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题名定拉速生长对Φ300 mm直拉硅单晶生长影响分析
被引量：2
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作者
高宇
朱亮
张俊
娄中士
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机构
浙江晶盛机电股份有限公司
内蒙古中环领先半导体材料有限公司
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出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
北大核心
2020年第5期811-814,823,共5页
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文摘
作为集成电路制备的衬底材料,对硅单晶的均匀性以及微缺陷的尺寸、密度要求极高。传统直拉法生长硅单晶过程中,通过拉速变化控制晶体直径,因此拉速始终处于波动状态。恒定拉速对晶体均匀性及缺陷密度、尺寸的影响研究较少。本研究实现了在35±0.7 mm/h的拉速范围内生长出直径300 mm硅单晶,对晶体片间和片内电阻率分布以及FPD缺陷分布进行了检测,结果显示,在更小拉速波动阶段,晶体的电阻率均匀性得到改善,FPD缺陷密度降低。
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关键词
硅单晶
直拉法
提拉速度
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Keywords
silicon single crystal
Czochralski method
growth rate
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分类号
O78
[理学—晶体学]
O613.72
[理学—无机化学]
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