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题名静电感应晶闸管静态特性的仿真模拟
被引量：1
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作者
薛伟东
李思渊
刘英坤
刘英坤
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机构
兰州大学物理系静电感应器件研究所
信息产业部电子第十三研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第9期68-71,共4页
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文摘
引入了一种SITH仿真模型。结合实验数据,利用PSPICE模拟软件,从等效电路的角度对静电感应晶闸管（SITH）进行了正向导通,类三极管正向阻断、负阻转折特性的仿真模拟。
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关键词
静态特性
静电感应晶闸管
负阻转折
仿真模拟
SITH
正向导通
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Keywords
SITH
negative-resistance transition
simulation
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分类号
TN34
[电子电信—物理电子学]
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题名静电感应晶体管高频功率参数的控制
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作者
孟雄晖
李思渊
姜岩峰
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机构
兰州大学物理系静电感应器件研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第3期28-32,共5页
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文摘
以对静电感应晶体管（ＳＩＴ）的直流参数的研究为基础，详细研究了与ＳＩＴ高频性能有关的参数的控制与调节。在高频状态下，器件引线寄生电感的影响变得严重，使得对器件的封装有了新的要求，本文对这一问题也进行了探讨。
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关键词
SIT
功率增益
封装
静电感应晶体管
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Keywords
SIT High frequency Power gain Package
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分类号
TN386.701
[电子电信—物理电子学]
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题名静电感应晶闸管的工艺控制和参数调节
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作者
孟雄晖
李思渊
姜岩峰
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机构
兰州大学物理系静电感应器件研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2000年第1期25-27,共3页
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文摘
以静电感应晶闸管(SITH)的长期工艺实践为基础,总结和研究了器件结构参数对SITH主要性能参数的影响,并分析了其原因。
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关键词
静电感应晶闸管
工艺控制
参数调节
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Keywords
SITH Maximum blocking voltage Blocking gain On state voltage drop
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分类号
TN386.7
[电子电信—物理电子学]
TN34
[电子电信—物理电子学]
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题名双极型静电感应晶体管开关时间的测量与分析
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作者
姜岩峰
李思渊
李海蓉
刘肃
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机构
兰州大学物理系静电感应器件研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第5期25-28,共4页
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文摘
从理论和实验两方面对静电感应晶体管（ＢＳＩＴ）的开关时间进行了分析和测量，提出了简单的分析方法，将影响ＢＳＩＴ开关时间的各个因素归结为结构因子和材料因子，从而简化了分析影响ＢＳＩＴ开关时间的因素，对于ＢＳＩＴ的实际工艺、结构设计有指导意义。
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关键词
BSIT
开关时间
势垒
双极型
静电感应晶体管
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Keywords
BSIT Switching time Potential barrier Combination Structure factor Material factor
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分类号
TN386.707
[电子电信—物理电子学]
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题名SITH负阻转折特性的分析模型
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作者
姜岩峰
李思渊
刘肃
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机构
兰州大学物理系静电感应器件研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2000年第2期20-22,31,共4页
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文摘
提出了一个用于分析 SITH正向阻断态的新模型。这个模型在结构上类似于 SCR。这样 ,就可以把SITH的二维分析简化为 SCR的一维分析。我们应用了这个模型来分析 SITH的负阻特性并且计算出了阳极正向转折电压 ,计算结果与实际测量值相符合 。
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关键词
负担转折特性
静态感应晶闸管
分析模型
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Keywords
SITH Negative resistance characteristic
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分类号
TN34
[电子电信—物理电子学]
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