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CuAlSe_2光伏吸收层薄膜的制备
1
作者
张茹
朱俊
+4 位作者
程凤敏
丁铁柱
高强强
李东东
刘晓玺
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第11期3210-3214,3218,共6页
用同族元素Al和Fe取代CuInGaSe_2薄膜中的In和Ga元素。采用粉末冶金工艺制备CuAlSe_2和CuAlSe_2∶Fe光伏吸收层薄膜。依次对薄膜样品进行了表面形貌、化学成分、薄膜厚度、晶体结构和光学特性测试分析。结果表明,退火温度为450℃、500℃...
用同族元素Al和Fe取代CuInGaSe_2薄膜中的In和Ga元素。采用粉末冶金工艺制备CuAlSe_2和CuAlSe_2∶Fe光伏吸收层薄膜。依次对薄膜样品进行了表面形貌、化学成分、薄膜厚度、晶体结构和光学特性测试分析。结果表明,退火温度为450℃、500℃、550℃时薄膜的生长特性较好,薄膜较为致密,结晶度较高。薄膜主要为黄铜矿结构,并沿(112)晶相择优生长。CuAlSe_2薄膜和CuAlSe_2∶Fe薄膜样品的光学吸收系数达到105cm^(-1),且随着掺Fe比例增加而增加。未掺杂的薄膜的光学带隙约为1.6eV,掺Fe薄膜的禁带宽度接近1.8eV。
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关键词
CuAlSe2
CuAlSe2:Fe
光学特性
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职称材料
YSZ/STO/YSZ-STO超晶格电解质薄膜低温电学特性
2
作者
康振锋
刘文德
+5 位作者
李强
郑平平
范悦
薄青瑞
肖玲玲
丁铁柱
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第1期33-37,共5页
采用脉冲激光沉积法，在单侧抛光的STO基底上制备YSZ／STO／YSZ超品格薄膜。利用x射线衍射、扫描电镜和射频阻抗／材料分析仪对多层膜的物相结构、表面形貌以及电学特性等进行表征。实验结果发现，YSZ／STD／YSZ超晶格薄膜在300～500％...
采用脉冲激光沉积法，在单侧抛光的STO基底上制备YSZ／STO／YSZ超品格薄膜。利用x射线衍射、扫描电镜和射频阻抗／材料分析仪对多层膜的物相结构、表面形貌以及电学特性等进行表征。实验结果发现，YSZ／STD／YSZ超晶格薄膜在300～500％之间，其电导活化能最小值为0．76eV，在300℃ 时测得的电导率比体材料的电导率提高了三个数量级。
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关键词
YSZ/STO/YSZ—STO超晶格多层薄膜
脉冲激光沉积
电导活化能
电导率
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职称材料
题名
CuAlSe_2光伏吸收层薄膜的制备
1
作者
张茹
朱俊
程凤敏
丁铁柱
高强强
李东东
刘晓玺
机构
内蒙古大学物理科学与技术学院内蒙古自治区半导体光伏技术重点实验室
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第11期3210-3214,3218,共6页
基金
国家自然科学基金(61464009)
内蒙古自治区重大基础研究开放课题(20130902)
文摘
用同族元素Al和Fe取代CuInGaSe_2薄膜中的In和Ga元素。采用粉末冶金工艺制备CuAlSe_2和CuAlSe_2∶Fe光伏吸收层薄膜。依次对薄膜样品进行了表面形貌、化学成分、薄膜厚度、晶体结构和光学特性测试分析。结果表明,退火温度为450℃、500℃、550℃时薄膜的生长特性较好,薄膜较为致密,结晶度较高。薄膜主要为黄铜矿结构,并沿(112)晶相择优生长。CuAlSe_2薄膜和CuAlSe_2∶Fe薄膜样品的光学吸收系数达到105cm^(-1),且随着掺Fe比例增加而增加。未掺杂的薄膜的光学带隙约为1.6eV,掺Fe薄膜的禁带宽度接近1.8eV。
关键词
CuAlSe2
CuAlSe2:Fe
光学特性
Keywords
CuAlSe_2
CuAlSe_2∶Fe
optical property
分类号
TB383.2 [一般工业技术—材料科学与工程]
TM914.42 [电气工程—电力电子与电力传动]
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职称材料
题名
YSZ/STO/YSZ-STO超晶格电解质薄膜低温电学特性
2
作者
康振锋
刘文德
李强
郑平平
范悦
薄青瑞
肖玲玲
丁铁柱
机构
内蒙古大学物理科学与技术学院内蒙古自治区半导体光伏技术重点实验室
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第1期33-37,共5页
基金
国家自然科学基金项目(批准号:11264025)
文摘
采用脉冲激光沉积法，在单侧抛光的STO基底上制备YSZ／STO／YSZ超品格薄膜。利用x射线衍射、扫描电镜和射频阻抗／材料分析仪对多层膜的物相结构、表面形貌以及电学特性等进行表征。实验结果发现，YSZ／STD／YSZ超晶格薄膜在300～500％之间，其电导活化能最小值为0．76eV，在300℃ 时测得的电导率比体材料的电导率提高了三个数量级。
关键词
YSZ/STO/YSZ—STO超晶格多层薄膜
脉冲激光沉积
电导活化能
电导率
Keywords
YSZ/STO/YSZ-STO superlattice multilayers PLD Conductance activation Conductivity
分类号
O484.5 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
CuAlSe_2光伏吸收层薄膜的制备
张茹
朱俊
程凤敏
丁铁柱
高强强
李东东
刘晓玺
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
0
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职称材料
2
YSZ/STO/YSZ-STO超晶格电解质薄膜低温电学特性
康振锋
刘文德
李强
郑平平
范悦
薄青瑞
肖玲玲
丁铁柱
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
0
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职称材料
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