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题名一种超低功耗、容错的静态随机存储器设计
被引量：2
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作者
吴璇
陈立
杨晋生
肖谧
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机构
天津大学电子信息工程学院
加拿大萨斯卡彻温大学电子与计算机工程学院
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出处
《现代电子技术》
2012年第8期167-170,共4页
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基金
NSERC DG:加拿大国家自然科学发展基金(1-406865)
NSERC CRD:加拿大国家科学合作研究与发展基金(1-412390)
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文摘
为了减轻辐射环境中静态随机存储器(SRAM)受单粒子翻转(SEU)的影响以及解决低功耗和稳定性的问题,采用TSMC 90nm工艺,设计了一款可应用于辐射环境中的超低功耗容错静态随机存储器。该SRAM基于双互锁存储单元(DICE)结构,以同步逻辑实现并具有1KB(1K×8b)的容量,每根位线上有128个标准存储单元,同时具有抗SEU特性,提高并保持了SRAM在亚阈值状态下的低功耗以及工作的稳定性。介绍了这种SRAM存储单元的电路设计及其功能仿真,当电源电压VDD为0.3V时,该SRAM工作频率最大可达到2.7MHz,此时功耗仅为0.35μW;而当VDD为1V时,最大工作频率为58.2MHz,功耗为83.22μW。
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关键词
静态随机存储器
双互锁存储单元
单粒子翻转
电路设计
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Keywords
SRAM
DICE
SEU
circuit design
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分类号
TN710-34
[电子电信—电路与系统]
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