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电子阻挡层对UV LED芯片老化后反向漏电的影响
被引量：
1
1
作者
孟锡俊
王晓东
+2 位作者
闫建昌
曾一平
李晋闽
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021年第2期139-143,157,共6页
着重对紫外(UV)LED芯片的反向漏电进行研究,使用高Al组分的AlGaN材料作为LED外延结构中的电子阻挡层(EBL),旨在解决UV LED芯片在老化后的漏电问题。结果表明,高Al组分的AlGaN EBL凭借其足够高的势垒高度,可以有效降低电子泄漏水平,从而...
着重对紫外(UV)LED芯片的反向漏电进行研究,使用高Al组分的AlGaN材料作为LED外延结构中的电子阻挡层(EBL),旨在解决UV LED芯片在老化后的漏电问题。结果表明,高Al组分的AlGaN EBL凭借其足够高的势垒高度,可以有效降低电子泄漏水平,从而改善UV LED芯片在老化后的反向漏电问题。选取365~415 nm波段、量子阱禁带宽度为3.0~3.4 eV的外延片为研究对象,研究了EBL工艺对老化后芯片漏电性能的影响,得到AlGaN EBL的最佳Al组分为30%~40%,对应禁带宽度为4.0~4.3 eV。使用该方法制作的UV LED芯片在经过长时间老化后,其漏电流可以保持在1 nA以下,综合性能大幅提升。
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关键词
紫外(UV)LED
电子泄漏
电子阻挡层(EBL)
反向漏电
老化
在线阅读
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职称材料
ITO/Al复合透明导电薄膜对紫外LED光电性能的提升
被引量：
2
2
作者
王雪
崔志勇
+5 位作者
王兵
薛建凯
张向鹏
段瑞飞
曾一平
李晋闽
《半导体技术》
CAS
北大核心
2020年第9期680-684,共5页
通过在氧化铟锡(ITO)薄膜上蒸镀金属Al,获得ITO/Al复合透明导电薄膜,研究了不同退火条件下不同Al金属层厚度的复合透明导电薄膜的方块电阻和在紫外波段的透过率。结果表明,在ITO薄膜上蒸镀2 nm厚的Al层,经550℃退火后,金属Al在ITO薄膜...
通过在氧化铟锡(ITO)薄膜上蒸镀金属Al,获得ITO/Al复合透明导电薄膜,研究了不同退火条件下不同Al金属层厚度的复合透明导电薄膜的方块电阻和在紫外波段的透过率。结果表明,在ITO薄膜上蒸镀2 nm厚的Al层,经550℃退火后,金属Al在ITO薄膜上形成粒径约为10 nm的颗粒,增加了薄膜表面的粗糙度,得到的复合透明导电薄膜的方块电阻和在紫外波段透过率的综合性能最佳,在360~410 nm波长的平均透过率大于95%,且方块电阻为22.8Ω/□。采用ITO/Al(100 nm/2 nm)复合透明导电薄膜制备了390 nm紫外发光二极管(LED)芯片(尺寸为325μm×275μm),与用ITO薄膜制备的LED芯片相比,其光电转换效率提升了约3%,饱和电流提升了15.00%,饱和光功率提升了15.04%。研究结果表明,采用ITO/Al复合透明导电薄膜可有效提升紫外LED的光电性能。
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关键词
氧化铟锡(ITO)
ITO/Al
透明导电膜
紫外发光二极管(LED)
光电性能
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职称材料
题名
电子阻挡层对UV LED芯片老化后反向漏电的影响
被引量：
1
1
作者
孟锡俊
王晓东
闫建昌
曾一平
李晋闽
机构
山西
中科
潞安紫外光电
科技
有限公司
北京中科优唯科技有限公司
中国科学院半导体研究所
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021年第2期139-143,157,共6页
基金
国家重点研发计划项目(2017YFB0404202)。
文摘
着重对紫外(UV)LED芯片的反向漏电进行研究,使用高Al组分的AlGaN材料作为LED外延结构中的电子阻挡层(EBL),旨在解决UV LED芯片在老化后的漏电问题。结果表明,高Al组分的AlGaN EBL凭借其足够高的势垒高度,可以有效降低电子泄漏水平,从而改善UV LED芯片在老化后的反向漏电问题。选取365~415 nm波段、量子阱禁带宽度为3.0~3.4 eV的外延片为研究对象,研究了EBL工艺对老化后芯片漏电性能的影响,得到AlGaN EBL的最佳Al组分为30%~40%,对应禁带宽度为4.0~4.3 eV。使用该方法制作的UV LED芯片在经过长时间老化后,其漏电流可以保持在1 nA以下,综合性能大幅提升。
关键词
紫外(UV)LED
电子泄漏
电子阻挡层(EBL)
反向漏电
老化
Keywords
ultraviolet(UV)LED
electron leakage
electron blocking layer(EBL)
reverse leakage
aging
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
TN304.26 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
ITO/Al复合透明导电薄膜对紫外LED光电性能的提升
被引量：
2
2
作者
王雪
崔志勇
王兵
薛建凯
张向鹏
段瑞飞
曾一平
李晋闽
机构
北京中科优唯科技有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2020年第9期680-684,共5页
基金
国家重点研发计划资助项目(2017YFB0404202)。
文摘
通过在氧化铟锡(ITO)薄膜上蒸镀金属Al,获得ITO/Al复合透明导电薄膜,研究了不同退火条件下不同Al金属层厚度的复合透明导电薄膜的方块电阻和在紫外波段的透过率。结果表明,在ITO薄膜上蒸镀2 nm厚的Al层,经550℃退火后,金属Al在ITO薄膜上形成粒径约为10 nm的颗粒,增加了薄膜表面的粗糙度,得到的复合透明导电薄膜的方块电阻和在紫外波段透过率的综合性能最佳,在360~410 nm波长的平均透过率大于95%,且方块电阻为22.8Ω/□。采用ITO/Al(100 nm/2 nm)复合透明导电薄膜制备了390 nm紫外发光二极管(LED)芯片(尺寸为325μm×275μm),与用ITO薄膜制备的LED芯片相比,其光电转换效率提升了约3%,饱和电流提升了15.00%,饱和光功率提升了15.04%。研究结果表明,采用ITO/Al复合透明导电薄膜可有效提升紫外LED的光电性能。
关键词
氧化铟锡(ITO)
ITO/Al
透明导电膜
紫外发光二极管(LED)
光电性能
Keywords
indium tin oxide(ITO)
ITO/Al
transparent conductive films
ultraviolet light emitting diode(LED)
optoelectronic property
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
电子阻挡层对UV LED芯片老化后反向漏电的影响
孟锡俊
王晓东
闫建昌
曾一平
李晋闽
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
ITO/Al复合透明导电薄膜对紫外LED光电性能的提升
王雪
崔志勇
王兵
薛建凯
张向鹏
段瑞飞
曾一平
李晋闽
《半导体技术》
CAS
北大核心
2020
2
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