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静电感应晶闸管的负阻转折特性分析
1
作者
张荣
刘肃
李海蓉
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第11期1088-1091,共4页
描述了静电感应晶闸管(SITH)的优点、应用前景、结构特点及负阻转折特性。从SITH的作用机理出发,分别分析了导致负阻转折出现的几种重要的物理效应,如电导调制效应、空间电荷效应和复合效应以及载流子寿命的变化等,分析几种物理效应综...
描述了静电感应晶闸管(SITH)的优点、应用前景、结构特点及负阻转折特性。从SITH的作用机理出发,分别分析了导致负阻转折出现的几种重要的物理效应,如电导调制效应、空间电荷效应和复合效应以及载流子寿命的变化等,分析几种物理效应综合作用的过程。得到SITH的负阻转折属于高电平下空间电荷效应和复合效应共同限制的双注入问题,是几种重要物理效应共同作用的结果。
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关键词
静电感应晶闸管
负阻转折特性
双注入
高电平
复合效应
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职称材料
题名
静电感应晶闸管的负阻转折特性分析
1
作者
张荣
刘肃
李海蓉
机构
兰州大学物理科学与技术学院静电感应器件研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第11期1088-1091,共4页
文摘
描述了静电感应晶闸管(SITH)的优点、应用前景、结构特点及负阻转折特性。从SITH的作用机理出发,分别分析了导致负阻转折出现的几种重要的物理效应,如电导调制效应、空间电荷效应和复合效应以及载流子寿命的变化等,分析几种物理效应综合作用的过程。得到SITH的负阻转折属于高电平下空间电荷效应和复合效应共同限制的双注入问题,是几种重要物理效应共同作用的结果。
关键词
静电感应晶闸管
负阻转折特性
双注入
高电平
复合效应
Keywords
SITH
negative-resistance characteristic
double injection
high voltage level
complex effeet
分类号
TN386.7 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
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1
静电感应晶闸管的负阻转折特性分析
张荣
刘肃
李海蓉
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009
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