铕配合物Eu(UVA)3Phen与PVK掺杂体系发光特性的研究 被引量：1

1

作者 孙钦军 徐征 +2 位作者 赵谡玲 张福俊 高利岩 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第10期2676-2679,共4页

将一种新型稀土铕配合物Eu(UVA)3Phen作为掺杂剂与基质PVK按不同质量比进行掺杂,对混合薄膜的光致发光(PL)和电致发光(EL)特性进行了研究。实验结果表明,共掺杂体系中存在从PVK到Eu(UVA)3Phen的F rster能量传递。通过优化主客体材料的... 将一种新型稀土铕配合物Eu(UVA)3Phen作为掺杂剂与基质PVK按不同质量比进行掺杂,对混合薄膜的光致发光(PL)和电致发光(EL)特性进行了研究。实验结果表明,共掺杂体系中存在从PVK到Eu(UVA)3Phen的F rster能量传递。通过优化主客体材料的配比浓度,当掺杂浓度为4%时,得到了色纯度较好地红光器件。 展开更多

关键词 铕配合物 光致发光 电致发光 能量传递

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一种新型稀土配合物Eu(TTA)(2NH_2-Phen)_3的发光特性研究 被引量：1

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作者 闫光 张福俊 +5 位作者 徐征 吕玉光 赵谡玲 李秋萍 孔超 岳欣 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第12期3228-3231,共4页

合成了一种新型的稀土配合物Eu(TTA)(2NH2-Phen)3,将其作为掺杂物与基质聚乙烯基咔唑(PVK)按照不同质量比混合共溶,旋涂成膜。测量了混合薄膜的光致发光光谱,确认了所合成的Eu(TTA)(2NH2-Phen)3具有发射荧光的能力,进而将其应用于电致... 合成了一种新型的稀土配合物Eu(TTA)(2NH2-Phen)3,将其作为掺杂物与基质聚乙烯基咔唑(PVK)按照不同质量比混合共溶,旋涂成膜。测量了混合薄膜的光致发光光谱,确认了所合成的Eu(TTA)(2NH2-Phen)3具有发射荧光的能力,进而将其应用于电致发光器件中。还制备了以PVK∶Eu(TTA)(2NH2-Phen)3为发光层,器件结构为ITO/PVK∶Eu(TTA)(2NH2-Phen)3/2,9-di methyl-4,-diphenyl-1,10-phenan throline(BCP)/8-hydroxyquinoline aluminum(Alq3)/Al的多层器件,得到了Eu3+的红色电致发光。研究不同掺杂浓度时器件发光光谱的变化及PVK的发射光谱与Eu(TTA)(2NH2-Phen)3的吸收光谱的交叠情况,证明了混合薄膜中Eu3+电致发光机理主要是载流子的直接俘获。 展开更多

关键词 稀土配合物 发光 载流子俘获

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两种磷光材料在聚合物掺杂体系中的发光特性研究

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作者 岳欣 徐征 +5 位作者 张福俊 赵谡玲 宋丹丹 闫光 胡涛 Wageh S 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期599-602,共4页

磷光材料由于可以利用电致激发所形成的单重态和三重态激子,因而可以得到接近100%的内量子效率。文章对常温下基于磷光材料Ir(ppy)3及Ir(piq)3掺杂PVK薄膜为发光层的器件的光学和电学特性进行了研究。光致发光的结果显示相同掺杂质量比... 磷光材料由于可以利用电致激发所形成的单重态和三重态激子,因而可以得到接近100%的内量子效率。文章对常温下基于磷光材料Ir(ppy)3及Ir(piq)3掺杂PVK薄膜为发光层的器件的光学和电学特性进行了研究。光致发光的结果显示相同掺杂质量比下由PVK到Ir(piq)3的能量传递比到Ir(ppy)3更加困难。通过研究两种掺杂体系不同质量比的电致发光特性,可以认为这两种磷光器件的发光主要来自于磷光客体分子直接俘获载流子发光而非主体的能量传递。Ir(piq)3掺杂体系对掺杂比例的依赖更为明显,从能级结构分析,认为是由于Ir(piq)3的更低的HOMO及高的LUMO能级,而比Ir(ppy)3具有更好的载流子俘获和传输特性。 展开更多

关键词 磷光 能量传递 载流子俘获 传输

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单分散球形CaWO_4∶Re^(3+)(Sm^(3+),Eu^(3+))红色荧光粉的制备及其发光性能 被引量：3

4

作者 徐征 赵谡玲 +3 位作者 彭小波 高晨家 高轶群 王芸 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第5期1363-1367,共5页

目前使用的白光LEDs荧光粉,主要是适于蓝光GaN芯片激发的黄、绿、红色稀土荧光粉。黄、绿光荧光粉技术已经相对完善,而发光良好、性能稳定的红色荧光粉比较少。因此,需要开发新型的蓝光激发型红色荧光粉。相对于传统的高温固相法制备荧... 目前使用的白光LEDs荧光粉,主要是适于蓝光GaN芯片激发的黄、绿、红色稀土荧光粉。黄、绿光荧光粉技术已经相对完善,而发光良好、性能稳定的红色荧光粉比较少。因此,需要开发新型的蓝光激发型红色荧光粉。相对于传统的高温固相法制备荧光粉体,本文利用水热法在较低温度160℃成功制备出了发光性能良好的单分散球形钨酸钙红色发光材料CaWO4∶Sm^(3+)和CaWO_4∶Eu^(3+)。通过X射线粉末衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(FE-SEM)、荧光光谱仪(PL)等表征手段,研究了所制备材料的晶体结构、表面形貌以及光学特性。讨论掺杂稀土离子浓度、反应时间等条件的改变对样品形貌以及发光性能的影响。结果显示,掺杂浓度不仅影响材料的形貌,还影响其发光强度。当Sm^(3+)和Eu^(3+)掺杂量分别为6%和4%时,CaWO_4∶Sm^(3+)和CaWO_4∶Eu^(3+)材料的发光性能最优。研究结果表明,Sm^(3+)和Eu^(3+)掺杂的CaWO_4材料可以作为荧光灯和蓝光芯片LED用荧光粉的备选材料。 展开更多

关键词 水热法 CaWO4∶Sm3+ CaWO4∶Eu3+ 球形结构 发光性能

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空穴注入层对蓝色有机电致发光器件性能的影响 被引量：2

5

作者 高利岩 赵谡玲 +4 位作者 徐征 张福俊 孙钦军 张天慧 孔超 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期886-889,共4页

以DPVBi为发光层,NPB为空穴传输层,在阳极ITO和NPB之间分别插入不同的空穴注入层CuPc和PEDOT∶PSS,制备了两种结构的蓝色有机电致发光器件(OLEDs):ITO/CuPc/NPB/DPVBi/BCP/Alq3/Al和ITO/PEDOT∶PSS/NPB/DPVBi/BCP/Alq3/Al,研究了不同空... 以DPVBi为发光层,NPB为空穴传输层,在阳极ITO和NPB之间分别插入不同的空穴注入层CuPc和PEDOT∶PSS,制备了两种结构的蓝色有机电致发光器件(OLEDs):ITO/CuPc/NPB/DPVBi/BCP/Alq3/Al和ITO/PEDOT∶PSS/NPB/DPVBi/BCP/Alq3/Al,研究了不同空穴注入材料对蓝色OLEDs发光性能的影响,并与没有空穴注入层的器件进行了比较。其中CuPc分别采用旋涂和真空蒸镀两种工艺,比较了不同成膜工艺对器件发光特性的影响。结果表明:加入空穴注入层的器件比没有空穴注入层器件性能要好,其中插入水溶性CuPc的器件,其发光亮度和效率虽然比蒸镀CuPc器件要低,但比插入PEDOT∶PSS器件发光性能要好。又由于水溶性CuPc采用旋涂工艺成膜,与传统CuPc相比,制备工艺简单,所以为一种不错的空穴注入材料。 展开更多

关键词 空穴注入层 CUPC PEDOT:PSS 蓝色有机电致发光

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磷光材料fac-tris(2-phenylpyridinato-N,C^(2’))iridium(Ⅲ)对不同荧光材料的敏化作用及发光机制分析 被引量：1

6

作者 宋丹丹 赵谡玲 +3 位作者 徐征 张福俊 岳欣 朱海娜 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第10期2626-2629,共4页

在荧光材料中掺杂合适的磷光敏化剂,可以大大提高荧光有机电致发光器件(OLED)的效率。选择磷光材料fac-tris(2-phenylpyridinato-N,C2')iridium(Ⅲ)(Ir(ppy)3)分别与荧光材料4-(dicyanomethylene)-2-t-butyl-6-(1,1,7,7-tetramethyl... 在荧光材料中掺杂合适的磷光敏化剂,可以大大提高荧光有机电致发光器件(OLED)的效率。选择磷光材料fac-tris(2-phenylpyridinato-N,C2')iridium(Ⅲ)(Ir(ppy)3)分别与荧光材料4-(dicyanomethylene)-2-t-butyl-6-(1,1,7,7-tetramethyljulolidyl-9-enyl(DCJTB)、5,6,11,12,-tetraphenylnaphthacene(Rubrene)掺杂作为发光层,当掺杂质量比合适时,磷光材料的发光消失,得到了纯正的荧光材料的发光。同时,对磷光材料的敏化作用及发光机制进行了分析,比较了Ir(ppy)3对两种不同荧光材料的敏化作用强弱,发现Ir(ppy)3对荧光材料Rubrene的敏化作用更强。对影响敏化作用的因素进行了分析,推测其原因与磷光材料和荧光材料的相容性质有关。 展开更多

关键词 磷光敏化剂 荧光 能量传递

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通过插入Au薄膜改善绿光OLED器件的发光色纯度 被引量：1

7

作者 张妍斐 赵谡玲 徐征 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期903-905,共3页

在一些有机电致发光器件中,Au常被用作阳极,研究者希望Au在导电的同时兼具半透明可出光的属性,这要求Au在能导电的同时厚度要尽量薄。因此制备两种金属共同组成电极成为了选择。将半透明Au/Al层插入阳极一侧,制备了结构为ITO/Al(16 nm)/... 在一些有机电致发光器件中,Au常被用作阳极,研究者希望Au在导电的同时兼具半透明可出光的属性,这要求Au在能导电的同时厚度要尽量薄。因此制备两种金属共同组成电极成为了选择。将半透明Au/Al层插入阳极一侧,制备了结构为ITO/Al(16 nm)/Au(10 nm)/TPD(30 nm)/A1Q(30 nm)/LiF(0.5nm)/Al的OLED器件,相对于器件ITO/TPD(30 nm)/AlQ(30 nm)/LiF(0.5 nm)/Al在长波方向出现了光谱窄化现象,通过分析和实验判断该现象是Au薄膜特有的对光的选择透过性造成,而并非微腔效应。阳极一侧加入了Au/Al的器件保持了广视角无角度依赖的优点,同时可以输出滤掉部分红光的纯度更高的发光,发光色纯度得到了改善。 展开更多

关键词 微腔效应 光透过率 色纯度

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一种提高有机电致发光器件发光效率的新方法：金属超薄层 被引量：1

8

作者 张妍斐 赵谡玲 徐征 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期906-909,共4页

在有机电致发光器件中插入金属超薄层常会带来一些意想不到的作用。在无机材料MoQ_3与有机材料TPD之间插入5 nm金属层Au,制备了结构为ITO/MoO_3(5 nm)/Au(5 nm)/TPD/AlQ/LiF/Al的OLED器件。相对于没有金属层Au的器件,发光效率得到了提... 在有机电致发光器件中插入金属超薄层常会带来一些意想不到的作用。在无机材料MoQ_3与有机材料TPD之间插入5 nm金属层Au,制备了结构为ITO/MoO_3(5 nm)/Au(5 nm)/TPD/AlQ/LiF/Al的OLED器件。相对于没有金属层Au的器件,发光效率得到了提高。通过分析认为Au在TPD和MoO_3之间形成一个小的空穴陷阱,在降低了器件中的电流密度的同时,由于5nm的Au对AlQ绿光的光透过率大于80%,发光亮度未受明显影响,是发光效率提高的原因。本文为提高OLED器件发光效率提供了新的思路和实验依据。 展开更多

关键词 发光效率 MOO3 MOO3

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LED蓝光泄露安全性研究 被引量：28

9

作者 申崇渝 徐征 +1 位作者 赵谡玲 黄清雨 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第2期316-321,共6页

研究了LED照明器件的蓝光特性。针对我国的LED照明现状,通过测试LED照明器件的光谱成分,根据现行国内外标准GB/T 20145—2006/CIE S009/E:2002和IEC62471:2006,以及CTL-0744_2009-laser决议,分析了LED光生物安全性,给LED照明灯具制造和... 研究了LED照明器件的蓝光特性。针对我国的LED照明现状,通过测试LED照明器件的光谱成分,根据现行国内外标准GB/T 20145—2006/CIE S009/E:2002和IEC62471:2006,以及CTL-0744_2009-laser决议,分析了LED光生物安全性,给LED照明灯具制造和相关安全性标准、法律制定提供参考。LED中蓝光的辐亮度值低于100W·m-2·Sr-1时对人眼属于无危害类型,正常使用情况下不会对人眼造成伤害,但是应该注意对特殊人群(小孩)的保护,避免长时间直视光源。灯具富蓝化也会影响人的作息规律,因此色温4 000K以下,显色指数80的LED灯具适合在室内使用,同时还要根据不同的使用距离选择不同的参数的灯具。 展开更多

关键词 蓝光泄露 光生物安全 光谱辐亮度 色温

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电场变化对有机磷光器件中激子形成影响的研究

10

作者 刘旭东 赵谡玲 +3 位作者 宋丹丹 占红明 袁广才 徐征 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第9期2321-2324,共4页

激子形成区域随电场变化的移动会使得有机电致发光器件(OLEDs)的效率和色度发生改变,从而影响器件的性能。文章首先制备了两种OLED器件,器件1为ITO/PEDOT∶PSS/PVK∶Ir(ppy)3∶DCJTB(100∶2∶1 wt)/BCP(10 nm)/Alq3(15 nm)/Al,器件2为IT... 激子形成区域随电场变化的移动会使得有机电致发光器件(OLEDs)的效率和色度发生改变,从而影响器件的性能。文章首先制备了两种OLED器件,器件1为ITO/PEDOT∶PSS/PVK∶Ir(ppy)3∶DCJTB(100∶2∶1 wt)/BCP(10 nm)/Alq3(15 nm)/Al,器件2为ITO/PEDOT∶PSS/PVK∶Ir(ppy)3(100∶2wt)/BCP(10 nm)/Alq3(15 nm)/Al,研究了电场强度对单层多掺杂结构器件激子形成的影响。实验发现在多掺杂发光层中,随着电压的增加,Ir(ppy)3,PVK和DCJTB的发光均增强,PVK和DCJTB发光增强更快。对其发光机制进行分析,认为较高电场下,载流子获得较高能量,更容易形成高能量激子,产生宽禁带材料PVK的发光;另一方面,从能级结构分析DCJTB的带隙较窄,俘获更多的载流子发光更强。同时,在器件的电致发光(EL)光谱发现在460 nm处一新的发射峰,发光随着电压的增大相对减弱。为了研究460nm发光的来源,制备了器件:ITO/PEDOT∶PSS/PVK∶BCP∶Ir(ppy)3(x∶y∶2 wt)/Alq3(15 nm)/Al,改变x,y的比值研究发现,460 nm处的发光依然存在,推测此发光峰应与PVK及BCP之间有关。 展开更多

关键词 磷光 电场 激子 形成区域

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不同加速层材料对固态阴极射线发光的影响

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作者 厉军明 徐征 +6 位作者 赵谡玲 张福俊 宋丹丹 刘晓东 宋晶路 徐叙瑢 王永生 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第11期2893-2896,共4页

在固态阴极射线发光中,过热电子碰撞激发有机材料而发光,因此加速层对电子的加速能力是影响器件发光亮度的关键因素之一。分别以SiO2和ZnO作为加速层,制备出两种固态阴极射线发光器件A:ITO/MEH-PPV/SiO2/Al和B:ITO/MEH-PPV/ZnO/Al。通... 在固态阴极射线发光中,过热电子碰撞激发有机材料而发光,因此加速层对电子的加速能力是影响器件发光亮度的关键因素之一。分别以SiO2和ZnO作为加速层,制备出两种固态阴极射线发光器件A:ITO/MEH-PPV/SiO2/Al和B:ITO/MEH-PPV/ZnO/Al。通过理论计算比较了电子从电极注入到加速层的隧穿电流密度以及SiO2层与ZnO层的电场强度,计算结果表明:在相同驱动电压下,SiO2作为电子加速层时隧穿电流的密度要大于ZnO层的隧穿电流的密度,并且SiO2层的电场强度比ZnO层的电场强度大。实验结果表明:SiO2作为加速层的器件的发光强度高于以ZnO为电子加速层器件的发光强度。 展开更多

关键词 固态阴极射线发光 电子加速 过热电子

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混合界面对溶液制备的磷光OLED器件性能的影响

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作者 宋丹丹 赵谡玲 +5 位作者 徐征 张福俊 卢丽芳 张妍斐 孔超 闫光 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期1454-1457,共4页

利用混蒸的方法、将空穴阻挡材料2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanhroline及电子传输材料Tris(8-hydroxy-quinolinato)aluminium混合,在电子传输层及空穴阻挡层之间制备了薄层的混合界面。在相同驱动电压下,采用混合界面的器件比... 利用混蒸的方法、将空穴阻挡材料2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanhroline及电子传输材料Tris(8-hydroxy-quinolinato)aluminium混合,在电子传输层及空穴阻挡层之间制备了薄层的混合界面。在相同驱动电压下,采用混合界面的器件比常规器件的电流密度和亮度都有明显提高,在电压为10 V时,常规器件的电流密度和发光功率分别为5.13 mA.cm-2和1.03μW,而采用混合界面的器件可以分别达到18.1mA.cm-2和3.64μW。通过分析认为,引起这些提高的原因主要来自于混合界面的存在提高了电子在界面附近的传输和注入,也增大了到达发光层的电子数目,从而增大了发光几率,引起了电流密度和发光功率的共同增长。 展开更多

关键词 混合界面 磷光 电子注入 电子传输

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不同绝缘层上生长的并五苯薄膜及其OTFT器件性能的研究

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作者 黄金英 徐征 +3 位作者 张福俊 赵谡玲 袁广才 孔超 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第9期2325-2329,共5页

分别以SiO2和PMMA为绝缘层材料制备了底栅顶接触结构的OTFT器件,得到以PMMA为绝缘层的器件具有更好的性能,其场效应迁移率为0.207 cm2.Vs-1,开关电流比为4.93×103,阈值电压为-4.3 V;而以SiO2为绝缘层的器件,其场效应迁移率仅为0.03... 分别以SiO2和PMMA为绝缘层材料制备了底栅顶接触结构的OTFT器件,得到以PMMA为绝缘层的器件具有更好的性能,其场效应迁移率为0.207 cm2.Vs-1,开关电流比为4.93×103,阈值电压为-4.3 V;而以SiO2为绝缘层的器件,其场效应迁移率仅为0.039 cm2.Vs-1,开关电流比为5.98×102,阈值电压为-5.4 V。为分析器件性能差异的原因,测得了SiO2和PMMA薄膜表面的AFM图谱及其上沉积并五苯薄膜后的AFM和XRD图谱。通过AFM图谱发现PMMA表面较SiO2表面粗糙度小,其表面粗糙度的均方根值为0.216 nm,而二氧化硅薄膜表面粗糙度的均方根值为1.579 nm;且发现在PMMA上生长的并五苯薄膜的成膜质量优于在SiO2,具有较大的晶粒尺寸和较少的晶粒间界。通过XRD图谱发现在PM-MA上生长的并五苯薄膜具有明显的衍射峰,进一步证明了在PMMA上生长的并五苯薄膜具有更好的结晶状况,将更有利于载流子的传输。 展开更多

关键词 并五苯 PMMA 二氧化硅 有机薄膜晶体管

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