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Ⅱ-Ⅵ族稀磁半导体ZnSe/Zn_(1-x)Mn_xSe超晶格中的应力效应
1
作者
李晓莅
陈唏
+5 位作者
刘继周
陈辰嘉
王学忠
凌震
王迅
吕少哲
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997年第2期1-7,共7页
本文通过Ⅱ－Ⅵ族稀磁半导体超晶格ＺｎＳｅ／Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ的光致发光谱的测量，对其应力效应进行了讨论。样品的组分ｘ＝０．２，０．３，０．４，测量温度为Ｔ＝１１～３００Ｋ。结果表明：由于应力效应，ＺｎＳｅ／Ｚｎ１－...
本文通过Ⅱ－Ⅵ族稀磁半导体超晶格ＺｎＳｅ／Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ的光致发光谱的测量，对其应力效应进行了讨论。样品的组分ｘ＝０．２，０．３，０．４，测量温度为Ｔ＝１１～３００Ｋ。结果表明：由于应力效应，ＺｎＳｅ／Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ超晶格中的激子能量随ｘ值增加而发生红移。在相同组分下，不同阱、垒宽度比使应力的分布产生明显变化，从而影响超晶格中激子能量，实验与理论计算结果相一致。超晶格中光致发光峰随温度的变化主要由其阱中ＺｎＳｅ能隙的变化所决定。
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关键词
超晶格
光致发光谱
应力效应
稀磁半导体
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职称材料
题名
Ⅱ-Ⅵ族稀磁半导体ZnSe/Zn_(1-x)Mn_xSe超晶格中的应力效应
1
作者
李晓莅
陈唏
刘继周
陈辰嘉
王学忠
凌震
王迅
吕少哲
机构
北京
大学
物理
系
北京中国科学院激发态物理开放实验室
复旦大学应用表面
物理
实验室
中国科学院
激发态
物理
开放实验室
中国科学院
长春
物理
所
出处
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997年第2期1-7,共7页
基金
国家自然科学基金
文摘
本文通过Ⅱ－Ⅵ族稀磁半导体超晶格ＺｎＳｅ／Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ的光致发光谱的测量，对其应力效应进行了讨论。样品的组分ｘ＝０．２，０．３，０．４，测量温度为Ｔ＝１１～３００Ｋ。结果表明：由于应力效应，ＺｎＳｅ／Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ超晶格中的激子能量随ｘ值增加而发生红移。在相同组分下，不同阱、垒宽度比使应力的分布产生明显变化，从而影响超晶格中激子能量，实验与理论计算结果相一致。超晶格中光致发光峰随温度的变化主要由其阱中ＺｎＳｅ能隙的变化所决定。
关键词
超晶格
光致发光谱
应力效应
稀磁半导体
Keywords
Diluted magnetic semiconductors, Photoluminescence spectra, Strain effects
分类号
TN304.25 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Ⅱ-Ⅵ族稀磁半导体ZnSe/Zn_(1-x)Mn_xSe超晶格中的应力效应
李晓莅
陈唏
刘继周
陈辰嘉
王学忠
凌震
王迅
吕少哲
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997
0
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