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GaAlN/GaN量子阱中电子的激发态极化及其压力效应 被引量:6
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作者 吴晓薇 郭子政 阎祖威 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期75-80,共6页
考虑了纤锌矿结构材料的各向异性造成的内建电场的作用以及各向异性造成的应变张量和静压形变势与各向同性材料的差别。在此基础上计算了GaN/GaAlN量子阱内电子的激发态极化。研究了压力(应变)对电子激发态极化的影响。结果表明,电子势... 考虑了纤锌矿结构材料的各向异性造成的内建电场的作用以及各向异性造成的应变张量和静压形变势与各向同性材料的差别。在此基础上计算了GaN/GaAlN量子阱内电子的激发态极化。研究了压力(应变)对电子激发态极化的影响。结果表明,电子势垒高度、电子有效质量和电子激发态极化均随压力线性下降,但由于内建电场的作用造成电子波函数高度局域化,上述变化的幅度不大。 展开更多
关键词 光电子学 量子阱 内建电场 激发态极化 静压
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一阶导数光谱法测定阿维菌素B_1的含量 被引量:1
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作者 阿木古楞 吴晓薇 孟根达来 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期84-86,共3页
用UV 2 40 1PC紫外分光光度计及光谱工作站 (日本岛津 ) ,以 1nm狭缝宽度 ,2nmΔλ间隔 ,在 190~ 40 0nm波长范围内快速扫描采集阿维菌素B1紫外吸收光谱 ,拟合一阶导数光谱发现峰顶A2 52 2 ,和峰谷A2 56 8在波长坐标上的位置不受不同... 用UV 2 40 1PC紫外分光光度计及光谱工作站 (日本岛津 ) ,以 1nm狭缝宽度 ,2nmΔλ间隔 ,在 190~ 40 0nm波长范围内快速扫描采集阿维菌素B1紫外吸收光谱 ,拟合一阶导数光谱发现峰顶A2 52 2 ,和峰谷A2 56 8在波长坐标上的位置不受不同制剂干扰。因此认为ΔA =A2 52 2 -A2 56 8作阿维菌素B1含量测量的定量分析依据 ,可以减少误差。通过对系列浓度标准品溶液一阶导数光谱分析 ,获得标准回归方程c=2 72 7ΔA - 0 16 1,相关系数r=0 9996。进一步测定了不同剂型制剂中阿维菌素B1的含量和其加样回收率 ,并获得理想结果。 展开更多
关键词 阿维菌素B1 一阶导数光谱法 定量分析 外吸收光谱 抗寄生虫药物
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