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题名N型背发射极晶体硅太阳电池模拟研究
被引量：3
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作者
和江变
邹凯
马承鸿
李健
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机构
内蒙古日月太阳能科技有限责任公司
内蒙古大学物理科学与技术学院
内蒙古自治区半导体光伏技术重点实验室
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出处
《光电技术应用》
2015年第2期27-32,共6页
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基金
呼和浩特市太阳能电池产业化工程研究中心创新能力建设项目(2014150103000018)
呼和浩特市"十二五"重大科技专项(2012150103000167)
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文摘
N型晶体太阳电池由于少子寿命高、光致衰减低、弱光响应好等优点,近年来在高效率低成本太阳电池领域一直备受关注。利用PC1D模拟,对N型背发射极晶体硅太阳电池进行了分析。结果表明,背发射极掺杂浓度、结深、背表面复合速率、前表面掺杂浓度及复合速率都对电池转换效率有较大影响,尤其是电池前表面与背表面复合速率对电池性能的影响最为明显,而电池前表面场掺杂深度则对电池性能影响较小。对于前表面复合来说,当前表面复合速率小于1×10^3cm/s时,电池性能受表面复合速率变化的影响很小;但复合速率超过1×10^3cm/s后,电池转换效率快速下降。背表面复合对电池效率影响则更明显,当背表面复合速率超过1×10^4cm/s后,电池转换效率急剧下降,在背表面复合速率增大到1×10^6cm/s时,电池效率下降到不足5%,而在电池背表面复合速度较小时（10~10^3cm/s）则可获得较高的转换效率。
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关键词
N型晶体硅
太阳电池
背发射极
PC1D模拟
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Keywords
N-type crystalline silicon
solar cells
back emitter
PC1D simulation
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分类号
TM914.4
[电气工程—电力电子与电力传动]
O482.7
[理学—固体物理]
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