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电沉积多晶CdTe薄膜结构的电镜研究
1
作者
郭清松
张力
《高等学校化学学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1991年第3期406-408,共3页
CdTe(能隙E_g=1.45 eV)是一种制作太阳电池的理想半导体村料。用阴极电沉积法制备多晶CdTe薄膜具有方法简单、周期短、材料费用低于单晶硅而接近非晶硅等优点,颇引人注目。但该技术发展较晚,因此对其成膜机理,各种因素对薄膜质地、内部...
CdTe(能隙E_g=1.45 eV)是一种制作太阳电池的理想半导体村料。用阴极电沉积法制备多晶CdTe薄膜具有方法简单、周期短、材料费用低于单晶硅而接近非晶硅等优点,颇引人注目。但该技术发展较晚,因此对其成膜机理,各种因素对薄膜质地、内部结构和光电性能的影响尚缺乏足够了解。本文通过实验发现:采用双阳极、调节电沉积电流、改变电解液组成,可使CdTe薄膜表面平整、不易产生枝晶。如进一步在氩气或空气流中进行热处理,可使薄膜中CdTe晶粒增大到0.4～0.5μm,最大可达0.7～0.8μm,并使伴生的CdTe孪晶现象也更明显,这些对CdTe薄膜光电转换性能的提高是有利的。
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关键词
电沉积
晶体
CDTE
薄膜
电子显微镜
全文增补中
题名
电沉积多晶CdTe薄膜结构的电镜研究
1
作者
郭清松
张力
机构
内蒙古
大学化学系
内蒙古科学技术委员会测试中心
出处
《高等学校化学学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1991年第3期406-408,共3页
文摘
CdTe(能隙E_g=1.45 eV)是一种制作太阳电池的理想半导体村料。用阴极电沉积法制备多晶CdTe薄膜具有方法简单、周期短、材料费用低于单晶硅而接近非晶硅等优点,颇引人注目。但该技术发展较晚,因此对其成膜机理,各种因素对薄膜质地、内部结构和光电性能的影响尚缺乏足够了解。本文通过实验发现:采用双阳极、调节电沉积电流、改变电解液组成,可使CdTe薄膜表面平整、不易产生枝晶。如进一步在氩气或空气流中进行热处理,可使薄膜中CdTe晶粒增大到0.4～0.5μm,最大可达0.7～0.8μm,并使伴生的CdTe孪晶现象也更明显,这些对CdTe薄膜光电转换性能的提高是有利的。
关键词
电沉积
晶体
CDTE
薄膜
电子显微镜
Keywords
Electrodeposition, Cathodic polarization, Crystal, Twin
分类号
O762 [理学—晶体学]
全文增补中
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
电沉积多晶CdTe薄膜结构的电镜研究
郭清松
张力
《高等学校化学学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1991
0
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