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电子传输层PBD对Alq_3∶DCJTB电致发光器件的影响(英文) 被引量:18
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作者 贾勇 邓振波 +4 位作者 肖静 徐登辉 陈征 刘翔 吕昭月 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期23-26,共4页
以PBD为电子传输层制作了一组掺杂型有机电致发光器件,并研究了掺杂器件中PBD对器件的光谱、亮度等的影响。发现PBD与NPB和DCJTB分别掺杂的器件的光谱与其它的器件不同,然后运用了载流子的注入、传输及PBD的传输特性等方法对光谱做出了... 以PBD为电子传输层制作了一组掺杂型有机电致发光器件,并研究了掺杂器件中PBD对器件的光谱、亮度等的影响。发现PBD与NPB和DCJTB分别掺杂的器件的光谱与其它的器件不同,然后运用了载流子的注入、传输及PBD的传输特性等方法对光谱做出了合理的解释,并运用高斯截谱的方法分析了各个发光峰的产生原因。 展开更多
关键词 PBD 电子传输层 激基复合物 有机电致发光
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聚合物/TiO_2分层光电导型器件的电荷传输特性 被引量:2
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作者 靳辉 滕枫 +2 位作者 孟宪国 侯延冰 徐征 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期577-582,共6页
研究了聚合物PVK与TiO2分层光电导器件的电荷传输特性,分别比较了两种器件:器件S1(ITO/TiO2/PVK/Al)和器件S2(ITO/PVK/TiO2/Al)。实验发现,器件S1的暗电流远小于器件S2的暗电流,S1的正向峰值光电流约是其反向峰值光电流的4倍,而S2的正... 研究了聚合物PVK与TiO2分层光电导器件的电荷传输特性,分别比较了两种器件:器件S1(ITO/TiO2/PVK/Al)和器件S2(ITO/PVK/TiO2/Al)。实验发现,器件S1的暗电流远小于器件S2的暗电流,S1的正向峰值光电流约是其反向峰值光电流的4倍,而S2的正向和反向峰值光电流都基本与S1的反向峰值光电流相近。这是由于PVK/TiO2界面处有效的电荷转移、恰当的电荷传输层、器件各层间能级匹配及其与电极功函数的匹配影响了光电流的强度大小。由此判断,器件S1的性能要优于器件S2。随电压的增大,S1结构的光电导响应谱在短波区域的拖尾增大,而S2结构几乎没有拖尾,这可能是两种结构的吸收和陷阱能级的差别造成的。 展开更多
关键词 电荷传输 光电导 二氧化钛 暗电流 电致发光 半导体材料 拖尾 陷阱能级 吸收能级
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4-乙烯基吡啶对电子纸用电泳粒子形貌的影响 被引量:3
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作者 冯宇光 滕枫 黄世华 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2010年第5期649-655,共7页
基于双官能团单体4-乙烯基吡啶的特性,以甲醇为介质利用沉淀聚合法合成出二乙烯基苯-苯乙烯-4-乙烯基吡啶三元共聚圆球形产物。通过DSC检测,未发现玻璃化温度。TG的一阶微分曲线随着反应物用量的变化呈现规律性变化,并检测到吡啶基覆盖... 基于双官能团单体4-乙烯基吡啶的特性,以甲醇为介质利用沉淀聚合法合成出二乙烯基苯-苯乙烯-4-乙烯基吡啶三元共聚圆球形产物。通过DSC检测,未发现玻璃化温度。TG的一阶微分曲线随着反应物用量的变化呈现规律性变化,并检测到吡啶基覆盖在微球表面。FT-IR测试到属于二乙烯基苯和苯乙烯的吸收峰770~875cm-1和1450~1725cm-1,属于吡啶基的吸收峰1600cm-1,进一步证实了产物的结构。利用SEM图片对微球粒径和形貌变化规律进行分析,证实了三元共聚圆形微球的存在,并初步判断了微球形貌形成的机理,进而断定影响本聚合反应产物形貌的主要原因是4-乙烯基吡啶与甲醇之间的分子间作用力。据以上研究为基础,实现了产物微球在适当介质中的电泳性能,并发现zeta电位随微球半径的变化呈现一定的规律。 展开更多
关键词 自由基沉淀聚合 氢键 4-乙烯基吡啶 电泳
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TFT用掩模版与TFT-LCD阵列工艺 被引量:13
4
作者 李文波 王刚 +4 位作者 张卓 胡望 刘宏宇 邵喜斌 徐征 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第6期522-526,559,共6页
薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)产业经过20年的发展,其规模已经远远超出10年前的预想,技术发展也呈现出加速进步的趋势。各种新一代光刻技术的出现显著提升了掩模版的制作精度,对其市场价格也造成了不小的冲击。在TFT-LCD阵列基板制造方... 薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)产业经过20年的发展,其规模已经远远超出10年前的预想,技术发展也呈现出加速进步的趋势。各种新一代光刻技术的出现显著提升了掩模版的制作精度,对其市场价格也造成了不小的冲击。在TFT-LCD阵列基板制造方面,4掩模版光刻工艺技术逐渐成为当今主流,而3掩模版光刻工艺因其技术难度大、良品率低,目前还掌握在少数几家TFT-LCD厂商手中。通过对掩模版的国内外市场行情、技术进展以及掩模版数目与TFT-LCD阵列工艺的关系作全面的阐述,指出加强TFT-LCD掩模版等配套材料的自主研发、采用更加先进的制造技术是简化生产工艺、降低生产成本的有效手段,也是我国TFT-LCD产业下一步努力发展的方向。 展开更多
关键词 掩模版 薄膜晶体管液晶显示器 阵列工艺 技术进展 市场行情
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晶体硅太阳电池表面钝化技术 被引量:16
5
作者 陈伟 贾锐 +6 位作者 张希清 陈晨 武德起 李昊峰 吴大卫 陈宝钦 刘新宇 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2011年第2期118-127,共10页
介绍了晶体硅太阳电池表面钝化技术的发展历程,表面钝化膜在晶体硅太阳电池中所起的作用,以及晶体硅太阳电池中各种钝化膜和表面钝化技术。阐述了国内和国际对晶体硅太阳电池表面钝化技术的最新研究动态,重点论述了SiO2,SiNx,SiCx和Al2... 介绍了晶体硅太阳电池表面钝化技术的发展历程,表面钝化膜在晶体硅太阳电池中所起的作用,以及晶体硅太阳电池中各种钝化膜和表面钝化技术。阐述了国内和国际对晶体硅太阳电池表面钝化技术的最新研究动态,重点论述了SiO2,SiNx,SiCx和Al2O3,以及这些钝化膜的叠层钝化技术的优缺点。在此基础上进一步指出SiO2/SiNx叠层钝化膜将成为今后工业化生产的研究重点,Al2O3及其叠层钝化膜将成为今后实验室的研究重点,由于表面钝化是提高晶体硅太阳电池转换效率最有效的手段之一,今后晶体硅太阳电池表面钝化技术仍将是国内和国际研究的热点问题之一。 展开更多
关键词 太阳电池 钝化 减反特性 转换效率 表面复合 叠层钝化膜
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氨基酸稳定的CdSe纳米晶对溶菌酶进行荧光标记 被引量:7
6
作者 封宾 滕枫 +3 位作者 唐爱伟 王琰 侯延冰 王永生 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期421-424,I0002,共5页
利用氨基酸中惟一带有巯基的L-半胱氨酸盐酸盐(L-Cys)作为稳定剂在水相体系中合成CdSe纳米晶,通过表面包覆的L-Cys与生物试剂溶菌酶进行结合,实现CdSe纳米晶对溶菌酶的荧光标记。利用TEM、荧光光谱仪及荧光显微镜等多种手段对样品的... 利用氨基酸中惟一带有巯基的L-半胱氨酸盐酸盐(L-Cys)作为稳定剂在水相体系中合成CdSe纳米晶,通过表面包覆的L-Cys与生物试剂溶菌酶进行结合,实现CdSe纳米晶对溶菌酶的荧光标记。利用TEM、荧光光谱仪及荧光显微镜等多种手段对样品的结构、形貌及光学性能进行表征。试验结果表明,利用L-Cys为稳定剂合成的CdSe纳米晶具有较强的生物活性,L-Cys本身所带的氨基和羧基可以和多种生物试剂通过不同途径进行结合。对溶菌酶(Lys)标记前后,CdSe纳米晶的发射光谱的峰位发生微小红移,大约为2nm,半峰全宽基本保持不变,在40-50nm之间,荧光强度随所标记的Lys浓度的不同均发生明显增强。所有特性均表明实验所合成的CdSe纳米晶在生物标记方面具有很好的实用价值。 展开更多
关键词 L-半胱氨酸盐酸盐 CDSE纳米晶 发光材料 荧光标记 溶菌酶
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Ir(PPY)_3掺杂PVK的电致发光机理 被引量:10
7
作者 李云白 滕枫 +2 位作者 徐征 侯延冰 徐叙 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期633-638,共6页
近几年来发展起来的电致磷光(electrophosphorescence)是有机发光二极管(OLED)研究的新生长点。对电致磷光发光机理的研究随即得到了人们普遍的关注。比较了不同正向偏压条件下Ir(PPY)3掺杂聚乙烯基咔唑(PVK)的光致发光(PL)和电致发光(... 近几年来发展起来的电致磷光(electrophosphorescence)是有机发光二极管(OLED)研究的新生长点。对电致磷光发光机理的研究随即得到了人们普遍的关注。比较了不同正向偏压条件下Ir(PPY)3掺杂聚乙烯基咔唑(PVK)的光致发光(PL)和电致发光(EL)光谱。研究结果显示在电场和注入电流的共同作用下,PL光谱中基质PVK发光的相对强度并没有发生显著的变化。电场或注入载流子不会影响PVK向Ir(PPY)3的能量传递。磷光掺杂聚合物EL主要是由于载流子在掺杂磷光分子上的直接复合,而不是由基质向磷光掺杂分子的能量传递。 展开更多
关键词 聚乙烯基咔唑 Ir(PPY)3 电场诱导光致发光 电致发光
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二次加工制备高电导率PEDOT:PSS的途径和方法 被引量:5
8
作者 杨春和 唐爱伟 滕枫 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期323-329,共7页
聚噻吩衍生物PEDOT∶PSS是一种可溶于水,由氧化的聚乙氧基噻吩链和聚苯乙烯磺酸复合物构成的导电聚合物,普遍应用于有机光电器件的制备中。其电子电导率经化学或物理方法处理后会有较大的改变。高电导率的PEDOT∶PSS可望用于替代无机半... 聚噻吩衍生物PEDOT∶PSS是一种可溶于水,由氧化的聚乙氧基噻吩链和聚苯乙烯磺酸复合物构成的导电聚合物,普遍应用于有机光电器件的制备中。其电子电导率经化学或物理方法处理后会有较大的改变。高电导率的PEDOT∶PSS可望用于替代无机半导体及金属电极用于光电器件的制备。文章总结了使用化学方法在商品化的PEDOT∶PSS中添加有机或无机混合物,以及添加金属纳米粒子和纳米碳材料等对聚合物导电性能的改进方法。 展开更多
关键词 导电聚合物 聚噻吩 PEDOT PSS 掺杂 电导率
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有机场致发光中能带模型与分子理论的讨论(英文) 被引量:4
9
作者 徐叙瑢 徐征 +2 位作者 曲崇 滕枫 娄志东 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期1-7,共7页
在有机场致发光中,能带模型及分子理论从 20世纪就存在尖锐的矛盾。在分层优化方案中,经SiO2加速后的电子能量可以到达 10eV, 这足以激发发光材料发光,将分层优化方案应用到有机场致发光材料中。发现了固态阴极射线发光(SSCL),经过对它... 在有机场致发光中,能带模型及分子理论从 20世纪就存在尖锐的矛盾。在分层优化方案中,经SiO2加速后的电子能量可以到达 10eV, 这足以激发发光材料发光,将分层优化方案应用到有机场致发光材料中。发现了固态阴极射线发光(SSCL),经过对它的交叉证明、普适性的验证,肯定了固态阴极射线的发光确实是在发光二极管,无机及有机场致发光之外的一种完全新型的电场诱导的发光。SSCL的特征是在它的光谱中出现短波发光峰,实验证明长波发光峰的减弱是由于电场离化效应。研究了这种效应出现的电压阈值并和SSCL的短波峰出现的电压相比,发现短波峰的出现是在激子的电场离化之后,从而找出了电子处于局域态与扩展态的分水岭,解释了在有机场致发光中能带模型和分子理论并不矛盾,只是适用的条件不同。激子的离化是随电场强度而渐进的变化,因此会有一个两种过程并存的范围。 展开更多
关键词 激子的场离化 辐射复合 能带理论与分子模型
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a-Si:H TFT OLED驱动电路中存储电容对显示性能的影响 被引量:5
10
作者 李云飞 王永生 +4 位作者 张晓龙 刘宏宇 王刚 邵喜斌 何大伟 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2008年第5期572-577,共6页
对OLED两管a-Si∶H有源驱动技术中存储电容对器件寿命的影响进行了详细的讨论;结合驱动管的宽长比,从理论分析和SPICE模拟两个方面研究了存储电容对电路充电率、跳变电压和保持特性的影响,找出其间相互制约的数量关系,最后给出优化设计... 对OLED两管a-Si∶H有源驱动技术中存储电容对器件寿命的影响进行了详细的讨论;结合驱动管的宽长比,从理论分析和SPICE模拟两个方面研究了存储电容对电路充电率、跳变电压和保持特性的影响,找出其间相互制约的数量关系,最后给出优化设计的参考值。 展开更多
关键词 OLED 有源驱动 存储电容 充电率
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含联二萘的PPV类共轭聚合物发蓝光材料的设计合成 被引量:5
11
作者 周庆成 滕枫 +2 位作者 黄红敏 贺庆国 白凤莲 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期441-447,共7页
利用W ittig和W ittig-Horner反应合成了四种含有联二萘和不同芳香基团的具有线性或超支化结构的发光共聚物,并对共聚物的光物理性质和电化学性质进行了研究。结果表明,这些线性共聚物都具有较高效率的蓝光发射。具有超支化结构的共聚物... 利用W ittig和W ittig-Horner反应合成了四种含有联二萘和不同芳香基团的具有线性或超支化结构的发光共聚物,并对共聚物的光物理性质和电化学性质进行了研究。结果表明,这些线性共聚物都具有较高效率的蓝光发射。具有超支化结构的共聚物BN-TPPV在氯仿溶液中的荧光量子效率高达95%,在氯仿溶液和膜中的发射光谱峰值分别位于393,428 nm,实现了高效率的蓝光发射。说明将联二萘生色团引入聚合物是一种实现发蓝光材料的重要途径。 展开更多
关键词 联二萘 WITTIG反应 超支化共聚物
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PVK三线态激基复合物的发光及其受紫外光辐照的影响 被引量:4
12
作者 孙力 邵喜斌 +1 位作者 钱磊 赵谡玲 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期331-336,共6页
用不同溶剂中的前驱物旋涂成PVK层,制备了ITO/PEDOT:PSS/PVK/Ca:Al器件,以及相同结构不同PVK分子量的器件。通过测试分析认为:器件的电致发光谱中590nm波长处的发光峰来自于PVK三线态的激基复合物,并且发现其强度依赖于PVK的分子构型,即... 用不同溶剂中的前驱物旋涂成PVK层,制备了ITO/PEDOT:PSS/PVK/Ca:Al器件,以及相同结构不同PVK分子量的器件。通过测试分析认为:器件的电致发光谱中590nm波长处的发光峰来自于PVK三线态的激基复合物,并且发现其强度依赖于PVK的分子构型,即在PVK分子中相邻咔唑基团重叠程度。通过比较不同紫外辐照剂量后的PVK器件的发光,发现适度的UV辐照后的PVK分子构型中相邻咔唑基团处于全重叠的状态增加,在电致发光时会形成更多的三线态激子,因而提高了PLED器件的发光效率。 展开更多
关键词 聚合物电致发光二极管 电致发光 三线态
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PVK∶Alq_3掺杂体系电致发光器件性能的研究 被引量:2
13
作者 孙世菊 徐征 +1 位作者 张延芬 段晓霞 《液晶与显示》 CAS CSCD 2004年第2期112-115,共4页
采用一定比例的PVK和Alq3 混合薄膜作为发光层 ,制备了Al /PVK∶Alq3 /ITO单层器件。利用PVK和Alq3 混合薄膜的吸收光谱、激发光谱、光致发光谱、电致发光谱研究了薄膜的激发态过程 ,结果表明PVK和Alq3 之间存在着能量传递 ,器件所表现... 采用一定比例的PVK和Alq3 混合薄膜作为发光层 ,制备了Al /PVK∶Alq3 /ITO单层器件。利用PVK和Alq3 混合薄膜的吸收光谱、激发光谱、光致发光谱、电致发光谱研究了薄膜的激发态过程 ,结果表明PVK和Alq3 之间存在着能量传递 ,器件所表现的发光主要为Alq3的发光。同时利用电流电压关系、发光强度和电压的关系对器件的光电性能进行了研究 ,发现Al /PVK∶Alq3 展开更多
关键词 吸收光谱 激发光谱 发射光谱 能量传递 光电性能 电致发光器件 8-羟基喹啉铝
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M_2SiO_4∶Re(M=Mg,Ca,Ba;Re=Ce^(3+),Tb^(3+))的发光性能(英文) 被引量:3
14
作者 何大伟 刘红利 +1 位作者 卢鹏志 李鑫 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期53-56,共4页
合成了系列M2SiO4∶Re(M=Mg,Ca,Ba;Re=Ce3+,Tb3+)样品,研究了样品在真空紫外区域的激发光谱和发射光谱。从激发谱可以看出:M2SiO4∶Re(M=Mg,Ca,Ba;Re=Ce3+,Tb3+)在147,172nm有很强的吸收带。用Mg,Ca完全取代Ba2SiO4∶Tb3+中的Ba,相对应... 合成了系列M2SiO4∶Re(M=Mg,Ca,Ba;Re=Ce3+,Tb3+)样品,研究了样品在真空紫外区域的激发光谱和发射光谱。从激发谱可以看出:M2SiO4∶Re(M=Mg,Ca,Ba;Re=Ce3+,Tb3+)在147,172nm有很强的吸收带。用Mg,Ca完全取代Ba2SiO4∶Tb3+中的Ba,相对应的晶体的晶格参数逐渐增大,晶场的能量逐渐减少,其激发光谱随着碱土离子半径的增加向长波方向移动。在172nm真空紫外光激发下,观察到M2SiO4∶Re(M=Mg,Ca,Ba;Re=Tb3+和M2SiO4∶Re(M=Mg,Ca,Ba;Re=Ce3+,Tb3+)特征发射;在真空紫外激发下,随着M2SiO4∶Re(M=Mg,Ca,Ba;Re=Ce3+,Tb3+)中Ce3+含量的增加,M2SiO4∶Re的特征发射明显减弱,并分析讨论了相关发光现象的成因。 展开更多
关键词 稀土 真空紫外 磷光体
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喷雾热解法制备的SrWO_4膜的阴极射线发光 被引量:2
15
作者 娄志东 衣兰杰 +1 位作者 滕枫 杨盛谊 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期402-406,共5页
利用超声喷雾热解法制备了钨酸锶SrWO4多晶发光膜,并研究了制备条件及掺杂对其阴极射线发光特性的影响。生成的发光膜在300℃以上退火后具有白钨矿结构,其阴极射线发光为一宽带的蓝光,包括一个位于448nm的蓝色发光带和一个位于488.6nm... 利用超声喷雾热解法制备了钨酸锶SrWO4多晶发光膜,并研究了制备条件及掺杂对其阴极射线发光特性的影响。生成的发光膜在300℃以上退火后具有白钨矿结构,其阴极射线发光为一宽带的蓝光,包括一个位于448nm的蓝色发光带和一个位于488.6nm的蓝绿色发光带,是由阴离子络合物WO24-的电荷转移跃迁引起的。发光强度随着退火温度的升高而增强,而退火气氛对其影响不大。在SrWO4膜中掺入银离子Ag+和镧离子La3+后,不影响其发光特性,但铕离子Eu3+的掺入对发光特性有影响。 展开更多
关键词 喷雾热解法 钨酸锶 发光膜 阴极射线发光
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彩色液晶显示器件色差补偿优化 被引量:2
16
作者 占红明 徐征 +5 位作者 董学 陈明 金雄 布占场 邵喜斌 李成圭 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2014年第6期916-921,共6页
为了改善彩色液晶显示器件的色差,提升画面品质,针对(128,192,192)灰阶图形下色差的问题,对色差产生的机理进行了分析。模拟了RGB三色像素透过率对该图形下色差的影响。通过分别调整RGB彩膜膜厚,不仅相对调整了三色像素下的液晶盒层厚,... 为了改善彩色液晶显示器件的色差,提升画面品质,针对(128,192,192)灰阶图形下色差的问题,对色差产生的机理进行了分析。模拟了RGB三色像素透过率对该图形下色差的影响。通过分别调整RGB彩膜膜厚,不仅相对调整了三色像素下的液晶盒层厚,而且还调整了三色像素的透过率,改善了RGB的Gamma曲线,对色差进行了补偿优化。实验结果表明,增加G像素和减小B像素的液晶盒层厚,对色差有明显补偿改善效果;同时,当RGB膜厚保持不变时,色差与液晶层厚呈正比关系,液晶层厚每减小1%时,色差约降低0.2。当RGB三色液晶盒层厚从(3.47,3.38,3.4)μm分别调整到(3.5,3.45,3.36)μm和(3.5,3.44,3.28)μm时,(128,192,192)灰阶图形下样品色差平均值从13.8分别降低到12.8和12。通过分别调整RGB彩膜膜厚,相对调整了三色像素下的液晶层盒厚和液晶量调节,可以一定程度优化补偿色差。 展开更多
关键词 色差 液晶显示 层厚 灰阶
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CBP/Alq_3有机量子阱结构的光致发光 被引量:3
17
作者 宋淑芳 赵德威 +1 位作者 徐征 徐叙瑢 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期675-678,共4页
采用多源有机分子气相沉积系统(OMBD)制备了CBP/Alq3有机多量子阱结构,利用电化学循环伏安特性和吸收光谱、小角X射线衍射、荧光光谱研究了量子阱的能带、结构和光致发光的特性。电化学循环伏安特性和吸收光谱的测量结果表明,CBP的最低... 采用多源有机分子气相沉积系统(OMBD)制备了CBP/Alq3有机多量子阱结构,利用电化学循环伏安特性和吸收光谱、小角X射线衍射、荧光光谱研究了量子阱的能带、结构和光致发光的特性。电化学循环伏安特性和吸收光谱的测量结果表明,CBP的最低占据分子轨道(LUMO)与最高占据分子轨道(HOMO)的位置分别为-2.74,-6.00eV,Alq3的LUMO与HOMO的位置分别为-3.10,-5.80eV,所以CBP/Alq3有机量子阱为Ⅰ型量子阱结构。小角X衍射测量显示,在小角的位置(2θ的范围在0°~3°)观察到了对应于量子阱结构的多级布拉格衍射峰,表明多层量子阱结构是有序的层状结构,界面比较完整,界面质量比较好。荧光光谱的研究结果表明,Ⅰ型量子阱结构可以有效地把能量从垒层传递给阱层,从而增强了阱层材料的发光。阱层的厚度对发光峰的位置影响很大,随阱层厚度减小,阱层材料的发光峰出现蓝移现象。并对引起发光峰蓝移的原因进行了讨论。 展开更多
关键词 有机量子阱 光致发光
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蛋白质、噗啉、癌细胞之间的相互作用 被引量:3
18
作者 孟继武 任新光 马焕璞 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第4期351-353,共3页
通过牛血清蛋白、血噗啉、培养的SPC-A-1肺癌细胞的光致发光实验,研究了它们的发光及其之间的相互作用.阐述了癌患者噗啉代谢异常的机制.
关键词 蛋白质 噗啉 癌细胞 荧光 光致发光 肺癌
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工作气氛对氮化硅薄膜结构的影响 被引量:2
19
作者 徐征 贾晓昀 +4 位作者 赵谡玲 张福俊 唐煜 周春兰 王文静 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第11期1344-1347,共4页
以石英玻璃和抛光硅片做为衬底材料,采用射频磁控反应溅射法,通过改变 Ar/N_2流量比得到了一系列氮化硅薄膜。用分光光度计对薄膜的光学特性进行了表征;X 射线光电子能谱(XPS)表明薄膜中出现了 Si-N 的键合结构;原子力显微镜(AFM)图显... 以石英玻璃和抛光硅片做为衬底材料,采用射频磁控反应溅射法,通过改变 Ar/N_2流量比得到了一系列氮化硅薄膜。用分光光度计对薄膜的光学特性进行了表征;X 射线光电子能谱(XPS)表明薄膜中出现了 Si-N 的键合结构;原子力显微镜(AFM)图显示了在抛光硅片上制备出的薄膜比较平整、致密。实验结果表明:纯 N_2条件下制备的薄膜比使用 Ar 和 N_2混合气体条件下制备的薄膜中的 SiN_x 含量要低;在混合气体参与的条件下,随着氮气流量的增加,薄膜中出现了微孔,缺陷态增加,并对微孔的形成机制进行了解释。 展开更多
关键词 射频磁控反应溅射 氮化硅薄膜 光学特性
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铥、铽及铕离子掺杂的BaAl_2O_4膜的阴极射线发光特性 被引量:1
20
作者 娄志东 衣兰杰 +2 位作者 滕枫 徐征 杨盛谊 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期373-377,共5页
利用喷雾热解法合成了Tm、Tb及Eu离子掺杂的铝酸钡(BaAl2O4)发光膜,研究了合成条件对其结构和发光特性的影响。在退火温度达到700℃时,生成了BaAl2O4膜。Tm3+和Tb3+掺杂的BaAl2O4膜分别发蓝光和绿光,而Eu3+掺杂的BaAl2O4膜的发光既有Eu2... 利用喷雾热解法合成了Tm、Tb及Eu离子掺杂的铝酸钡(BaAl2O4)发光膜,研究了合成条件对其结构和发光特性的影响。在退火温度达到700℃时,生成了BaAl2O4膜。Tm3+和Tb3+掺杂的BaAl2O4膜分别发蓝光和绿光,而Eu3+掺杂的BaAl2O4膜的发光既有Eu2+的特征发射——宽的蓝光发射带,也有Eu3+的特征发射——窄的红光发射峰。BaAl2O4∶Tm3+的发射主峰位于462nm,在电压为5kV和电流密度为57μA/cm2的条件下,其阴极射线发光(CL)亮度可达25cd/m2,效率可达0.11lm/W。BaAl2O4∶Tb3+的发射主峰位于549nm,在相同的条件下,其阴极射线发光亮度可达120cd/m2,效率可达0.55lm/W。BaAl2O4∶Eu3+的发射主峰位于616nm,其阴极射线发光亮度为50cd/m2,效率为0.23lm/W。BaAl2O4∶Eu2+发蓝光,峰值位于452nm,其阴极射线发光亮度为640cd/m2,效率为2.93lm/W。 展开更多
关键词 喷雾热解法 阴极射线发光 亮度和效率
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