进行了TFT-LCD面影像残留水平测量和评价,分析了各像素设计因素对面影像残留水平的影响;同时对试制样品的画面品质进行了评价,为解决相关画面品质问题对该方案进行了设计优化,最终获得了一种较佳的面影像残留改善方案。 展开更多

关键词 液晶显示器 影像残留 存储电容

在线阅读 下载PDF 职称材料

TFT-LCD器件氧化铟锡层无退火工艺研究 被引量：5

11

作者 张家祥 卢凯 +8 位作者 郭建 姜晓辉 崔玉琳 王亮 阎长江 曲连杰 陈旭 闵泰烨 苏顺康 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期55-59,共5页

对TFT-LCD器件氧化铟锡(ITO)层无退火新工艺进行了深入研究,通过将氧化铟锡相变与聚酰亚胺(PI)膜固化过程同步进行,简化了工艺过程,节约了生产成本。采用无退火工艺氧化铟锡膜层的平均电阻值和膜层透过率与传统高温退火工艺下基本相同,... 对TFT-LCD器件氧化铟锡(ITO)层无退火新工艺进行了深入研究,通过将氧化铟锡相变与聚酰亚胺(PI)膜固化过程同步进行,简化了工艺过程,节约了生产成本。采用无退火工艺氧化铟锡膜层的平均电阻值和膜层透过率与传统高温退火工艺下基本相同,可以实现低的电阻值和高的透过率。无退火工艺下PI膜表面平整均匀,氧化铟锡膜与PI膜界面结合良好,无鼓包、麻点等,也没有反应产物生成;经过TFT特性测试发现,无退火工艺比高温退火工艺条件下,无论暗态还是光照状态,开电流没有明显区别,漏电流可降低44%;通过无退火工艺和传统高温退火工艺制备的液晶显示屏的V-T特性相同。 展开更多

关键词 无退火工艺 透过率 氧化铟锡层 TFT特性

在线阅读 下载PDF 职称材料

高速沉积氮化硅薄膜对其化学键及性能的影响 被引量：5

12

作者 谢振宇 龙春平 +1 位作者 邓朝勇 胡文成 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期26-31,共6页

采用等离子增强型化学气相沉积法(RF-PECVD),源气体为NH3/SiH4/N2的混合气体,在330℃的温度下沉积a-SiNx∶H薄膜。研究表明在反应气体流量一定的情况下,反应腔气压对薄膜沉积速率影响最大。采用Fourier红外吸收光谱技术分析a-SiNx∶H薄... 采用等离子增强型化学气相沉积法(RF-PECVD),源气体为NH3/SiH4/N2的混合气体,在330℃的温度下沉积a-SiNx∶H薄膜。研究表明在反应气体流量一定的情况下,反应腔气压对薄膜沉积速率影响最大。采用Fourier红外吸收光谱技术分析a-SiNx∶H薄膜中化学键结构,随着沉积速率的提高,薄膜的化学键结构发生变化,N—H键含量和氮含量增大,Si—H键含量和氢含量降低。薄膜沉积速率是影响薄膜物理和光学性质的重要工艺参数。禁带宽度(E04)主要受薄膜中氮原子含量的调制,随着沉积速率增大,氮原子含量增大。另外,介电常数和折射系数则随之增大。最后得到满足薄膜晶体管性能要求的最佳工艺参数。 展开更多

关键词 氢化非晶氮化硅 沉积速率 禁带宽度 介电常数 反射系数

在线阅读 下载PDF 职称材料

液晶阵列四次光刻工艺中光刻胶灰化工艺的研究 被引量：5

13

作者 刘翔 王章涛 +2 位作者 崔祥彦 邓振波 邱海军 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期291-294,共4页

光刻胶的灰化是TFT四次光刻工艺的核心工艺之一,本文研究了TFT四次光刻工艺中光刻胶的灰化工艺,得到了功率、气压、灰化气体对光刻胶灰化速率和均匀度的影响趋势。研究表明,纯O2气体对光刻胶有很好的灰化作用,但其会导致下一层金属Mo的... 光刻胶的灰化是TFT四次光刻工艺的核心工艺之一,本文研究了TFT四次光刻工艺中光刻胶的灰化工艺,得到了功率、气压、灰化气体对光刻胶灰化速率和均匀度的影响趋势。研究表明,纯O2气体对光刻胶有很好的灰化作用,但其会导致下一层金属Mo的表面发生氧化,从而阻止下层金属的刻蚀。在灰化气体中加入少量SF6,能有效地去除生成的金属氧化物,提高下层金属的刻蚀速率。在优化的灰化工艺条件下,制作的TFT具有良好的电学特性。 展开更多

关键词 薄膜晶体管 灰化 四次光刻 光刻胶

在线阅读 下载PDF 职称材料

未确认Mura分析及改善对策 被引量：9

14

作者 徐伟 彭毅雯 肖光辉 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期612-615,共4页

未确认Mura是一种能够影响TFT-LCD画面品质的不良。文章对未确认Mura不良进行了详细的分析,认为扇形区域出现有源层残留是导致未确认Mura不良发生的原因,介绍了一种通过变更曝光工艺条件来解决此种不良的方法,并通过试验论证了此方法的... 未确认Mura是一种能够影响TFT-LCD画面品质的不良。文章对未确认Mura不良进行了详细的分析,认为扇形区域出现有源层残留是导致未确认Mura不良发生的原因,介绍了一种通过变更曝光工艺条件来解决此种不良的方法,并通过试验论证了此方法的量产可行性。 展开更多

关键词 未确认Mura 扇形区域 有源层残留 曝光工艺条件

在线阅读 下载PDF 职称材料

栅极绝缘层工艺优化对氢化非晶硅TFT特性的改善 被引量：6

15

作者 张金中 张文余 +2 位作者 谢振宇 陈旭 闵泰烨 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第11期991-995,共5页

在TFT小型化趋势下,需要进一步提高氢化非晶硅薄膜晶体管的TFT特性,尤其是开态电流特性。本文结合生产实际,阐述了工艺上改善氢化非晶硅开态电流特性的方法,包括提高单位面积栅绝缘层电容和改善载流子迁移率。实验结果表明,降低高速沉... 在TFT小型化趋势下,需要进一步提高氢化非晶硅薄膜晶体管的TFT特性,尤其是开态电流特性。本文结合生产实际,阐述了工艺上改善氢化非晶硅开态电流特性的方法,包括提高单位面积栅绝缘层电容和改善载流子迁移率。实验结果表明,降低高速沉积栅绝缘层的气压和厚度,能有效提高单位面积栅极绝缘层电容。增加低速沉积栅绝缘层的Si/N比及优化氢等离子体处理工艺,可以有效改善载流子迁移率。 展开更多

关键词 栅极绝缘层 氢化非晶硅 界面处理 TFT特性 等离子增强化学气相沉积

在线阅读 下载PDF 职称材料

TFT-LCD阵列腐蚀性缺陷分析(英文) 被引量：5

16

作者 李丽 秦纬 +1 位作者 薛建设 彭志龙 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期29-33,共5页

在TFT-LCD的生产过程中,阵列金属被腐蚀是造成TFT-LCD产品缺陷(亮线、薄亮线等)的常见原因。文章对实际生产过程中阵列基板的一种典型腐蚀性缺陷,应用扫描电子显微镜(SEM)、聚焦离子束(FIB)和能谱仪(EDS)等工具,并且结合BO(Business Obj... 在TFT-LCD的生产过程中,阵列金属被腐蚀是造成TFT-LCD产品缺陷(亮线、薄亮线等)的常见原因。文章对实际生产过程中阵列基板的一种典型腐蚀性缺陷,应用扫描电子显微镜(SEM)、聚焦离子束(FIB)和能谱仪(EDS)等工具,并且结合BO(Business Objects)、CIM(Computer Integrated Manufacturing)等数据统计软件进行了分析。确定了造成缺陷的原因是栅金属暴露在含氯元素的酸性气体中被腐蚀,还确定了酸性气体的泄露源,并且推断出其形成机理:腐蚀发生在栅金属刻蚀(Gate Etch)工艺和多层膜沉积(Multi-Deposition)工艺之间,随后的多层膜沉积工艺的抽真空过程促进了缺陷的进一步形成。另外,针对发生此种缺陷时的应急措施进行了探讨。 展开更多

关键词 TFT-LCD 阵列 腐蚀 缺陷分析 SEM

在线阅读 下载PDF 职称材料

钝化层沉积工艺对过孔尺寸减小的研究 被引量：4

17

作者 李田生 谢振宇 +5 位作者 张文余 阎长江 徐少颖 陈旭 闵泰烨 苏顺康 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期493-498,共6页

为了适应TFT-LCD小型化与窄边框化以及在面板布线精细化的趋势,提高工艺设计富裕量以及增加面板的实际利用率,研究了通过改变钝化层(PVX)的沉积工艺来减小液晶面板阵列工艺中连接像素电极与漏极的过孔(VIA)尺寸的方案,通过设计实验考察... 为了适应TFT-LCD小型化与窄边框化以及在面板布线精细化的趋势,提高工艺设计富裕量以及增加面板的实际利用率,研究了通过改变钝化层(PVX)的沉积工艺来减小液晶面板阵列工艺中连接像素电极与漏极的过孔(VIA)尺寸的方案,通过设计实验考察了影响过孔大小的钝化层的主要影响因素(黑点、倒角、顶层钝化层沉积厚度,顶层钝化层沉积压力),得出了在不改变原有刻蚀方式基础之上使过孔的尺寸降低20%～30%的优化方案,并对其进行了电学性能评价(Ion:开态电流、Ioff:关态电流、Vth:阈值电压、Mobility:迁移率),从而获得了较佳的减小过孔尺寸的方案,提高了产品品质。 展开更多

关键词 钝化层 刻蚀 过孔

在线阅读 下载PDF 职称材料

栅极绝缘层和有源层沉积工艺的优化对TFT特性的影响研究 被引量：4

18

作者 田宗民 陈旭 +5 位作者 张金中 张文余 谢振宇 郭建 姜晓辉 闵泰烨 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第1期32-37,共6页

通过对低速沉积的栅极绝缘层(GL层)和低速沉积的有源层(AL层)的薄膜沉积条件进行了优化,分析了沉积AL层的功率,间距等条件的变更对薄膜的沉积速率和均匀性的影响,解释这些工艺条件对I on的影响的本质,确定最佳的沉积AL层的沉积条件;调整... 通过对低速沉积的栅极绝缘层(GL层)和低速沉积的有源层(AL层)的薄膜沉积条件进行了优化,分析了沉积AL层的功率,间距等条件的变更对薄膜的沉积速率和均匀性的影响,解释这些工艺条件对I on的影响的本质,确定最佳的沉积AL层的沉积条件;调整了GL层的功率和NH3流量,分析了两者对I on的影响规律并分析了内在的原因。通过对比优化前后的薄膜晶体管(TFT)特性曲线发现,I on提升了32%,开关比(I on/I off)提升了约40%,达到了优化TFT特性的目的。 展开更多

关键词 栅极绝缘层 有源层 沉积条件优化 TFT特性

在线阅读 下载PDF 职称材料

TFT-LCD器件Al电极TFT特性研究 被引量：3

19

作者 张家祥 王彦强 +9 位作者 卢凯 张文余 王凤涛 冀新友 王亮 张洁 王琪 刘琨 李良杰 李京鹏 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2017年第6期433-437,共5页

本文对Mo/Al/Mo作为TFT-LCD器件源/漏极的TFT特性进行了研究。与单层Mo相比,存在沟道界面粗糙,I_(off)偏大问题,通过优化膜层结构,改善界面状态,得到了平整的沟道界面和良好的TFT特性。增加Bottom Mo的厚度,可以有效减少Al的渗透,防止Al... 本文对Mo/Al/Mo作为TFT-LCD器件源/漏极的TFT特性进行了研究。与单层Mo相比,存在沟道界面粗糙,I_(off)偏大问题,通过优化膜层结构,改善界面状态,得到了平整的沟道界面和良好的TFT特性。增加Bottom Mo的厚度,可以有效减少Al的渗透,防止Al-Si化合物的形成,得到界面平整的沟道;N^+刻蚀后SF6处理对特性影响不大,增加刻蚀时间可以使I_(on)和I_(off)同时降低;PVX沉积前处理气体N_2+NH_3与H_2区别不大,都可以减少沟道缺陷,而增加H_2处理时间会增强等离子的轰击作用,减少了沟道表面Al-Si化合物,但处理时间过长可能会使沟道缺陷增加;采用bottom Mo加厚,N^+刻蚀以及PVX沉积前处理等最优条件,可以得到沟道界面良好,TFT特性与单层Mo相当的TFT器件。 展开更多

关键词 沟道界面 漏电流 AL电极 TFT特性

在线阅读 下载PDF 职称材料

栅绝缘层过孔的反应离子刻蚀研究 被引量：3

20

作者 姜晓辉 田宗民 +9 位作者 李田生 张家祥 王亮 沈奇雨 崔玉琳 侯学成 郭建 陈旭 谢振宇 闵泰烨 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期278-281,共4页

为了适应薄膜晶体管液晶显示器窄边框化以及面板布线精细化的趋势,以及利用较少光刻次数生产出高品质的产品,本文研究了利用反应离子刻蚀栅绝缘层过孔。介绍了栅绝缘层过孔刻蚀的原理,通过实验以及测试研究与分析了刻蚀过刻量、刻蚀反... 为了适应薄膜晶体管液晶显示器窄边框化以及面板布线精细化的趋势,以及利用较少光刻次数生产出高品质的产品,本文研究了利用反应离子刻蚀栅绝缘层过孔。介绍了栅绝缘层过孔刻蚀的原理,通过实验以及测试研究与分析了刻蚀过刻量、刻蚀反应压力以及刻蚀气体比例等因素对栅绝缘层过孔刻蚀坡度角的影响。实验结果表明:当SF6气体比例为M3、反应压强为p3,制备的栅绝缘过孔坡度角较理想。 展开更多

关键词 栅绝缘层过孔 反应离子刻蚀 过刻量 气体比例

在线阅读 下载PDF 职称材料