MEH-PPV/CdSe纳米复合器件的光电导特性的研究 被引量：9

1

作者 唐爱伟 滕枫 +4 位作者 高银浩 靳辉 梁春军 徐征 王永生 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第12期2169-2172,共4页

以CdO和Se粉作为前驱物,在TOPO/TOP有机体系中制备了CdSe纳米晶,将其与聚合物MEH-PPV复合制备了复合光电导器件,研究了它的光电导特性,并将其与单层MEH-PPV光电导器件的特性进行了比较。结果发现纳米复合光电导器件的光电流响应光谱的2... 以CdO和Se粉作为前驱物,在TOPO/TOP有机体系中制备了CdSe纳米晶,将其与聚合物MEH-PPV复合制备了复合光电导器件,研究了它的光电导特性,并将其与单层MEH-PPV光电导器件的特性进行了比较。结果发现纳米复合光电导器件的光电流响应光谱的2个峰的位置基本上与MEH-PPV和CdSe纳米晶的吸收峰的位置相对应,这说明CdSe纳米晶和聚合物MEH-PPV的吸收对光电流都有贡献,主要是由于CdSe纳米晶和MEH-PPV界面处的激子离化和电荷转移造成的。而且复合器件的光电流较单层有所增强,且MEH-PPV器件光谱的响应范围更宽。 展开更多

关键词 光电导 MEH—PPV/CdSe 纳米复合器件

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Dy^(3+)掺杂的硅酸盐荧光粉发光光谱的研究 被引量：10

2

作者 周鑫荣 何大伟 王永生 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第S1期28-31,共4页

本文研究了M2SiO4∶Dy3+(M=Ca,Sr,Ba)样品的结构和发光特性。结果表明:Ca2SiO4属单斜晶系,Sr2SiO4和Ba2SiO4属正交晶系,且晶体结构随着Dy3+的掺入并不发生改变。M2SiO4∶Dy3+在325 nm、350 nm、365 nm和386nm附近有比较强烈的吸收峰,分... 本文研究了M2SiO4∶Dy3+(M=Ca,Sr,Ba)样品的结构和发光特性。结果表明:Ca2SiO4属单斜晶系,Sr2SiO4和Ba2SiO4属正交晶系,且晶体结构随着Dy3+的掺入并不发生改变。M2SiO4∶Dy3+在325 nm、350 nm、365 nm和386nm附近有比较强烈的吸收峰,分别对应Dy3+的6H15/2→6P3/2,6H15/2→6P7/2,6H15/2→6P5/2,6H15/2→4M21/2的跃迁。在386 nm光激发下,样品在480 nm、492 nm及574 nm处有较强的发射峰。改变样品中碱土金属阳离子的种类和含量,M2SiO4∶Dy3+黄光发射带和蓝光发射带的相对强度发生了较大的变化。 展开更多

关键词 荧光粉 Dy3+掺杂 发光特性 发射光谱

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CdWO_4膜的制备及发光特性的研究 被引量：2

3

作者 娄志东 衣兰杰 +2 位作者 滕枫 杨盛谊 徐征 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期162-166,共5页

利用一种软化学合成方法——喷雾热解法,在玻璃基底上制备了钨酸镉(CdWO4)发光膜,研究了其结构、吸收光谱、光致发光及较低电压下的阴极射线发光特性。由吸收光谱估算出CdWO4膜的禁带宽度约为3.70 eV。当基底温度在350℃以上时,生成的Cd... 利用一种软化学合成方法——喷雾热解法,在玻璃基底上制备了钨酸镉(CdWO4)发光膜,研究了其结构、吸收光谱、光致发光及较低电压下的阴极射线发光特性。由吸收光谱估算出CdWO4膜的禁带宽度约为3.70 eV。当基底温度在350℃以上时,生成的CdWO4膜在紫外光及阴极射线激发下发出蓝绿光,其光谱为一宽蓝绿发光带。利用高斯函数进行拟合,发现此发光由3个发光带组成:一个峰值位于495 nm(2.51 eV)的主发光带,另外两个分别位于444 nm(2.80 eV)和545 nm(2.28 eV)的发光带。证实了峰值位于495 nm(2.51 eV)的主发光带和氧空位无关,是由阴离子络合物WO66-的发光引起的。研究了退火温度对CdWO4膜发光特性的影响。随着退火温度的升高,发光亮度和效率增大。样品的亮度随外加电压的增加而增大,没有观察到亮度饱和现象。经600℃下退火的CdWO4膜,在电子束电压为5 kV,电流密度为57μA/cm2的条件下,其阴极射线发光亮度可达420 cd/m2,效率达1.9 lm/W。研究结果表明,CdWO4发光膜有可能用在以玻璃为基底的平板显示器件中。 展开更多

关键词 发光膜 喷雾热解法 阴极射线发光 亮度和效率

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驱动电压频率对固态阴极射线发光影响的研究 被引量：2

4

作者 刘德昂 徐征 +3 位作者 滕枫 赵谡玲 王永生 徐叙瑢 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期987-990,共4页

固态阴极射线发光(SSCL)是发光学中一种新的激发方式,引发出一些发光学中的重要问题,但是固态阴极射线发光的性质还不是十分清楚,需要进一步研究。文章用SiO2作为电子加速层,有机材料MEH-PPV为发光层,在正弦交流电压驱动下实现了固态阴... 固态阴极射线发光(SSCL)是发光学中一种新的激发方式,引发出一些发光学中的重要问题,但是固态阴极射线发光的性质还不是十分清楚,需要进一步研究。文章用SiO2作为电子加速层,有机材料MEH-PPV为发光层,在正弦交流电压驱动下实现了固态阴极射线发光,得到410和580 nm两个发光峰。通过研究这两个发光峰的性质,证实它们分别符合能带理论和分子理论。改变驱动电压的频率时,长波峰的发光强度随频率的增加而增加,而短波峰的发光强度随频率的增加而减小,这是由于这两个发光峰对应的上能级寿命不同引起的。 展开更多

关键词 固态阴极射线发光 时间特性 频率 寿命

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基于有机异质结的有机-无机复合单量子阱发光性质的研究 被引量：2

5

作者 钱磊 徐征 +5 位作者 滕枫 刘德昂 权善玉 王元敏 王永生 徐叙瑢 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期240-243,共4页

制备了包含有机异质结的有机-无机复合单量子阱器件ITO\SiO2(60 nm)\MEH-PPV(40nm)\Alq3(40 nm)\SiO2(60 nm)\Al。通过对这种新结构器件光致发光和电致发光的研究,发现介电限域效应和量子尺寸效应对它的发光和电学性质有明显的影响。在... 制备了包含有机异质结的有机-无机复合单量子阱器件ITO\SiO2(60 nm)\MEH-PPV(40nm)\Alq3(40 nm)\SiO2(60 nm)\Al。通过对这种新结构器件光致发光和电致发光的研究,发现介电限域效应和量子尺寸效应对它的发光和电学性质有明显的影响。在交流电驱动下,OISQWOH(organic-inorganic quantum well with organic heterojunction)有三个发光峰:410,510和590 nm。其中410 nm的发光与MEH-PPV的扩展态相关,510和590 nm的发光分别来源于Alq3和MEH-PPV的激子发光。 展开更多

关键词 单量子阱 有机-无机复合体系 异质结

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有机多层量子阱结构的光致发光特性的研究 被引量：2

6

作者 赵德威 宋淑芳 +3 位作者 赵谡玲 徐征 王永生 徐叙瑢 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期625-628,共4页

采用多源高真空有机分子束沉积系统(OMBDs),将两种有机小分子材料PBD和Alq3以交替生长的方式,制备了不同厚度的PBD/Alq3有机多层量子阱结构(OMQWs),并利用电化学循环伏安法和光吸收分别测定了PBD和Alq3的最低空分子轨道(LUMO)和最高占... 采用多源高真空有机分子束沉积系统(OMBDs),将两种有机小分子材料PBD和Alq3以交替生长的方式,制备了不同厚度的PBD/Alq3有机多层量子阱结构(OMQWs),并利用电化学循环伏安法和光吸收分别测定了PBD和Alq3的最低空分子轨道(LUMO)和最高占据分子轨道(HOMO)。该结构类似于无机半导体中的Ⅰ型量子阱结构,PBD层作为势垒层,Alq3层作为势阱层和发光层,并进行了小角X射线衍射(XRD)的测量。利用荧光光谱研究了OMQWs光致发光(PL)特性,得到随着阱层厚度的降低,光致发光的峰位将蓝移;同时随垒层厚度的减小,PBD的发光峰逐渐消失。利用量子阱结构可以使PBD的能量有效的传递给Alq3,从而增强Alq3的发光。 展开更多

关键词 有机多层量子阱结构(OMQWs) 激子发光 光致发光(PL)

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NPB/Alq_3有机量子阱光电特性研究 被引量：1

7

作者 黄金昭 徐征 +2 位作者 赵谡玲 张福俊 王勇 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期643-646,共4页

利用热蒸发的方法制备了有机量子阱发光器件和Alq3单层发光器件,其中NPB(N,N′-Di-[(1-naphthalenyl)-N,N′-diphenyl]-(1,1′-biphenyl)-4,4′-diamine)作垒层,Alq3(Tris-(8-quinolinolato)aluminum)作阱层,量子阱结构类似于无机半导... 利用热蒸发的方法制备了有机量子阱发光器件和Alq3单层发光器件,其中NPB(N,N′-Di-[(1-naphthalenyl)-N,N′-diphenyl]-(1,1′-biphenyl)-4,4′-diamine)作垒层,Alq3(Tris-(8-quinolinolato)aluminum)作阱层,量子阱结构类似于无机半导体的Ⅱ型量子阱结构。实验发现有机量子阱发光器件结构中存在垒层向阱层的F rster无辐射共振能量转移,具有良好的电流-电压特性,光谱的窄化及蓝移,并且光谱的蓝移程度随电压的增大而逐渐增强。 展开更多

关键词 有机量子阱 电致发光 光致发光

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ZnAl_2O_4:Mn薄膜的阴极射线发光特性的研究 被引量：1

8

作者 娄志东 徐征 +1 位作者 衣兰杰 杨盛谊 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1218-1221,共4页

采用喷雾热解法在铝矽酸盐陶瓷基底上合成了过渡族金属离子锰(Mn2+)掺杂的铝酸锌(ZnAl2O4)发光膜,研究了ZnAl2O4∶Mn膜在中至低电子束电压(<5 kV)激发下的阴极射线发光特性。生成的ZnAl2O4∶Mn膜在退火温度高于550℃时发出峰值位于52... 采用喷雾热解法在铝矽酸盐陶瓷基底上合成了过渡族金属离子锰(Mn2+)掺杂的铝酸锌(ZnAl2O4)发光膜,研究了ZnAl2O4∶Mn膜在中至低电子束电压(<5 kV)激发下的阴极射线发光特性。生成的ZnAl2O4∶Mn膜在退火温度高于550℃时发出峰值位于525 nm的绿光,是由Mn2+的4T1→6A1跃迁引起的。测量了ZnAl2O4∶Mn膜阴极射线发光的色坐标和色纯度,其色坐标为x=0.150,y=0.734,色纯度为82%。ZnAl2O4∶Mn膜的阴极射线发光亮度和效率依赖于激发电压和电流密度。随着电流密度的增加,观察到了亮度饱和现象。在激发电压为4 kV、电流密度为38μA.cm-2的条件下,ZnAl2O4∶Mn薄膜的亮度可达540 cd.m-2,效率为4.5 lm.W-1。 展开更多

关键词 ZnAl2O4∶Mn薄膜 阴极射线发光 绿光发

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MA_(0.6)Cs_(0.4)PbBr_3钙钛矿发光二极管瞬态电致发光研究 被引量：2

9

作者 刘欢 毕文涛 +5 位作者 高逢强 胡煜峰 娄志东 邓振波 腾枫 侯延冰 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第1期89-96,共8页

为研究钙钛矿材料的发光特性和机理,制备了稳定的MA_(0.6)Cs_(0.4)Pb Br_3钙钛矿发光二极管,通过瞬态电致发光测试,分析了器件在脉冲电压下的电流和发光曲线。MA_(0.6)Cs_(0.4)Pb Br_3发光二极管在恒定的电流密度10 m A·cm^(-2)下... 为研究钙钛矿材料的发光特性和机理,制备了稳定的MA_(0.6)Cs_(0.4)Pb Br_3钙钛矿发光二极管,通过瞬态电致发光测试,分析了器件在脉冲电压下的电流和发光曲线。MA_(0.6)Cs_(0.4)Pb Br_3发光二极管在恒定的电流密度10 m A·cm^(-2)下,亮度从最大值衰减至一半持续时间超过30 min,保证了瞬态测试的准确性。在0.1～20 ms脉宽测试中,器件发光效率随时间增加,断电后有反向电流;在5.5～8.0 V的脉冲幅值测试中,低电压的亮度最先达到饱和;在0～2.0 V基准电压测试中,高基准电压时亮度值更低。分析瞬态测试结果,发现离子迁移(MA^+,Br^-)导致钙钛矿层的界面附近发生能带弯曲,使得载流子注入减弱,同时抑制了激子的离化,提高了激子复合几率。 展开更多

关键词 钙钛矿 瞬态电致发光 离子迁移 能带弯曲

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TBPe与MEH-PPV共掺杂的有机电致发光器件的优化研究

10

作者 姜磊 邓振波 +4 位作者 殷月红 李熊 朱丽杰 王越 滕枫 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第2期232-237,共6页

采用有机小分子TBPe(2,5,8,11-tetratertbutylperylene)以不同比例掺入MEH-PPV(poly[2-methoxy-5-(2-ethylhexyloxy)-1,4-phenylenevinylene])作为发光层,研究了TBPe不同掺杂比例对器件性能的影响,进而对发光强度进行优化。对于所制备的... 采用有机小分子TBPe(2,5,8,11-tetratertbutylperylene)以不同比例掺入MEH-PPV(poly[2-methoxy-5-(2-ethylhexyloxy)-1,4-phenylenevinylene])作为发光层,研究了TBPe不同掺杂比例对器件性能的影响,进而对发光强度进行优化。对于所制备的ITO/PEDOT∶PSS/MEH-PPV/TBPe/Al有机电致发光器件,TBPe的最优蒸镀厚度为0.5 nm,其发光强度相对于标准器件提高了325%。ITO/PEDOT∶PSS/MEH-PPV∶TBPe/TBPe/Liq/Al有机电致发光器件的最优掺杂比例为MEH-PPV∶TBPe=100∶30(质量比),其发光亮度相比于未掺杂器件提高了44%。在上述器件的基础上增加Alq3层提高电子注入,分别制作了Liq和LiF作为修饰层的ITO/PEDOT∶PSS/MEH-PPV∶TBPe/TBPe/Alq3/Liq/Al和ITO/PEDOT∶PSS/MEH-PPV∶TBPe/TBPe/Alq3/LiF/Al多层器件,发光亮度分别达到4 162 cd/m2和4 701 cd/m2。所有器件的电致发光波长均为580 nm,为MEH-PPV的发光,TBPe的掺杂对MEH-PPV的发光起到了增强作用。 展开更多

关键词 MEH-PPV 有机电致发光器件 TBPe 掺杂

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单核/双壳结构CdSe/CdS/ZnS纳米晶的合成与发光性质 被引量：11

11

作者 唐爱伟 滕枫 +3 位作者 高银浩 梁春军 徐征 王永生 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期234-238,共5页

以巯基乙酸为稳定剂,在水溶液中合成了单核/双壳结构的CdSe/CdS/ZnS纳米晶。在内核CdSe和外壳ZnS之间的内壳CdS作为晶格匹配调节层,能够很好的改善核/壳界面处的性能,而且,最外层ZnS能够最大程度地使激子受限。用TEM和XPS对纳米晶进行... 以巯基乙酸为稳定剂,在水溶液中合成了单核/双壳结构的CdSe/CdS/ZnS纳米晶。在内核CdSe和外壳ZnS之间的内壳CdS作为晶格匹配调节层,能够很好的改善核/壳界面处的性能,而且,最外层ZnS能够最大程度地使激子受限。用TEM和XPS对纳米晶进行了表征,并且用光致发光光谱和吸收光谱对不同核壳结构的纳米晶的发光性能进行了比较,结果表明单核/双壳结构的纳米晶具有更加优异的发光特性。 展开更多

关键词 单核/双壳 纳米晶 发光特性 表征

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稀土纳米发光材料的燃烧法制备及光谱性质 被引量：10

12

作者 常建军 黄世华 +4 位作者 彭洪尚 孟春霞 由芳田 吕少哲 孙聆东 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期231-234,共4页

用燃烧法制备了不同粒径的La2O3：Eu^3＋纳米微粒，研究了影响La2O3：Eu件纳米微粒大小的实验条件，发现粒径大小随甘氨酸（Gly）与稀土离子比例的增大而减小。制备的纳米微粒由谢乐公式计算的粒径尺寸为12-28nm。测量了样品的高分辨光... 用燃烧法制备了不同粒径的La2O3：Eu^3＋纳米微粒，研究了影响La2O3：Eu件纳米微粒大小的实验条件，发现粒径大小随甘氨酸（Gly）与稀土离子比例的增大而减小。制备的纳米微粒由谢乐公式计算的粒径尺寸为12-28nm。测量了样品的高分辨光谱。运用激光选择激发，研究了光谱在不同发光中心上的变化，表面态对于这些变化起着主要作用。 展开更多

关键词 燃烧法 稀土 纳米材料 LA2O3 EU^3+ 激光选择激发

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太阳能制氢技术研究进展 被引量：11

13

作者 黄金昭 徐征 +2 位作者 李海玲 亢国虎 王文静 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第9期947-954,共8页

利用太阳能制氢因其具有能够有效解决能源问题、形成可持续的能源体系以及减少温室气体及有害气体的排放等优点而得到了广泛的关注。介绍了基于传统概念上太阳能制氢技术的新方法、新工艺及新材料,分析了一些技术难点,最后论述了发展太... 利用太阳能制氢因其具有能够有效解决能源问题、形成可持续的能源体系以及减少温室气体及有害气体的排放等优点而得到了广泛的关注。介绍了基于传统概念上太阳能制氢技术的新方法、新工艺及新材料,分析了一些技术难点,最后论述了发展太阳能制氢技术的前景并指出了今后的研究方向。 展开更多

关键词 太阳能 光电化学 光催化

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有机无线射频识别技术的研究进展 被引量：7

14

作者 田雪雁 徐征 +3 位作者 赵谡玲 张福俊 袁广才 王赟 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期277-280,共4页

介绍了有机无线射频识别(RFID)标签的工作及制备技术原理。为了解决RFID标签的高成本一直制约RFID技术普及的问题,提出了采用有机半导体进行RFID标签制备的方案,分析了有机RFID标签的含义、构成、制备技术特点以及国外研究概况、未来市... 介绍了有机无线射频识别(RFID)标签的工作及制备技术原理。为了解决RFID标签的高成本一直制约RFID技术普及的问题,提出了采用有机半导体进行RFID标签制备的方案,分析了有机RFID标签的含义、构成、制备技术特点以及国外研究概况、未来市场状况等方面的内容。讨论了有机RFID与无机RFID标签在材料及加工工艺方面的区别,有机电子可以通过采用印刷工艺,完成大规模有机电路的集成,大大降低RFID标签的成本。指出有机RFID技术无论是生产材料还是生产方式都比无机RFID技术极具优势,符合未来商业化的要求及应用。 展开更多

关键词 无线射频识别技术 有机无线射频识别标签 有机集成电路 有机薄膜晶体管

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薄膜晶体管阵列四次光刻工艺中光刻胶灰化工艺的研究 被引量：7

15

作者 刘翔 王章涛 +2 位作者 崔祥彦 邓振波 邱海军 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期183-187,共5页

光刻胶灰化是薄膜晶体管四次光刻工艺的核心工艺之一。初步研究了用纯O2对光刻胶进行灰化的工艺,影响光刻胶灰化的主要因素有功率、气压和灰化气体的流量,经过一组正交实验,得到了功率、气压、灰化气体的流量对光刻胶的灰化速率和均匀... 光刻胶灰化是薄膜晶体管四次光刻工艺的核心工艺之一。初步研究了用纯O2对光刻胶进行灰化的工艺,影响光刻胶灰化的主要因素有功率、气压和灰化气体的流量,经过一组正交实验,得到了功率、气压、灰化气体的流量对光刻胶的灰化速率和均匀度的影响趋势。结果表明,功率是影响灰化速率的主要因素。通过不断地优化光刻胶的灰化条件,最终得到了理想的灰化条件,即功率为10500W,气压为26.7Pa,O2的流量为2000mL/min,灰化时间为91s。 展开更多

关键词 薄膜晶体管 四次光刻 光刻胶 灰化

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红外吸收光谱法研究磁控溅射沉积SiO_x非晶薄膜的过程 被引量：5

16

作者 王申伟 衣立新 +2 位作者 苏梦蟾 陈恩光 王永生 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期456-459,共4页

利用磁控溅射技术,在单晶Si衬底上生长了SiOx非晶薄膜。傅里叶变换红外吸收光谱(FTIR)显示,SiOx非晶薄膜存在3个吸收谱带。研究发现,随着溅射功率的提高,薄膜中先后形成Si-Oy-Si4-y(0<y≤4),Si6环以及无桥氧空位中心(NBOHC)缺陷等结... 利用磁控溅射技术,在单晶Si衬底上生长了SiOx非晶薄膜。傅里叶变换红外吸收光谱(FTIR)显示,SiOx非晶薄膜存在3个吸收谱带。研究发现,随着溅射功率的提高,薄膜中先后形成Si-Oy-Si4-y(0<y≤4),Si6环以及无桥氧空位中心(NBOHC)缺陷等结构,这几种结构对应的Si—O—Si键的伸缩振动吸收、非对称伸缩振动吸收以及O—Si—O键的振动吸收是导致薄膜的FTIR光谱出现3个吸收谱带的根本原因。 展开更多

关键词 SIOX 非晶薄膜 磁控溅射 红外吸收光谱

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液晶阵列四次光刻工艺中光刻胶灰化工艺的研究 被引量：5

17

作者 刘翔 王章涛 +2 位作者 崔祥彦 邓振波 邱海军 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期291-294,共4页

光刻胶的灰化是TFT四次光刻工艺的核心工艺之一,本文研究了TFT四次光刻工艺中光刻胶的灰化工艺,得到了功率、气压、灰化气体对光刻胶灰化速率和均匀度的影响趋势。研究表明,纯O2气体对光刻胶有很好的灰化作用,但其会导致下一层金属Mo的... 光刻胶的灰化是TFT四次光刻工艺的核心工艺之一,本文研究了TFT四次光刻工艺中光刻胶的灰化工艺,得到了功率、气压、灰化气体对光刻胶灰化速率和均匀度的影响趋势。研究表明,纯O2气体对光刻胶有很好的灰化作用,但其会导致下一层金属Mo的表面发生氧化,从而阻止下层金属的刻蚀。在灰化气体中加入少量SF6,能有效地去除生成的金属氧化物,提高下层金属的刻蚀速率。在优化的灰化工艺条件下,制作的TFT具有良好的电学特性。 展开更多

关键词 薄膜晶体管 灰化 四次光刻 光刻胶

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PBD在稀土配合物与PVK混合体系电致发光中的作用 被引量：5

18

作者 徐登辉 邓振波 +3 位作者 徐颖 肖静 梁春军 王瑞芬 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第8期1406-1410,共5页

研究了PBD以较低浓度与铽配合物[Tb(m-MBA)3phen]2.2H2O、PVK共掺杂体系的电致发光,制作了两类电致发光器件:ITO/PVK:Tb complex/PBD/LiF/Al,ITO/PVK:Tb complex:PBD/PBD/LiF/Al。在共掺杂的发光层中铽配合物的电致发光来源于两个途径,... 研究了PBD以较低浓度与铽配合物[Tb(m-MBA)3phen]2.2H2O、PVK共掺杂体系的电致发光,制作了两类电致发光器件:ITO/PVK:Tb complex/PBD/LiF/Al,ITO/PVK:Tb complex:PBD/PBD/LiF/Al。在共掺杂的发光层中铽配合物的电致发光来源于两个途径,一个是由PVK到铽配合物的能量传递,另一个是电子和空穴在铽配合物上直接复合发光。改变PBD在发光层中的掺杂比例,制得一系列器件,通过对其光谱和亮度的研究,发现PBD在较低浓度掺杂时器件的稳定性和亮度随掺杂浓度的增加而降低。通过分析认为PBD的加入对给体(PVK)到受体(Tb complex)的能量传递效率影响较小,主要是由于PBD的加入使得电子和空穴在PVK链间的跳跃受到限制,使在由PVK、铽配合物和PBD三者掺杂组成的发光层中,注入的电子和空穴不能有效地在铽配合物上复合,这样就会减少激子在铽配合物上直接复合的概率,而造成器件的亮度和效率降低。 展开更多

关键词 电致发光 能量传递 激子

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掺杂DCJTB聚合物电化学池(LEC)的发光性质 被引量：5

19

作者 李扬舟 滕枫 +1 位作者 雷月清 侯延冰 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期425-428,共4页

通过在聚合物电化学池（LEC）发光器件的发光材料MEH-PPV中掺杂红光染料DCJTB，对LEC器件的发光性质进行研究。基于器件结构为ITO／MEH-PPV＋PEO＋LiCF3 SO3／Al的薄膜LEC器件，其电致发光峰在570nm左右，通过在MEH-PPV与PEO的混合膜中... 通过在聚合物电化学池（LEC）发光器件的发光材料MEH-PPV中掺杂红光染料DCJTB，对LEC器件的发光性质进行研究。基于器件结构为ITO／MEH-PPV＋PEO＋LiCF3 SO3／Al的薄膜LEC器件，其电致发光峰在570nm左右，通过在MEH-PPV与PEO的混合膜中掺杂不同比例的红光染料DCJTB，随着掺杂比例的增加，器件的发光峰由570nm向红光波段移动，通过控制DCJTB的掺杂比例制备了发光峰在570-650nm连续变化的LEC电致发光器件。对其分析认为从LEC主体发光聚合物MEH-PPV到染料DCJTB间发生了良好的能量传递。 展开更多

关键词 聚合物发光电化学池 MEH-PPV 红光染料DCJTB 掺杂 能量传递

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ZBLAN∶Yb^(3+),Tm^(3+)双频共激发的上转换发光 被引量：14

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作者 窦京涛 侯延冰 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期85-88,共4页

首先测量了ZBLAN∶Yb3+,Tm3+分别在980nm和808nm激光激发下的400~600nm波段内的上转换发光光谱,在此基础上研究了980,808nm激光共激发下ZBLAN∶Yb3+,Tm3+的上转换发光特性。在测量过程中,分别改变输入激光功率,测量了上转换发光强度与... 首先测量了ZBLAN∶Yb3+,Tm3+分别在980nm和808nm激光激发下的400~600nm波段内的上转换发光光谱,在此基础上研究了980,808nm激光共激发下ZBLAN∶Yb3+,Tm3+的上转换发光特性。在测量过程中,分别改变输入激光功率,测量了上转换发光强度与泵浦激光输入功率的关系,由此绘制双对数曲线图,对上转换发光机制进行了分析。研究证明980nm激发为三光子过程、808nm激发为双光子过程,而980,808nm激光共同激发为共协过程。 展开更多

关键词 ZBLAN YB TM 上转换 双频共激发

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