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有机溶剂对太阳能电池银浆丝网印刷影响的研究 被引量:2
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作者 王庆伟 徐征 +1 位作者 赵谡玲 胡盛华 《贵金属》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期22-26,共5页
分别以不同比例的松油醇混合相同质量的银浆(9组),在流畅、无断栅虚印等不良状况的前提下进行丝网印刷、烧结,得出不同高宽比的印刷栅线及相应电性能参数。引入丝网印刷产能计算公式评价各组优劣情况,以获得最优实验组。实验证明有机溶... 分别以不同比例的松油醇混合相同质量的银浆(9组),在流畅、无断栅虚印等不良状况的前提下进行丝网印刷、烧结,得出不同高宽比的印刷栅线及相应电性能参数。引入丝网印刷产能计算公式评价各组优劣情况,以获得最优实验组。实验证明有机溶剂的添加对银浆粘度有着灵敏的调节作用。随着添加溶剂质量分数的增大,银浆粘度逐渐降低,以此提高了印刷速度,但速度存在峰值,即溶剂用量必须维持在特定的范围内,才能在保证单片电性能的同时通过提高印刷流畅性获得更大的产能。 展开更多
关键词 物理化学 太阳能电池 有机溶剂 松油醇 产能计算公式
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晶体硅太阳电池扩散工艺研究 被引量:6
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作者 刘金虎 徐征 +2 位作者 赵谡玲 刘志平 李栋才 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第8期1375-1380,共6页
作为晶体硅太阳电池制作的心脏环节,扩散的效果也就是扩散后方块电阻的均匀性显得尤为重要。影响方块电阻均匀性的主要因素有:大小氮的流量、O2的流量、通源时间、再分布时间和中心温度。通过逐一改变这些因素,分析所得数据,得到一个能... 作为晶体硅太阳电池制作的心脏环节,扩散的效果也就是扩散后方块电阻的均匀性显得尤为重要。影响方块电阻均匀性的主要因素有:大小氮的流量、O2的流量、通源时间、再分布时间和中心温度。通过逐一改变这些因素,分析所得数据,得到一个能有效控制方块电阻大小、使方块电阻均匀性达到最佳的规律:大小氮流量的变化共同影响方块电阻均匀性;方块电阻大小的改变主要靠温度、时间、小氮的流量的改变来调节。通过以上实验规律的研究,便于常规工艺的调试和高方块电阻工艺中高方块电阻的制备和极差的优化。 展开更多
关键词 扩散工艺 通源时间 再分布时间 方块电阻 均匀性
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磷浆法制备选择性发射极单晶硅太阳电池的研究 被引量:3
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作者 韩允 赵谡玲 +4 位作者 徐征 俎云燕 海博 刘金虎 刘志平 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期1015-1020,共6页
改变常规单晶硅太阳电池生产工艺,制备了选择性发射极太阳电池。主要方法是扩散之前,在电极区域印刷一层磷浆作为磷源对电极区域进行重扩散;与此同时,在非电极区域采用POCl3作为磷源轻扩散。以此方法制备了选择性发射极高效太阳电池,且... 改变常规单晶硅太阳电池生产工艺,制备了选择性发射极太阳电池。主要方法是扩散之前,在电极区域印刷一层磷浆作为磷源对电极区域进行重扩散;与此同时,在非电极区域采用POCl3作为磷源轻扩散。以此方法制备了选择性发射极高效太阳电池,且与常规工艺电池片进行对比测试。经过测试,转换效率比常规工艺电池片高0.6%。 展开更多
关键词 太阳电池 选择性发射极 磷浆 丝网印刷
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单晶硅太阳电池酸制绒双层膜工艺研究
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作者 钟思华 徐征 +3 位作者 赵谡玲 胡盛华 苏深伟 胡井生 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第12期2420-2424,共5页
将酸制绒方式与双层膜工艺进行结合,研究发现酸制绒电池片跟碱制绒电池片相比,除短路电流和效率略低外,开路电压、并联电阻和反向漏电流均有明显优势。在双层膜工艺中,当第一层膜的镀膜时间小于180 s(膜厚小于34.6 nm)时,随镀膜时间增加... 将酸制绒方式与双层膜工艺进行结合,研究发现酸制绒电池片跟碱制绒电池片相比,除短路电流和效率略低外,开路电压、并联电阻和反向漏电流均有明显优势。在双层膜工艺中,当第一层膜的镀膜时间小于180 s(膜厚小于34.6 nm)时,随镀膜时间增加,总反射率降低,尤其是短波范围,短路电流也因此增加;但大于180 s后,随镀膜时间增加,虽然短波反射率仍降低,短路电流却有所下降。 展开更多
关键词 单晶硅 酸制绒 双层膜 低反射率 反向漏电流
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PECVD沉积氮化硅膜的工艺研究 被引量:21
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作者 刘志平 赵谡玲 +2 位作者 徐征 刘金虎 李栋才 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期54-59,共6页
采用等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)法在晶体硅太阳电池表面镀上一层氮化硅减反射膜,通过数值分析和实验研究的方法讨论了压强、SiH_4/NH_3比、总气体流量及时间等工艺参数对镀膜速率、折射率和镀膜均匀性及钝化效果的影响。在温度... 采用等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)法在晶体硅太阳电池表面镀上一层氮化硅减反射膜,通过数值分析和实验研究的方法讨论了压强、SiH_4/NH_3比、总气体流量及时间等工艺参数对镀膜速率、折射率和镀膜均匀性及钝化效果的影响。在温度为450℃、NH_3/SiH_4=8:1、总气体流量为4320sccm、压力为170Pa、沉积时间为720s的条件下生长出平均膜厚为75nm、折射率为2.05、少子寿命相对较高的氮化硅膜,且应用于单晶整舟为168片的管式PECVD设备,片间膜厚级差在5nm以内,而折射率级差在0.3以内,少子寿命可提高约30%。 展开更多
关键词 PECVD 氮化硅 镀膜工艺 少子寿命
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