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高频响MEMS压力传感器设计与制备 被引量:10
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作者 梁庭 薛胜方 +3 位作者 雷程 王文涛 李志强 单存良 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2021年第6期6-10,共5页
高频响MEMS压力传感器,常用于各项高速冲击波动态测试,能够完整地呈现和评估测试当场下的动态效果。高频高压高温芯片的加工与刚性封装外壳是高频响MEMS压力传感器的研究难点。文中通过设计仿真、工艺加工试验及封装测试,设计加工出一... 高频响MEMS压力传感器,常用于各项高速冲击波动态测试,能够完整地呈现和评估测试当场下的动态效果。高频高压高温芯片的加工与刚性封装外壳是高频响MEMS压力传感器的研究难点。文中通过设计仿真、工艺加工试验及封装测试,设计加工出一种齐平式倒装封装的高频响MEMS压力传感器。完成220℃的温度-压力复合场动态性能测试,补偿后的传感器精度可达±1.5%FS,频响可达375.2 kHz。 展开更多
关键词 高频响 压力传感器 芯片加工 倒装封装 齐平封装 性能测试
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低温Au-Au键合工艺的研究 被引量:12
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作者 冯伟 雷程 +3 位作者 梁庭 王文涛 李志强 熊继军 《电子测量技术》 2020年第21期25-28,共4页
Au-Au热压键合工艺在微电子器件的制造与封装中有着广泛的应用。为了提高晶片键合质量,保证器件的稳定性和工作期限。在工艺试验过程中,首先利用超声波湿法清洗方法和氧等离子体处理方法对晶片表面进行处理,随后对晶片进行热压键合,最... Au-Au热压键合工艺在微电子器件的制造与封装中有着广泛的应用。为了提高晶片键合质量,保证器件的稳定性和工作期限。在工艺试验过程中,首先利用超声波湿法清洗方法和氧等离子体处理方法对晶片表面进行处理,随后对晶片进行热压键合,最后利用超声波扫描显微镜来评估晶片的键合质量。实验结果表明,经过表面处理后晶片表面粗糙度降低,有效提高Au-Au热压键合的质量。空洞占键合面的比例由3.09%下降到了1.13%,另外键合界面拉伸强度也会更高,可以达到5.10 MPa。这种金属键合工艺有望在器件封装中获得广泛的应用。 展开更多
关键词 Au-Au热压键合 表面处理 超声波扫描显微镜 粗糙度 拉伸强度 器件封装
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355nm全固态紫外激光刻蚀碳化硅影响因子分析
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作者 雷程 张成印 +2 位作者 梁庭 李奇思 王文涛 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2022年第10期22-25,共4页
使用355 nm全固态紫外(UV)激光对碳化硅材料进行直写刻蚀,实验过程采取单一变量的原则4种影响因子对刻蚀结果产生的影响。结果表明:能量密度过大或过小都会增加刻蚀通道崩边尺寸,刻蚀深度随能量密度增大而增大;重复频率的增大会加重崩... 使用355 nm全固态紫外(UV)激光对碳化硅材料进行直写刻蚀,实验过程采取单一变量的原则4种影响因子对刻蚀结果产生的影响。结果表明:能量密度过大或过小都会增加刻蚀通道崩边尺寸,刻蚀深度随能量密度增大而增大;重复频率的增大会加重崩边现象,同时会导致刻蚀深度的减小;扫描速度越大刻蚀通道的崩边尺寸越大,刻蚀深度越小;扫描次数的增加在增大刻蚀深度的同时会使通道侧壁形成一定的锥度。通过对实验数据的对比分析最终得出激光刻蚀碳化硅的最优参数,对今后进行激光加工碳化硅材料的参数选取具有一定参考价值。 展开更多
关键词 激光刻蚀 碳化硅 单一变量法 微通道
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压阻式压力传感器灵敏度的仿真方法 被引量:5
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作者 杨娇燕 梁庭 +5 位作者 李鑫 林立娜 李奇思 赵丹 雷程 熊继军 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2019年第2期4-8,共5页
为了实现对压阻式压力传感器灵敏度的准确预估,针对传统中心点算法的不足,采用了一种基于对敏感薄膜应力分布的有限元仿真分析和路径积分的仿真方法。通过对电阻所在路径线积分计算电阻平均变化率,计算出不同压力下的输出电压。对2种不... 为了实现对压阻式压力传感器灵敏度的准确预估,针对传统中心点算法的不足,采用了一种基于对敏感薄膜应力分布的有限元仿真分析和路径积分的仿真方法。通过对电阻所在路径线积分计算电阻平均变化率,计算出不同压力下的输出电压。对2种不同的模型四边固支的方形膜模型和底面固支的C型模型,进行仿真分析并将仿真结果和实际值对比。实验结果表明底面固支的C型模型比四面固支的方形模型更接近实际情况。传感器样品的实际灵敏度为0.102 5 mV/kPa,与底面固支的C型模型仿真结果相对误差小于2%。 展开更多
关键词 灵敏度 压阻式压力传感器 有限元仿真分析 敏感薄膜 路径积分
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基于紫外激光对硅基微通道刻蚀分析 被引量:1
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作者 单存良 梁庭 +3 位作者 雷程 王文涛 刘瑞芳 李奇思 《电子测量技术》 北大核心 2021年第2期170-175,共6页
紫外激光具有波长短、速度快、加工精度高、热影响区小以及无损加工等优点,针对紫外激光加工过程中,不同参数对刻蚀结果产生不同的影响,实验中通过控制单一变量法,设计了扫描速度、扫描次数、能量密度、重复频率、离焦量等不同参数对刻... 紫外激光具有波长短、速度快、加工精度高、热影响区小以及无损加工等优点,针对紫外激光加工过程中,不同参数对刻蚀结果产生不同的影响,实验中通过控制单一变量法,设计了扫描速度、扫描次数、能量密度、重复频率、离焦量等不同参数对刻蚀结果的影响。实验结果表明,刻蚀宽度随能量密度的增加而增加,但是增加率不断降低;减小扫描速度,可以刻蚀出深度较深并且边缘工整的微通道;随着扫描次数的增大,激光刻蚀的深度不断增大,但增大率在不断的减小,刻蚀深度过深,激光将不会对沟道再进行刻蚀。实验中通过优化激光刻蚀参数,得到了刻蚀宽度为146μm、刻蚀深度为25.665μm、微通道边缘整齐,边缘粗糙度为7μm,沟道的垂直度将近90°的L型硅基微通道。 展开更多
关键词 紫外激光器 单一变量法 刻蚀宽度 刻蚀深度 L型硅基微通道
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MEMS红外探测器响应时间测量方法研究 被引量:1
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作者 张琛琛 毛海央 +3 位作者 白乐乐 熊继军 王玮冰 陈大鹏 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第5期619-625,共7页
传统地,MEMS红外探测器响应时间的测量需要基于黑体辐射源、斩波器、水冷装置等设备搭建一套复杂的测量系统,然而斩波器的遮挡区域和透光区域具有一定的面积,其按某频率工作时会消耗一定的时间,而测试所得的器件响应时间无法排除斩波器... 传统地,MEMS红外探测器响应时间的测量需要基于黑体辐射源、斩波器、水冷装置等设备搭建一套复杂的测量系统,然而斩波器的遮挡区域和透光区域具有一定的面积,其按某频率工作时会消耗一定的时间,而测试所得的器件响应时间无法排除斩波器的工作耗时,导致测试结果存在较大误差,所测响应时间为14.46ms。为解决这一问题,提出了一种以钛宝石激光器为辐射光源,利用声光调制器构建纳秒级激光脉冲,MEMS红外探测器响应激光脉冲的作用输出脉冲电信号,很好地规避了测量系统中设备工作耗时引入的时间参数,所测响应时间仅为3.13ms。由此可见,传统方法中斩波器工作耗时引入的时间误差甚至超过器件响应时间的300%,充分证明了此方法可以有效解决这一问题,进而为MEMS红外探测器以及其它光学探测器性能参数的测试与计量提供了一种新的方法。 展开更多
关键词 激光脉冲 MEMS红外探测器 响应时间 斩波器
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