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Pt/Co/Au多层膜中磁斯格明子的密度调控: 1; 作者徐琦张宇中 +9 位作者胡玥李泽林姜泽王楠蒙萱邓霞关超帅朱柳张军伟彭勇《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第2期155-163,共9页; 磁斯格明子是一种拓扑自旋结构,凭借其尺寸小、结构稳定和驱动电流密度低等特性,有望成为新一代赛道磁存储器件的信息存储单元。在存有磁斯格明子的材料体系中,具有界面Dzyaloshinskii-Moriya Interaction(DMI)的铁磁多层膜可与现代纳... 展开更多; 关键词磁斯格明子球差电镜洛伦兹技术磁性层厚度; 在线阅读下载PDF 职称材料

微测热辐射计氧化钒薄膜工艺研究被引量：3: 2; 作者许旻崔敬忠贺德衍《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期419-422,共4页; 用射频磁控反应溅射在石英玻璃和硅片上沉积氧化钒薄膜 .利用X射线衍射 ,X射线光电子谱 ,原子力显微镜 ,分光光度计和电阻测量手段对沉积薄膜结构、形貌和性能进行了测试 .结果表明 ,沉积薄膜的电阻温度系数大于 1.8% /℃ ,方块电阻为 2... 展开更多; 关键词氧化钒薄膜射频磁控反应溅射法 X射线衍射原子力显微镜分光光度计电阻温度系数微测热辐射计; 在线阅读下载PDF 职称材料

非晶氧化钒薄膜光学性质研究被引量：1: 3; 作者许旻邱家稳贺德衍《真空与低温》 2003年第3期134-137,共4页; 在氩氧混合气氛中,常温下用脉冲磁控溅射方法在石英玻璃和硅片上制备了V2O5薄膜。用X射线衍射、X射线光电子谱和原子力显微镜对薄膜微观结构进行了测试,用分光光度计测量从200～2500nm波段V2O5薄膜的透射和反射光谱。结果表明,常温下制... 展开更多; 关键词非晶氧化钒薄膜光学性质脉冲磁控溅射分光光度计薄膜电池; 在线阅读下载PDF 职称材料

RFID中非易失存储单元及灵敏放大电路的设计被引量：2: 4; 作者贾晓云冯鹏 +2 位作者张胜广吴南健刘肃《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期413-418,共6页; 针对无源超高频射频识别标签芯片的应用需求设计了一种非易失性存储单元及其灵敏放大电路。该存储单元包括了两个浮栅节点并利用隧道效应(FN)隧穿机制来实现电子向浮栅的注入和擦除,因此其具有较低的编程功耗和较高的数据存储可靠性。... 展开更多; 关键词 CMOS标准工艺非易失性存储单元灵敏放大电路射频识别(RFID); 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Pt/Co/Au多层膜中磁斯格明子的密度调控: 1; 作者徐琦张宇中胡玥李泽林姜泽王楠蒙萱邓霞关超帅朱柳张军伟彭勇; 机构兰州大学材料与能源学院兰州大学物理与科学技术学院兰州大学电镜中心; 出处《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第2期155-163,共9页; 基金国家自然科学基金面上项目(No 51771085).; 文摘磁斯格明子是一种拓扑自旋结构,凭借其尺寸小、结构稳定和驱动电流密度低等特性,有望成为新一代赛道磁存储器件的信息存储单元。在存有磁斯格明子的材料体系中,具有界面Dzyaloshinskii-Moriya Interaction(DMI)的铁磁多层膜可与现代纳米制造工艺兼容,并且这种铁磁多层膜产生的磁斯格明子在室温下可稳定存在,这为基于磁斯格明子研发的电子器件提供了材料基础。然而磁性多层膜中界面DM相互作用、交换相互作用和偶极相互作用等各种作用之间的竞争,导致了磁斯格明子密度的随机变化,降低了磁斯格明子器件的可控性。因此,系统的研究材料参数对磁斯格明子密度的调控具有重要的意义。本文通过改变磁性层Co层的厚度调控了磁性多层膜中磁斯格明子的密度。实验结果表明,随着Co层厚度的增加,磁斯格明子的密度先增加后减少,其中Co层为2.1 nm时磁斯格明子密度最大。理论计算表明,磁性层厚度的变化会引起磁各向异性的转变和内禀属性DM相互作用的改变,进而影响磁斯格明子密度的变化。; 关键词磁斯格明子球差电镜洛伦兹技术磁性层厚度; Keywords magnetic skyrmions spherical electron microscopy Lorentz technique magnet layer thickness; 分类号 O44 [理学—电磁学] O469 [理学—凝聚态物理] TG115.215.3 [金属学及工艺—物理冶金]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名微测热辐射计氧化钒薄膜工艺研究被引量：3: 2; 作者许旻崔敬忠贺德衍; 机构兰州大学物理科学技术学院兰州物理所; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期419-422,共4页; 文摘用射频磁控反应溅射在石英玻璃和硅片上沉积氧化钒薄膜 .利用X射线衍射 ,X射线光电子谱 ,原子力显微镜 ,分光光度计和电阻测量手段对沉积薄膜结构、形貌和性能进行了测试 .结果表明 ,沉积薄膜的电阻温度系数大于 1.8% /℃ ,方块电阻为 2 2± 5kΩ/□ .; 关键词氧化钒薄膜射频磁控反应溅射法 X射线衍射原子力显微镜分光光度计电阻温度系数微测热辐射计; Keywords vanadium oxide thin films microbolometer TCR; 分类号 TN213 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名非晶氧化钒薄膜光学性质研究被引量：1: 3; 作者许旻邱家稳贺德衍; 机构兰州大学物理科学技术学院兰州物理研究所; 出处《真空与低温》 2003年第3期134-137,共4页; 文摘在氩氧混合气氛中,常温下用脉冲磁控溅射方法在石英玻璃和硅片上制备了V2O5薄膜。用X射线衍射、X射线光电子谱和原子力显微镜对薄膜微观结构进行了测试,用分光光度计测量从200～2500nm波段V2O5薄膜的透射和反射光谱。结果表明,常温下制备的V2O5薄膜为非晶结构,光学能隙为2.46eV。; 关键词非晶氧化钒薄膜光学性质脉冲磁控溅射分光光度计薄膜电池; Keywords V_2O_5 thin films pulsed-sputter deposition microstructure optical property; 分类号 TM911.4 [电气工程—电力电子与电力传动] O484.41 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名RFID中非易失存储单元及灵敏放大电路的设计被引量：2: 4; 作者贾晓云冯鹏张胜广吴南健刘肃; 机构兰州大学物理与科学技术学院微电子研究所中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期413-418,共6页; 基金国家科技支撑项目(2012BAH20B02) 国家高技术研究发展计划(863)资助项目(2012AA012301) 国家科技重大专项(2012ZX03004007-002); 文摘针对无源超高频射频识别标签芯片的应用需求设计了一种非易失性存储单元及其灵敏放大电路。该存储单元包括了两个浮栅节点并利用隧道效应(FN)隧穿机制来实现电子向浮栅的注入和擦除,因此其具有较低的编程功耗和较高的数据存储可靠性。为了减小存储单元的面积并进一步降低编程功耗,还采用了厚度仅为4 nm的栅氧作为隧穿结。此外,还设计了一种适合于该存储单元的灵敏放大电路,不仅可以读取存储数据,还可配合存储单元进行数据的擦写操作,从而简化存储单元的设计。基于0.18μm单多晶硅标准CMOS工艺实现了该存储单元及其灵敏放大电路,其单元面积仅为108μm2,经测试表明该存储单元可配合灵敏放大电路实现数据的正确读写,编程电压约为6 V,在擦写次数达到10 000次后,仍具有1.5 V的阈值窗口。; 关键词 CMOS标准工艺非易失性存储单元灵敏放大电路射频识别(RFID); Keywords standard CMOS process non-volatile memory cell sense amplifier circuit radio frequency identification（RFID）; 分类号 TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	Pt/Co/Au多层膜中磁斯格明子的密度调控	徐琦张宇中胡玥李泽林姜泽王楠蒙萱邓霞关超帅朱柳张军伟彭勇	《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	微测热辐射计氧化钒薄膜工艺研究	许旻崔敬忠贺德衍	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2003	3	在线阅读下载PDF 职称材料
3	非晶氧化钒薄膜光学性质研究	许旻邱家稳贺德衍	《真空与低温》	2003	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	RFID中非易失存储单元及灵敏放大电路的设计	贾晓云冯鹏张胜广吴南健刘肃	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2013	2	在线阅读下载PDF 职称材料