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温度对MEMS电容薄膜真空计测量性能的影响研究
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作者 韩晓东 张虎忠 +5 位作者 习振华 陶文泽 任正宜 贾文杰 贺德衍 李刚 《真空与低温》 2025年第3期322-328,共7页
MEMS电容薄膜真空计实现了传统机械式电容薄膜真空计的小型化,在微电子、深空探测等领域有广泛的应用前景。作为一种准确度高、稳定性好、测量结果与气体成分无关的中低真空全压力测量仪器,MEMS电容薄膜真空计测量结果与环境温度密切相... MEMS电容薄膜真空计实现了传统机械式电容薄膜真空计的小型化,在微电子、深空探测等领域有广泛的应用前景。作为一种准确度高、稳定性好、测量结果与气体成分无关的中低真空全压力测量仪器,MEMS电容薄膜真空计测量结果与环境温度密切相关。为保证其测量的准确性,须考虑温度漂移特性并进行修正。论文分析了温度变化对MEMS电容薄膜真空计测量性能影响的机理。基于所研制的MEMS电容薄膜真空计,在0.1 Pa至101 kPa(大气压)的全量程测量范围内,开展-20~50℃温度范围内真空计压力-电容特性研究。结果表明,MEMS电容薄膜真空计的测量结果受环境温度的影响,其输出电容随着温度的升高而增大。在真空计测量零点,输出电容随温度的升高而增大,且与温度呈现线性关系。在-20℃至50℃的温度范围内,MEMS电容薄膜真空计在相同压力点下的输出电容也随温度的升高而增大,温度相差10℃时,真空计输出电容的相对偏差最大为3.1%。此外,测试结果也表明,温度造成的测量结果偏差大小与待测压力的大小相关。本研究将为MEMS电容薄膜真空计的温度补偿技术提供有力支撑。 展开更多
关键词 MEMS 电容薄膜真空计 温度影响 实验研究
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