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Sb掺杂Sn_2S_3薄膜的制备及光学特性
被引量：
2
1
作者
王艳
李健
卢建丽
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第B04期320-324,共5页
真空蒸发制备Sb掺杂Sn2S3多晶薄膜（玻璃衬底），研究不同比例Sb掺杂对Sn2S3薄膜的结构、表面形貌、化学组分及光学特性的影响。实验给出5％掺Sb的薄膜经380℃热处理30min（氮气保护）得到正交晶系的Sn2S3；Sb多晶薄膜，薄膜表面颗粒大...
真空蒸发制备Sb掺杂Sn2S3多晶薄膜（玻璃衬底），研究不同比例Sb掺杂对Sn2S3薄膜的结构、表面形貌、化学组分及光学特性的影响。实验给出5％掺Sb的薄膜经380℃热处理30min（氮气保护）得到正交晶系的Sn2S3；Sb多晶薄膜，薄膜表面颗粒大小均匀，膜面致密有轻微颗粒聚集现象。薄膜体内Sn与S化学计量比为1：1．49，掺Sb后为1：0．543，薄膜中Sn、S、SB分别以Sn2＋、Sn4＋、S2-、Sb5＋存在。纯Sn2S3薄膜的光透过率在350～500nm波长范围内基本为零，随着波长增大，光透过率增加，其直接光学带隙为2．2eV，吸收边为564nm；掺Sb后薄膜的光透率明显降低，光学带隙为1．395eV比未掺杂时减小0．805eV，吸收边发生红移为889nm。
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关键词
真空蒸发
热处理
Sn2S3薄膜
Sb掺杂
光学特性
在线阅读
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职称材料
Sb掺杂Sn_2S_3薄膜的表征及电学特性
被引量：
5
2
作者
柴燕华
李健
卢建丽
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第1期89-94,共6页
真空蒸发制备Sb掺杂Sn2S3多晶薄膜。研究不同比例Sb掺杂对Sn2S3薄膜的电学、结构、表面形貌、化学组分的影响,实验给出掺Sb5%薄膜经380℃热处理30 min可获得结构良好正交晶系的Sn2S3∶Sb多晶薄膜,薄膜的电阻率从未掺杂时的79kΩ.cm降到2...
真空蒸发制备Sb掺杂Sn2S3多晶薄膜。研究不同比例Sb掺杂对Sn2S3薄膜的电学、结构、表面形貌、化学组分的影响,实验给出掺Sb5%薄膜经380℃热处理30 min可获得结构良好正交晶系的Sn2S3∶Sb多晶薄膜,薄膜的电阻率从未掺杂时的79kΩ.cm降到23.7Ω.cm,下降了三个数量级。Sn2S3薄膜表面为颗粒状,体内化学计量比Sn/S为1∶1.49,与标准计量比非常接近;掺Sb(5%)后为1∶0.543,Sn过量。Sn和S以Sn2+,Sn4+,S2-形式存在于薄膜中;Sb元素显示正5价,部分Sb5+进入晶格替位Sn4+。
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关键词
真空蒸发
热处理
Sn2S3薄膜
Sb掺杂
电学特性
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职称材料
题名
Sb掺杂Sn_2S_3薄膜的制备及光学特性
被引量：
2
1
作者
王艳
李健
卢建丽
机构
内蒙古
大学物理科学与
技术
学院
内蒙古高等学校半导体光伏技术重点实验室
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第B04期320-324,共5页
基金
内蒙古自治区自然科学基金资助项目(2009MS0109)
内蒙古自治区高等学校科技资助项目(NJ10017)
文摘
真空蒸发制备Sb掺杂Sn2S3多晶薄膜（玻璃衬底），研究不同比例Sb掺杂对Sn2S3薄膜的结构、表面形貌、化学组分及光学特性的影响。实验给出5％掺Sb的薄膜经380℃热处理30min（氮气保护）得到正交晶系的Sn2S3；Sb多晶薄膜，薄膜表面颗粒大小均匀，膜面致密有轻微颗粒聚集现象。薄膜体内Sn与S化学计量比为1：1．49，掺Sb后为1：0．543，薄膜中Sn、S、SB分别以Sn2＋、Sn4＋、S2-、Sb5＋存在。纯Sn2S3薄膜的光透过率在350～500nm波长范围内基本为零，随着波长增大，光透过率增加，其直接光学带隙为2．2eV，吸收边为564nm；掺Sb后薄膜的光透率明显降低，光学带隙为1．395eV比未掺杂时减小0．805eV，吸收边发生红移为889nm。
关键词
真空蒸发
热处理
Sn2S3薄膜
Sb掺杂
光学特性
Keywords
vacuum vapor deposition
heat treatment
Sn2S3 thin film
Sb doped
optical characterization
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
O484.41 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
Sb掺杂Sn_2S_3薄膜的表征及电学特性
被引量：
5
2
作者
柴燕华
李健
卢建丽
机构
内蒙古
大学物理科学与
技术
学院
内蒙古高等学校半导体光伏技术重点实验室
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第1期89-94,共6页
基金
内蒙古自治区自然科学基金项目(2009MS0109)
文摘
真空蒸发制备Sb掺杂Sn2S3多晶薄膜。研究不同比例Sb掺杂对Sn2S3薄膜的电学、结构、表面形貌、化学组分的影响,实验给出掺Sb5%薄膜经380℃热处理30 min可获得结构良好正交晶系的Sn2S3∶Sb多晶薄膜,薄膜的电阻率从未掺杂时的79kΩ.cm降到23.7Ω.cm,下降了三个数量级。Sn2S3薄膜表面为颗粒状,体内化学计量比Sn/S为1∶1.49,与标准计量比非常接近;掺Sb(5%)后为1∶0.543,Sn过量。Sn和S以Sn2+,Sn4+,S2-形式存在于薄膜中;Sb元素显示正5价,部分Sb5+进入晶格替位Sn4+。
关键词
真空蒸发
热处理
Sn2S3薄膜
Sb掺杂
电学特性
Keywords
Vacuum vapor deposition
Heat treatment
Sn2S3 thin films
Sb-doped
Electrical conductivity
分类号
O484 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
Sb掺杂Sn_2S_3薄膜的制备及光学特性
王艳
李健
卢建丽
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
2
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职称材料
2
Sb掺杂Sn_2S_3薄膜的表征及电学特性
柴燕华
李健
卢建丽
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
5
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