期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
静电感应器件栅源击穿特性的改善
被引量：
4
1
作者
杨建红
李思渊
王天民
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第1期36-38,共3页
对静电感应器件的栅源击穿特性做了实验研究。结果表明：当使用高阻单晶材料（ＮＤ＝１×１０１４ｃｍ－３）作为芯片的衬底和沟道，沟道的半宽度小于零栅压耗尽层宽度且源区外延层掺杂浓度较高（Ｎｅｐｉ＞１×１０１６ｃｍ－...
对静电感应器件的栅源击穿特性做了实验研究。结果表明：当使用高阻单晶材料（ＮＤ＝１×１０１４ｃｍ－３）作为芯片的衬底和沟道，沟道的半宽度小于零栅压耗尽层宽度且源区外延层掺杂浓度较高（Ｎｅｐｉ＞１×１０１６ｃｍ－３）时，器件的击穿电压ＢＶｇｓ０基本上局限在１０Ｖ以下，与外延层的厚度没有明显关系。作者指出，静电感应器件栅源击穿的特点是由于沟道宽度较窄和源区与沟道区掺杂浓度差异较大两方面的因素共同决定的。在这种情况下，栅源击穿电压ＢＶｇｓ０与半导体的击穿电场Ｅｂ和沟道宽度Ｗ的关系可表示为ＢＶｇｓ０＝１／２ＥｂＷ。提高ＢＶｇｄ０的有效途径应是尽可能地使外延层的掺杂浓度和沟道（衬底）的掺杂浓度相接近。
展开更多
关键词
静电感应器件
栅源击穿电压
电力开关器件
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
静电感应器件栅源击穿特性的改善
被引量：
4
1
作者
杨建红
李思渊
王天民
机构
兰州大学静电感应器件研究所
北京航空航天
大学
材料理化
研究
中心
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第1期36-38,共3页
文摘
对静电感应器件的栅源击穿特性做了实验研究。结果表明：当使用高阻单晶材料（ＮＤ＝１×１０１４ｃｍ－３）作为芯片的衬底和沟道，沟道的半宽度小于零栅压耗尽层宽度且源区外延层掺杂浓度较高（Ｎｅｐｉ＞１×１０１６ｃｍ－３）时，器件的击穿电压ＢＶｇｓ０基本上局限在１０Ｖ以下，与外延层的厚度没有明显关系。作者指出，静电感应器件栅源击穿的特点是由于沟道宽度较窄和源区与沟道区掺杂浓度差异较大两方面的因素共同决定的。在这种情况下，栅源击穿电压ＢＶｇｓ０与半导体的击穿电场Ｅｂ和沟道宽度Ｗ的关系可表示为ＢＶｇｓ０＝１／２ＥｂＷ。提高ＢＶｇｄ０的有效途径应是尽可能地使外延层的掺杂浓度和沟道（衬底）的掺杂浓度相接近。
关键词
静电感应器件
栅源击穿电压
电力开关器件
Keywords
Static induction device Gate source breakdown voltage Forward broking Analysis
分类号
TN303 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
静电感应器件栅源击穿特性的改善
杨建红
李思渊
王天民
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1999
4
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
