太阳能制氢技术研究进展 被引量：11

1

作者 黄金昭 徐征 +2 位作者 李海玲 亢国虎 王文静 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第9期947-954,共8页

利用太阳能制氢因其具有能够有效解决能源问题、形成可持续的能源体系以及减少温室气体及有害气体的排放等优点而得到了广泛的关注。介绍了基于传统概念上太阳能制氢技术的新方法、新工艺及新材料,分析了一些技术难点,最后论述了发展太... 利用太阳能制氢因其具有能够有效解决能源问题、形成可持续的能源体系以及减少温室气体及有害气体的排放等优点而得到了广泛的关注。介绍了基于传统概念上太阳能制氢技术的新方法、新工艺及新材料,分析了一些技术难点,最后论述了发展太阳能制氢技术的前景并指出了今后的研究方向。 展开更多

关键词 太阳能 光电化学 光催化

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有机无线射频识别技术的研究进展 被引量：7

2

作者 田雪雁 徐征 +3 位作者 赵谡玲 张福俊 袁广才 王赟 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期277-280,共4页

介绍了有机无线射频识别(RFID)标签的工作及制备技术原理。为了解决RFID标签的高成本一直制约RFID技术普及的问题,提出了采用有机半导体进行RFID标签制备的方案,分析了有机RFID标签的含义、构成、制备技术特点以及国外研究概况、未来市... 介绍了有机无线射频识别(RFID)标签的工作及制备技术原理。为了解决RFID标签的高成本一直制约RFID技术普及的问题,提出了采用有机半导体进行RFID标签制备的方案,分析了有机RFID标签的含义、构成、制备技术特点以及国外研究概况、未来市场状况等方面的内容。讨论了有机RFID与无机RFID标签在材料及加工工艺方面的区别,有机电子可以通过采用印刷工艺,完成大规模有机电路的集成,大大降低RFID标签的成本。指出有机RFID技术无论是生产材料还是生产方式都比无机RFID技术极具优势,符合未来商业化的要求及应用。 展开更多

关键词 无线射频识别技术 有机无线射频识别标签 有机集成电路 有机薄膜晶体管

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态定(线性响应)-极化连续模型/含时密度泛函方法研究一种有机发光材料的吸收和发射光谱(英文) 被引量：5

3

作者 刘小君 林涛 +4 位作者 蔡新晨 高少伟 杨磊 马睿 张晋悦 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2012年第6期1329-1336,共8页

3-(二氰亚甲基)-5,5-二甲基-1-(3-[9-(2-乙基-己基)-咔唑基]-乙烯基)环己烷(DCDHCC)是一种用于光电器件中的有机染料,它具有良好的发光特性.我们使用含时密度泛函方法(TD-PBE0,TD-BMK和TD-M06)以及极化连续模型(PCM)计算了该材料在溶剂... 3-(二氰亚甲基)-5,5-二甲基-1-(3-[9-(2-乙基-己基)-咔唑基]-乙烯基)环己烷(DCDHCC)是一种用于光电器件中的有机染料,它具有良好的发光特性.我们使用含时密度泛函方法(TD-PBE0,TD-BMK和TD-M06)以及极化连续模型(PCM)计算了该材料在溶剂中的吸收和发射特性.计算中使用了线性响应(LR)、态定(SS)两种溶剂模型和6-31G(d)、6-31+G(d,p)两种基组.计算了DCDHCC在苯、四氢呋喃和丙酮溶剂中的吸收和发射光谱,并与实验观测进行了比较.结果表明:对于吸收光谱的计算,杂化函数的影响大于基组和溶剂模型,在三种函数中BMK更适于研究DCDHCC的吸收光谱;而对于发射光谱,基组的影响最大,基组通过影响激发态构型从而影响发射光谱,对于激发态构型的优化需要使用6-31+G(d,p)基组.我们希望这些研究能对今后设计类似的发光分子有帮助. 展开更多

关键词 含时密度泛函理论 态定极化连续模型 紫外-可见光谱 全局杂化 线性响应极化连续模型

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CdWO_4膜的制备及发光特性的研究 被引量：2

4

作者 娄志东 衣兰杰 +2 位作者 滕枫 杨盛谊 徐征 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期162-166,共5页

利用一种软化学合成方法——喷雾热解法,在玻璃基底上制备了钨酸镉(CdWO4)发光膜,研究了其结构、吸收光谱、光致发光及较低电压下的阴极射线发光特性。由吸收光谱估算出CdWO4膜的禁带宽度约为3.70 eV。当基底温度在350℃以上时,生成的Cd... 利用一种软化学合成方法——喷雾热解法,在玻璃基底上制备了钨酸镉(CdWO4)发光膜,研究了其结构、吸收光谱、光致发光及较低电压下的阴极射线发光特性。由吸收光谱估算出CdWO4膜的禁带宽度约为3.70 eV。当基底温度在350℃以上时,生成的CdWO4膜在紫外光及阴极射线激发下发出蓝绿光,其光谱为一宽蓝绿发光带。利用高斯函数进行拟合,发现此发光由3个发光带组成:一个峰值位于495 nm(2.51 eV)的主发光带,另外两个分别位于444 nm(2.80 eV)和545 nm(2.28 eV)的发光带。证实了峰值位于495 nm(2.51 eV)的主发光带和氧空位无关,是由阴离子络合物WO66-的发光引起的。研究了退火温度对CdWO4膜发光特性的影响。随着退火温度的升高,发光亮度和效率增大。样品的亮度随外加电压的增加而增大,没有观察到亮度饱和现象。经600℃下退火的CdWO4膜,在电子束电压为5 kV,电流密度为57μA/cm2的条件下,其阴极射线发光亮度可达420 cd/m2,效率达1.9 lm/W。研究结果表明,CdWO4发光膜有可能用在以玻璃为基底的平板显示器件中。 展开更多

关键词 发光膜 喷雾热解法 阴极射线发光 亮度和效率

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MA_(0.6)Cs_(0.4)PbBr_3钙钛矿发光二极管瞬态电致发光研究 被引量：2

5

作者 刘欢 毕文涛 +5 位作者 高逢强 胡煜峰 娄志东 邓振波 腾枫 侯延冰 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第1期89-96,共8页

为研究钙钛矿材料的发光特性和机理,制备了稳定的MA_(0.6)Cs_(0.4)Pb Br_3钙钛矿发光二极管,通过瞬态电致发光测试,分析了器件在脉冲电压下的电流和发光曲线。MA_(0.6)Cs_(0.4)Pb Br_3发光二极管在恒定的电流密度10 m A·cm^(-2)下... 为研究钙钛矿材料的发光特性和机理,制备了稳定的MA_(0.6)Cs_(0.4)Pb Br_3钙钛矿发光二极管,通过瞬态电致发光测试,分析了器件在脉冲电压下的电流和发光曲线。MA_(0.6)Cs_(0.4)Pb Br_3发光二极管在恒定的电流密度10 m A·cm^(-2)下,亮度从最大值衰减至一半持续时间超过30 min,保证了瞬态测试的准确性。在0.1～20 ms脉宽测试中,器件发光效率随时间增加,断电后有反向电流;在5.5～8.0 V的脉冲幅值测试中,低电压的亮度最先达到饱和;在0～2.0 V基准电压测试中,高基准电压时亮度值更低。分析瞬态测试结果,发现离子迁移(MA^+,Br^-)导致钙钛矿层的界面附近发生能带弯曲,使得载流子注入减弱,同时抑制了激子的离化,提高了激子复合几率。 展开更多

关键词 钙钛矿 瞬态电致发光 离子迁移 能带弯曲

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TBPe与MEH-PPV共掺杂的有机电致发光器件的优化研究

6

作者 姜磊 邓振波 +4 位作者 殷月红 李熊 朱丽杰 王越 滕枫 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第2期232-237,共6页

采用有机小分子TBPe(2,5,8,11-tetratertbutylperylene)以不同比例掺入MEH-PPV(poly[2-methoxy-5-(2-ethylhexyloxy)-1,4-phenylenevinylene])作为发光层,研究了TBPe不同掺杂比例对器件性能的影响,进而对发光强度进行优化。对于所制备的... 采用有机小分子TBPe(2,5,8,11-tetratertbutylperylene)以不同比例掺入MEH-PPV(poly[2-methoxy-5-(2-ethylhexyloxy)-1,4-phenylenevinylene])作为发光层,研究了TBPe不同掺杂比例对器件性能的影响,进而对发光强度进行优化。对于所制备的ITO/PEDOT∶PSS/MEH-PPV/TBPe/Al有机电致发光器件,TBPe的最优蒸镀厚度为0.5 nm,其发光强度相对于标准器件提高了325%。ITO/PEDOT∶PSS/MEH-PPV∶TBPe/TBPe/Liq/Al有机电致发光器件的最优掺杂比例为MEH-PPV∶TBPe=100∶30(质量比),其发光亮度相比于未掺杂器件提高了44%。在上述器件的基础上增加Alq3层提高电子注入,分别制作了Liq和LiF作为修饰层的ITO/PEDOT∶PSS/MEH-PPV∶TBPe/TBPe/Alq3/Liq/Al和ITO/PEDOT∶PSS/MEH-PPV∶TBPe/TBPe/Alq3/LiF/Al多层器件,发光亮度分别达到4 162 cd/m2和4 701 cd/m2。所有器件的电致发光波长均为580 nm,为MEH-PPV的发光,TBPe的掺杂对MEH-PPV的发光起到了增强作用。 展开更多

关键词 MEH-PPV 有机电致发光器件 TBPe 掺杂

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单核/双壳结构CdSe/CdS/ZnS纳米晶的合成与发光性质 被引量：11

7

作者 唐爱伟 滕枫 +3 位作者 高银浩 梁春军 徐征 王永生 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期234-238,共5页

以巯基乙酸为稳定剂,在水溶液中合成了单核/双壳结构的CdSe/CdS/ZnS纳米晶。在内核CdSe和外壳ZnS之间的内壳CdS作为晶格匹配调节层,能够很好的改善核/壳界面处的性能,而且,最外层ZnS能够最大程度地使激子受限。用TEM和XPS对纳米晶进行... 以巯基乙酸为稳定剂,在水溶液中合成了单核/双壳结构的CdSe/CdS/ZnS纳米晶。在内核CdSe和外壳ZnS之间的内壳CdS作为晶格匹配调节层,能够很好的改善核/壳界面处的性能,而且,最外层ZnS能够最大程度地使激子受限。用TEM和XPS对纳米晶进行了表征,并且用光致发光光谱和吸收光谱对不同核壳结构的纳米晶的发光性能进行了比较,结果表明单核/双壳结构的纳米晶具有更加优异的发光特性。 展开更多

关键词 单核/双壳 纳米晶 发光特性 表征

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薄膜晶体管阵列四次光刻工艺中光刻胶灰化工艺的研究 被引量：7

8

作者 刘翔 王章涛 +2 位作者 崔祥彦 邓振波 邱海军 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期183-187,共5页

光刻胶灰化是薄膜晶体管四次光刻工艺的核心工艺之一。初步研究了用纯O2对光刻胶进行灰化的工艺,影响光刻胶灰化的主要因素有功率、气压和灰化气体的流量,经过一组正交实验,得到了功率、气压、灰化气体的流量对光刻胶的灰化速率和均匀... 光刻胶灰化是薄膜晶体管四次光刻工艺的核心工艺之一。初步研究了用纯O2对光刻胶进行灰化的工艺,影响光刻胶灰化的主要因素有功率、气压和灰化气体的流量,经过一组正交实验,得到了功率、气压、灰化气体的流量对光刻胶的灰化速率和均匀度的影响趋势。结果表明,功率是影响灰化速率的主要因素。通过不断地优化光刻胶的灰化条件,最终得到了理想的灰化条件,即功率为10500W,气压为26.7Pa,O2的流量为2000mL/min,灰化时间为91s。 展开更多

关键词 薄膜晶体管 四次光刻 光刻胶 灰化

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掺杂DCJTB聚合物电化学池(LEC)的发光性质 被引量：5

9

作者 李扬舟 滕枫 +1 位作者 雷月清 侯延冰 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期425-428,共4页

通过在聚合物电化学池（LEC）发光器件的发光材料MEH-PPV中掺杂红光染料DCJTB，对LEC器件的发光性质进行研究。基于器件结构为ITO／MEH-PPV＋PEO＋LiCF3 SO3／Al的薄膜LEC器件，其电致发光峰在570nm左右，通过在MEH-PPV与PEO的混合膜中... 通过在聚合物电化学池（LEC）发光器件的发光材料MEH-PPV中掺杂红光染料DCJTB，对LEC器件的发光性质进行研究。基于器件结构为ITO／MEH-PPV＋PEO＋LiCF3 SO3／Al的薄膜LEC器件，其电致发光峰在570nm左右，通过在MEH-PPV与PEO的混合膜中掺杂不同比例的红光染料DCJTB，随着掺杂比例的增加，器件的发光峰由570nm向红光波段移动，通过控制DCJTB的掺杂比例制备了发光峰在570-650nm连续变化的LEC电致发光器件。对其分析认为从LEC主体发光聚合物MEH-PPV到染料DCJTB间发生了良好的能量传递。 展开更多

关键词 聚合物发光电化学池 MEH-PPV 红光染料DCJTB 掺杂 能量传递

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用含时密度泛函方法研究和设计推拉结构的荧光分子(英文) 被引量：4

10

作者 刘小君 林涛 +5 位作者 高少伟 马睿 张晋悦 蔡新晨 杨磊 滕枫 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2012年第6期1337-1346,共10页

应用密度泛函理论(DFT)和含时密度泛函理论(TDDFT)方法及连续极化模型研究了六种荧光材料分子基态和第一激发态的电子结构性质.这六种分子是:3-(二氰亚甲基)-5,5-二甲基-1-(3-[9-(2-乙基-己基)-咔唑基]-乙烯基)环己烷(DCDHCC),DCDHCC2,... 应用密度泛函理论(DFT)和含时密度泛函理论(TDDFT)方法及连续极化模型研究了六种荧光材料分子基态和第一激发态的电子结构性质.这六种分子是:3-(二氰亚甲基)-5,5-二甲基-1-(3-[9-(2-乙基-己基)-咔唑基]-乙烯基)环己烷(DCDHCC),DCDHCC2,3-(二氰亚甲基)-5,5-二甲基-1-(4-二苯基氨基-苯乙烯基)环己烷(DCDPC),DCDPC2,3-(二氰亚甲基)-5,5-二甲基-1-(4-[9-咔唑基]-乙烯基)环己烷(DCDCC)和3-(二氰亚甲基)-5,5-二甲基-1-(4-二甲基氨基-苯乙烯基)环己烷(DCDDC).它们可作为有机发光显示器件的发光材料.比较了PBE0、M06、BMK、M062X和CAM-B3LYP五种泛函,其中BMK方法很好地再现了各个分子在丙酮溶剂中的吸收和发射光谱.同时计算了分子的电子亲和能和电离势并用于评价分子的电荷注入性质.研究表明,当使用双π桥和双受体时,分子的发射光谱会红移到理想的发光区域.据此设计了两个新的分子DCDCC2和DCDDC2,它们分别是DCDCC和DCDDC的双支对应分子.计算结果表明这两个分子也具有作为荧光发射体的良好性质. 展开更多

关键词 密度泛函理论 含时密度泛函理论 连续极化模型 荧光分子 分子设计

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ZBLAN∶Yb^(3+),Tm^(3+)双频共激发的上转换发光 被引量：14

11

作者 窦京涛 侯延冰 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期85-88,共4页

首先测量了ZBLAN∶Yb3+,Tm3+分别在980nm和808nm激光激发下的400~600nm波段内的上转换发光光谱,在此基础上研究了980,808nm激光共激发下ZBLAN∶Yb3+,Tm3+的上转换发光特性。在测量过程中,分别改变输入激光功率,测量了上转换发光强度与... 首先测量了ZBLAN∶Yb3+,Tm3+分别在980nm和808nm激光激发下的400~600nm波段内的上转换发光光谱,在此基础上研究了980,808nm激光共激发下ZBLAN∶Yb3+,Tm3+的上转换发光特性。在测量过程中,分别改变输入激光功率,测量了上转换发光强度与泵浦激光输入功率的关系,由此绘制双对数曲线图,对上转换发光机制进行了分析。研究证明980nm激发为三光子过程、808nm激发为双光子过程,而980,808nm激光共同激发为共协过程。 展开更多

关键词 ZBLAN YB TM 上转换 双频共激发

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超薄层在白色有机电致发光器件中的应用 被引量：6

12

作者 邓召儒 杨盛谊 +1 位作者 孟令川 娄志东 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2008年第4期700-704,共5页

以DCJTB为掺杂剂,以BCP为空穴阻挡层,研究了两种结构的有机电致发光器件ITO/NPB/BCP/Alq3∶DCJTB/Alq3/Al(结构A)和ITO/NPB/BCP/Alq3/Alq3∶DCJTB/Alq3/Al(结构B)的电致发光光谱.实验结果显示,在结构A器件的电致发光光谱中,绿光的相对... 以DCJTB为掺杂剂,以BCP为空穴阻挡层,研究了两种结构的有机电致发光器件ITO/NPB/BCP/Alq3∶DCJTB/Alq3/Al(结构A)和ITO/NPB/BCP/Alq3/Alq3∶DCJTB/Alq3/Al(结构B)的电致发光光谱.实验结果显示,在结构A器件的电致发光光谱中,绿光的相对发光强度较弱,增加Alq3层的厚度对绿光的相对发光强度的影响也很小;而在结构B器件的电致发光光谱中,BCP层与掺杂层(Alq3∶DCJTB)之间的Alq3薄层对绿光的相对发光强度影响显著,用很薄的Alq3层就可以得到强的绿光发射.进一步改变器件结构,利用有机超薄层就可以得到稳定的白光器件ITO/NPB(50nm)/BCP(3nm)/Alq3(3nm)/Alq3∶DCJTB(1%(w))(5nm)/Alq3(7nm)/Al.随着电压的增加(14-18V),该器件的色坐标基本保持在(0.33,0.37)处不动;在432mA·cm-2的电流密度下,该器件的发光亮度可达11521cd·m-2. 展开更多

关键词 白色有机电致发光器件 超薄层 空穴阻挡层

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一种新型铽、钆稀土配合物的发光特性 被引量：3

13

作者 程宝妹 邓振波 +2 位作者 梁春军 徐登辉 王瑞芬 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期882-886,共5页

合成了一种新型的铽、钆稀土配合物TbGd(BA)6(bipy)2,把它作为发光材料应用于有机电致发光器件中。为改善稀土配合物的载流子传输能力并避免其在真空蒸发时的热分解,实验中将铽、钆稀土配合物TbGd(BA)6(bipy)2掺入高分子导电聚合物Poly(... 合成了一种新型的铽、钆稀土配合物TbGd(BA)6(bipy)2,把它作为发光材料应用于有机电致发光器件中。为改善稀土配合物的载流子传输能力并避免其在真空蒸发时的热分解,实验中将铽、钆稀土配合物TbGd(BA)6(bipy)2掺入高分子导电聚合物Poly(N-vinycarbazole)(PVK)中,用旋涂的方式制备发光层,并制成电致发光器件。通过测量器件的光致和电致发光光谱,均得到纯正的、明亮的Tb3+离子的绿光发射,四个特征峰分别位于489,545,585,620nm,分别对应着能级5D4→7FJ(J=6,5,4,3)的跃迁。讨论了共混体系的发光特性和能量传递机理。稀土配合物的光致发光是由于外部直接激发及PVK到稀土配合物的能量传递。电致发光有两个途径,PVK到稀土配合物的能量传递及载流子的直接俘获。在双层器件中,发光区域随Alq3厚度变化,尤其是在高电压下,激子复合区域移向Alq3一侧。优化后,多层器件在电压为13V时,达到最高亮度183cd/m2,得到明亮的铽的绿色发光。 展开更多

关键词 铽配合物 发光特性 能量传递 稀土配合物

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稀土离子掺杂的铝酸锌膜的低压阴极射线发光 被引量：2

14

作者 娄志东 衣兰杰 +2 位作者 滕枫 徐征 杨盛谊 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期294-300,共7页

在空气中采用喷雾热解法合成了稀土铕(Eu)、铽(Tb)及铥(Tm)掺杂的铝酸锌(ZnAl_2O_4)发光膜,研究了合成条件对其阴极射线发光特性的影响。ZnAl_2O_4:Tb^(31)、ZnAl_2O_4:Tm^(3+)及ZnAl_2O_4:Eu^(31)膜分别发出主峰位于555 nm的绿光、主... 在空气中采用喷雾热解法合成了稀土铕(Eu)、铽(Tb)及铥(Tm)掺杂的铝酸锌(ZnAl_2O_4)发光膜,研究了合成条件对其阴极射线发光特性的影响。ZnAl_2O_4:Tb^(31)、ZnAl_2O_4:Tm^(3+)及ZnAl_2O_4:Eu^(31)膜分别发出主峰位于555 nm的绿光、主峰位于478 nm的蓝光及主峰位于616 nm的红光。上述发光均可在低退火温度(700℃以下)下获得,因此可以使用玻璃作为基底。同时研究了样品发光的色坐标和色纯度,并与标准的红、绿、蓝粉的色品度进行了比较。样品的亮度和效率都随外加电压的增加而增大,没有观察到亮度饱和现象。此外,Eu掺杂的ZnAl_2O_4膜在850℃以上、还原气氛中退火后呈现Eu^(2+)的特征发射——宽的蓝发射带。 展开更多

关键词 阴极射线发光 喷雾热解法 色坐标和色纯度

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利用多周期量子阱结构提高有机发光二极管的效率 被引量：3

15

作者 朱海娜 徐征 郑宁 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2013年第2期188-193,共6页

研究了几种具有不同周期数的量子阱结构和不同势垒层厚度的有机电致发光器件的特性。器件中的量子阱结构是由tris-(8-hydroxyquinoline)aluminum(Alq3)和2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline(BCP)两种材料制备的。其中Alq3... 研究了几种具有不同周期数的量子阱结构和不同势垒层厚度的有机电致发光器件的特性。器件中的量子阱结构是由tris-(8-hydroxyquinoline)aluminum(Alq3)和2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline(BCP)两种材料制备的。其中Alq3层作为电子的势阱层,BCP层作为电子的势垒层。实验结果表明,两个周期的阱结构器件的电流效率最高,为3.46cd/A,大约是传统三层结构器件的1.6倍。器件电流效率的提高是由于当阱结构周期数增加时,阱结构对载流子的限制作用会增强,这使得势阱层(发光层)中激子的形成几率增大,因此器件效率提高。但是当量子阱周期数太大时,电流效率反而会降低。在实验过程中,还研究了不同势垒层厚度对器件特性的影响。实验结果表明,选用适当的阱结构周期数和适当的势垒层厚度,可以提高有机电致发光器件的性能。 展开更多

关键词 有机量子阱结构 电致发光 亮度 电流效率

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掺杂DCJTB聚乙烯咔唑的发光性质 被引量：2

16

作者 滕枫 唐爱伟 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期957-961,共5页

研究了PVK∶DCJTB体系的发光特性。实验结果表明,PVK∶DCJTB薄膜光激发时,PVK和DCJTB之间存在能量传递,DCJTB的浓度从1%增加到2%,能量传递效率明显增强,但仍然不充分。引入Alq3层后的PVK∶DCJTB/Alq3双层薄膜,PVK的发光被有效地抑制了,A... 研究了PVK∶DCJTB体系的发光特性。实验结果表明,PVK∶DCJTB薄膜光激发时,PVK和DCJTB之间存在能量传递,DCJTB的浓度从1%增加到2%,能量传递效率明显增强,但仍然不充分。引入Alq3层后的PVK∶DCJTB/Alq3双层薄膜,PVK的发光被有效地抑制了,Alq3明显促进了PVK向DCJTB的能量传递效率,说明Alq3起到了能量传递的"桥梁"作用。而结构为ITO/PVK∶DCJTB/Alq3/LiF(1nm)/Al的器件的电致发光光谱与光致发光光谱明显不同。电致发光时,Alq3层的发光的相对强度比光致发光时大许多,而且发光强度随着驱动电压的增加而增强,说明随电压的增加,有更多的空穴注入到Alq3层,致使载流子在Alq3层的复合几率随电场的增强而增大。 展开更多

关键词 能量传递 有机电致发光 光致发光 掺杂

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基于聚苯撑苯并二恶唑的多功能光电器件 被引量：1

17

作者 张晓晋 何志群 +4 位作者 梁春军 赵环 张智 庄启昕 韩哲文 《北京交通大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期131-134,共4页

首次报道了基于全共轭高分子材料聚苯撑苯并二恶唑(PBO)作为空穴传导材料及电子给体,富勒烯(C60)作为电子传输层及电子受体的双层异质结器件.研究发现:该结构器件具有明显的光伏响应特征,开路电压达0.76 V,短路电流0.07 mA/cm2;而且在... 首次报道了基于全共轭高分子材料聚苯撑苯并二恶唑(PBO)作为空穴传导材料及电子给体,富勒烯(C60)作为电子传输层及电子受体的双层异质结器件.研究发现:该结构器件具有明显的光伏响应特征,开路电压达0.76 V,短路电流0.07 mA/cm2;而且在正向偏压下,器件还表现出了较强的激基复合物电致发光现象,在7.1 V偏压下,器件的亮度达5.3×103 cd/m2,而器件的最高发光效率可达1.8 cd/A.该研究表明,基于PBO/C60双层异质结的多功能光电器件具有较好的开发价值和应用前景. 展开更多

关键词 有机光电子学 多功能光电器件 电致发光 光生伏特

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Si基CeO_2薄膜的发光特性

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作者 王申伟 衣立新 +2 位作者 丁甲成 高靖欣 王永生 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期762-766,共5页

利用电子束蒸发技术在p型硅衬底上沉积了200 nm厚的CeO2薄膜样品,将样品置于弱还原气氛中高温退火后,观察到薄膜在385,418 nm以及445 nm左右出现三个明显的发光峰。结合激发光谱、吸收光谱以及XRD分析表明：CeO2薄膜在高温下容易发生失... 利用电子束蒸发技术在p型硅衬底上沉积了200 nm厚的CeO2薄膜样品,将样品置于弱还原气氛中高温退火后,观察到薄膜在385,418 nm以及445 nm左右出现三个明显的发光峰。结合激发光谱、吸收光谱以及XRD分析表明：CeO2薄膜在高温下容易发生失氧反应,出现Ce4＋→Ce3＋离子转变,Ce3＋离子在紫外光的激发下,电子由O2p跃迁到5d能级,再由5d能级向4f能级跃迁,从而产生强烈的蓝紫外发射,而445 nm左右的发光峰则来自于SiO2薄膜的缺陷发光。样品选择9001 200℃不同温度退火,并且在1 200℃下进行了不同时间的退火。研究结果显示：在1 200℃下进行2 h的退火,薄膜发光强度达到最大。 展开更多

关键词 CEO2 光致发光 能量传递

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2(Ba_(1-x)Sr_xO)(1-y)P_2O_5·yB_2O_3∶Eu^(2+)的发光性能(英文)

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作者 何大伟 刘春棠 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期887-890,共4页

合成了系列2(Ba1 -xSrxO) (1 -y)P2O5·yB2O3∶Eu2 +样品,研究了样品在长波紫外区域的激发光谱和发射光谱。从激发谱可以看出:2(BaO)(1 -y)P2O5·yB2O3∶Eu2 +在300 ~380 nm附近区域有很强的吸收带,在380 nm紫外光激发下,2(BaO)... 合成了系列2(Ba1 -xSrxO) (1 -y)P2O5·yB2O3∶Eu2 +样品,研究了样品在长波紫外区域的激发光谱和发射光谱。从激发谱可以看出:2(BaO)(1 -y)P2O5·yB2O3∶Eu2 +在300 ~380 nm附近区域有很强的吸收带,在380 nm紫外光激发下,2(BaO)·(1 -y)P2O5·yB2O3∶Eu2 +的发射带位于400 ~430 nm;在2(Ba1 -xSrxO)-(1 -y)P2O5·yB2O3∶Eu2 +的系列样品中,当x>0.2时,随着x的增大,基质晶格在330 ~380 nm吸收带整体向低能方向移动了40 nm;在147 nm激发下的发射谱是主峰值位于478 nm的蓝绿光发射。 展开更多

关键词 稀土 紫外激发 发光

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ZnSe(ZnS)纳米晶与MEH-PPV的共掺有机电致发光器件 被引量：6

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作者 殷月红 邓振波 +3 位作者 伦建超 吕昭月 杜海亮 王永生 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期171-175,共5页

采用水相法合成核壳结构ZnSe/ZnS纳米晶,经X射线衍射(XRD)分析和透射电子显微镜(TEM)表征,证实所制备的样品为立方晶型闪锌矿结构ZnSe/ZnS量子点。按照一定的质量比将ZnSe/ZnS纳米晶和有机聚合物MEH-PPV(poly[2-methoxy-5-(2'-ethyl... 采用水相法合成核壳结构ZnSe/ZnS纳米晶,经X射线衍射(XRD)分析和透射电子显微镜(TEM)表征,证实所制备的样品为立方晶型闪锌矿结构ZnSe/ZnS量子点。按照一定的质量比将ZnSe/ZnS纳米晶和有机聚合物MEH-PPV(poly[2-methoxy-5-(2'-ethyl hexyloxy-p-phenylenevinylene)])共掺并将其作为发光层,分别制备单层和多层有机电致发光器件,结构为ITO/MEH-PPV∶ZnSe(ZnS)(50 nm)/Al和ITO/PEDOT∶PSS(70nm)/MEH-PPV∶ZnSe(ZnS)(50 nm)/BCP(15 nm)/Alq3(12 nm)/LiF(0.5 nm)/Al。实验结果表明,多层发光器件的发光特性与单层器件不同,工作电压的增大使其发光峰发生了明显的蓝移。 展开更多

关键词 ZnSe/ZnS 纳米晶 MEH-PPV 电致发光

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