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PECVD沉积氮化硅膜的工艺研究 被引量:21
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作者 刘志平 赵谡玲 +2 位作者 徐征 刘金虎 李栋才 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期54-59,共6页
采用等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)法在晶体硅太阳电池表面镀上一层氮化硅减反射膜,通过数值分析和实验研究的方法讨论了压强、SiH_4/NH_3比、总气体流量及时间等工艺参数对镀膜速率、折射率和镀膜均匀性及钝化效果的影响。在温度... 采用等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)法在晶体硅太阳电池表面镀上一层氮化硅减反射膜,通过数值分析和实验研究的方法讨论了压强、SiH_4/NH_3比、总气体流量及时间等工艺参数对镀膜速率、折射率和镀膜均匀性及钝化效果的影响。在温度为450℃、NH_3/SiH_4=8:1、总气体流量为4320sccm、压力为170Pa、沉积时间为720s的条件下生长出平均膜厚为75nm、折射率为2.05、少子寿命相对较高的氮化硅膜,且应用于单晶整舟为168片的管式PECVD设备,片间膜厚级差在5nm以内,而折射率级差在0.3以内,少子寿命可提高约30%。 展开更多
关键词 PECVD 氮化硅 镀膜工艺 少子寿命
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晶体硅太阳电池扩散工艺研究 被引量:6
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作者 刘金虎 徐征 +2 位作者 赵谡玲 刘志平 李栋才 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第8期1375-1380,共6页
作为晶体硅太阳电池制作的心脏环节,扩散的效果也就是扩散后方块电阻的均匀性显得尤为重要。影响方块电阻均匀性的主要因素有:大小氮的流量、O2的流量、通源时间、再分布时间和中心温度。通过逐一改变这些因素,分析所得数据,得到一个能... 作为晶体硅太阳电池制作的心脏环节,扩散的效果也就是扩散后方块电阻的均匀性显得尤为重要。影响方块电阻均匀性的主要因素有:大小氮的流量、O2的流量、通源时间、再分布时间和中心温度。通过逐一改变这些因素,分析所得数据,得到一个能有效控制方块电阻大小、使方块电阻均匀性达到最佳的规律:大小氮流量的变化共同影响方块电阻均匀性;方块电阻大小的改变主要靠温度、时间、小氮的流量的改变来调节。通过以上实验规律的研究,便于常规工艺的调试和高方块电阻工艺中高方块电阻的制备和极差的优化。 展开更多
关键词 扩散工艺 通源时间 再分布时间 方块电阻 均匀性
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多晶硅太阳电池预处理及退火工艺研究 被引量:3
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作者 张鹏 徐征 +2 位作者 赵谡玲 田玉华 王庆伟 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第1期134-138,共5页
在沉积氮化硅薄膜之前采用氨气电离出氢等离子体,先对硅片进行氢等离子体预处理,通过数值分析和实验方法分别研究预处理时间、功率、温度、压力等各参数对钝化效果以及电学性能的影响。在预处理温度450~C,时间200s,射频功率4000W,... 在沉积氮化硅薄膜之前采用氨气电离出氢等离子体,先对硅片进行氢等离子体预处理,通过数值分析和实验方法分别研究预处理时间、功率、温度、压力等各参数对钝化效果以及电学性能的影响。在预处理温度450~C,时间200s,射频功率4000W,气体压强200Pa,氨气流量4000sccm/min时,短路电流提高约4%。采用等离子体增强型的化学气相沉积(PECVD)法,在电池表面镀上一层氮化硅膜,实验证实氢等离子体会透过氮化硅进入到硅基体内,从而使少子寿命提高约51xs。低温退火实验表明,430~440%为最优温度,随时间的增加,短路电流有明显提升。 展开更多
关键词 PECVD 氮化硅薄膜 等离子体预处理 少子寿命 退火
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有机溶剂对太阳能电池银浆丝网印刷影响的研究 被引量:2
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作者 王庆伟 徐征 +1 位作者 赵谡玲 胡盛华 《贵金属》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期22-26,共5页
分别以不同比例的松油醇混合相同质量的银浆(9组),在流畅、无断栅虚印等不良状况的前提下进行丝网印刷、烧结,得出不同高宽比的印刷栅线及相应电性能参数。引入丝网印刷产能计算公式评价各组优劣情况,以获得最优实验组。实验证明有机溶... 分别以不同比例的松油醇混合相同质量的银浆(9组),在流畅、无断栅虚印等不良状况的前提下进行丝网印刷、烧结,得出不同高宽比的印刷栅线及相应电性能参数。引入丝网印刷产能计算公式评价各组优劣情况,以获得最优实验组。实验证明有机溶剂的添加对银浆粘度有着灵敏的调节作用。随着添加溶剂质量分数的增大,银浆粘度逐渐降低,以此提高了印刷速度,但速度存在峰值,即溶剂用量必须维持在特定的范围内,才能在保证单片电性能的同时通过提高印刷流畅性获得更大的产能。 展开更多
关键词 物理化学 太阳能电池 有机溶剂 松油醇 产能计算公式
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单晶硅太阳电池酸制绒双层膜工艺研究
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作者 钟思华 徐征 +3 位作者 赵谡玲 胡盛华 苏深伟 胡井生 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第12期2420-2424,共5页
将酸制绒方式与双层膜工艺进行结合,研究发现酸制绒电池片跟碱制绒电池片相比,除短路电流和效率略低外,开路电压、并联电阻和反向漏电流均有明显优势。在双层膜工艺中,当第一层膜的镀膜时间小于180 s(膜厚小于34.6 nm)时,随镀膜时间增加... 将酸制绒方式与双层膜工艺进行结合,研究发现酸制绒电池片跟碱制绒电池片相比,除短路电流和效率略低外,开路电压、并联电阻和反向漏电流均有明显优势。在双层膜工艺中,当第一层膜的镀膜时间小于180 s(膜厚小于34.6 nm)时,随镀膜时间增加,总反射率降低,尤其是短波范围,短路电流也因此增加;但大于180 s后,随镀膜时间增加,虽然短波反射率仍降低,短路电流却有所下降。 展开更多
关键词 单晶硅 酸制绒 双层膜 低反射率 反向漏电流
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