纳米碳化硅颗粒的团聚及分散的研究进展 被引量：10

1

作者 刘亚虎 蔡雪原 +2 位作者 朱延超 张琳娇 杨建红 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第9期84-90,共7页

介绍了微粒团聚机理、团聚类型及其区别;在介绍软团聚处理方法的基础上,综述了pH值、悬浮液黏度及分散剂类型对纳米碳化硅分散效果的影响;阐述了自然碳化硅的带电状态、化学成分及其表面改性情况;在列举了添加分散剂前后纳米碳化硅等电... 介绍了微粒团聚机理、团聚类型及其区别;在介绍软团聚处理方法的基础上,综述了pH值、悬浮液黏度及分散剂类型对纳米碳化硅分散效果的影响;阐述了自然碳化硅的带电状态、化学成分及其表面改性情况;在列举了添加分散剂前后纳米碳化硅等电点(IEP)的基础上,重点分析了一种新的分散剂—甲苯酰-聚乙烯亚胺的分子结构及工作原理,同时从吸附量、悬浮液黏度及Zeta电位三个方面与传统分散剂作了对比;最后,根据人们对团聚机理的认识及纳米碳化硅分散的研究现状,在未来的研究中不仅要侧重于纳米碳化硅性质、颗粒微观结构的研究,而且要注重纳米碳化硅的工业生产和制备以及分散剂的优化。 展开更多

关键词 纳米碳化硅 团聚 分散剂 PH值 黏度 ZETA电位

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基于I-V特性的阻变存储器的阻变机制研究 被引量：11

2

作者 李颖弢 刘明 +7 位作者 龙世兵 刘琦 张森 王艳 左青云 王琴 胡媛 刘肃 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2009年第3期134-140,153,共8页

随着器件尺寸的缩小,阻变存储器(RRAM)具有取代现有主流Flash存储器成为下一代新型存储器的潜力。但对RRAM器件电阻转变机制的研究在认识上依然存在很大的分歧,直接制约了RRAM的研发与应用。通过介绍阻变存储器的基本工作原理、不同的... 随着器件尺寸的缩小,阻变存储器(RRAM)具有取代现有主流Flash存储器成为下一代新型存储器的潜力。但对RRAM器件电阻转变机制的研究在认识上依然存在很大的分歧,直接制约了RRAM的研发与应用。通过介绍阻变存储器的基本工作原理、不同的阻变机制以及基于阻变存储器所表现出的不同I-V特性,研究了器件的阻变特性;详细分析了阻变存储器的五种阻变物理机制,即导电细丝(filament)、空间电荷限制电流效应(SCLC)、缺陷能级的电荷俘获和释放、肖特基发射效应(Schottky emission)以及普尔-法兰克效应(Pool-Frenkel);同时,对RRAM器件的研究发展趋势以及面临的挑战进行了展望。 展开更多

关键词 阻变存储器 非挥发性存储器 I-V特性 阻变机制 工作原理

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有机场效应晶体管最新实验研究进展 被引量：2

3

作者 谢吉鹏 马朝柱 +2 位作者 杨汀 姚博 彭应全 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2012年第5期291-301,共11页

介绍了近两年新报道的有机半导体材料,列举了其场效应性能参数;综述了有机场效应晶体管(OFET)在器件结构上的改进,重点阐述了基于常见有机功能层材料富勒烯及其衍生物、并五苯、聚3-己基噻吩的OFET对栅介质层及有机功能层与电极的界面... 介绍了近两年新报道的有机半导体材料,列举了其场效应性能参数;综述了有机场效应晶体管(OFET)在器件结构上的改进,重点阐述了基于常见有机功能层材料富勒烯及其衍生物、并五苯、聚3-己基噻吩的OFET对栅介质层及有机功能层与电极的界面的改进,讨论了器件结构改进对OFET阈值电压、开关比、载流子迁移率的影响;介绍了衬底温度、退火处理对OF-ET性能的影响。最后,针对有机场效应晶体管研究现状,指出未来研究中应注重开发高迁移率、高薄膜稳定性的有机功能材料和高介电常数、高成膜质量的有机栅介质材料,继续优化器件结构,改进制备工艺以提高器件性能。 展开更多

关键词 有机场效应晶体管(OFET) 有机半导体材料 栅介质层 电极界面 衬底温度 退火处理

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高k纳米MOSFET的关态泄漏电流的研究 被引量：1

4

作者 杨建红 李桂芳 刘辉兰 《微纳电子技术》 CAS 2007年第12期1043-1047,共5页

对纳米MOSFET关断态的栅电流、漏电流和衬底电流进行了模拟,指出边缘直接隧穿电流(IEDT)远远大于传统的栅诱导泄漏电流(IGIDL)、亚阈区泄漏电流(ISUB)及带间隧穿电流(IBTBT)。对50 nm和90 nm MOSFET器件的Id-Vg特性进行了比较,发现在高... 对纳米MOSFET关断态的栅电流、漏电流和衬底电流进行了模拟,指出边缘直接隧穿电流(IEDT)远远大于传统的栅诱导泄漏电流(IGIDL)、亚阈区泄漏电流(ISUB)及带间隧穿电流(IBTBT)。对50 nm和90 nm MOSFET器件的Id-Vg特性进行了比较,发现在高Vdd下,关态泄漏电流(Ioff)随IEDT的增加而不断增大,并且器件尺寸越小,Ioff越大。高k栅介质能够减小IEDT,进而减小了Ioff,其中HfSiON、HfLaO可以使边缘隧穿电流减小2～5个数量级且边缘诱导的势垒降低(FIBL)效应很小。但当栅介质的k>25以后,由于FIBL效应,关态泄漏电流反而增大。 展开更多

关键词 关态泄漏电流 边缘直接隧穿电流 边缘诱导的势垒降低 高K栅介质

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短漂移区静电感应晶体管的特性研究

5

作者 张琳娇 杨建红 +1 位作者 刘亚虎 朱延超 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期194-198,共5页

为了满足静电感应晶体管(SIT)在中小功率高频领域的应用需求,基于SIT的工作原理以及中小功率高频应用对器件的性能要求,设计一款工作频率为600～800 MHz、通态电流I≈2 A、柵源击穿电压BVgso≈10 V、漏源击穿电压BVdso为100～120 V的常... 为了满足静电感应晶体管(SIT)在中小功率高频领域的应用需求,基于SIT的工作原理以及中小功率高频应用对器件的性能要求,设计一款工作频率为600～800 MHz、通态电流I≈2 A、柵源击穿电压BVgso≈10 V、漏源击穿电压BVdso为100～120 V的常开型SIT。为了满足上述参数要求,设计了漂移区长度为4μm、有源区总厚度为10μm、单元周期为10μm的短漂移区SIT器件。通过数值模拟,研究了短漂移区SIT的电学特性,并与长漂移区SIT的电学特性做了比较和讨论。结果表明,短漂移区SIT具有通态电阻小、功耗小、线性度好、频率高的优点,在中小功率高频领域具有应用意义。 展开更多

关键词 静电感应晶体管(SIT) 短漂移区 势垒 I-V特性 响应时间

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表面型静电感应晶闸管负阻导通特性的研究

6

作者 季涛 杨利成 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期325-328,共4页

运用漂移-扩散模型,对表面型静电感应晶闸管的导通特性进行了数值模拟。分析表明,表面型静电感应晶闸管(SITH)具有与纵向结构SITH类似的负阻导通特性,而且表面型结构的各电极相对面积比纵向结构要小很多,阴极和栅极之间的电容更小,从而... 运用漂移-扩散模型,对表面型静电感应晶闸管的导通特性进行了数值模拟。分析表明,表面型静电感应晶闸管(SITH)具有与纵向结构SITH类似的负阻导通特性,而且表面型结构的各电极相对面积比纵向结构要小很多,阴极和栅极之间的电容更小,从而具有更快的开关速度和更高的灵敏度。对表面型SITH的电势分布、载流子分布以及阳极I-V特性进行了深入地计算和分析。显示数值模拟结果十分接近实际测量结果,模拟中也发现栅极的位置对栅极的控制性能的影响很大。 展开更多

关键词 静电感应晶闸管 表面型 双注入效应 势垒 鞍点

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太赫兹二极管的研究进展及应用 被引量：1

7

作者 刘子奕 杨建红 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2014年第8期489-497,共9页

太赫兹器件是太赫兹技术的核心。介绍了肖特基势垒二极管、耿氏二极管、碰撞雪崩渡越时间(IMPATT)二极管以及隧道渡越时间(TUNNETT)二极管四种典型太赫兹二极管的基本理论、器件结构和关键技术,分析了影响器件性能的主要因素,给出了优... 太赫兹器件是太赫兹技术的核心。介绍了肖特基势垒二极管、耿氏二极管、碰撞雪崩渡越时间(IMPATT)二极管以及隧道渡越时间(TUNNETT)二极管四种典型太赫兹二极管的基本理论、器件结构和关键技术,分析了影响器件性能的主要因素,给出了优化改进器件性能的措施。阐述并比较了各种太赫兹二极管的特点以及同一种结构不同材料的太赫兹二极管特性,通过对比得出各自的优缺点及适用范围。分类总结了四种不同类型太赫兹二极管的研究进展和它们相应的应用。基于器件结构和先进的半导体材料特性,指出了不同类型太赫兹二极管的未来发展方向,描述了不同类型太赫兹二极管的应用和前景。 展开更多

关键词 太赫兹(THz) 肖特基势垒二极管 耿氏二极管 碰撞雪崩渡越时间(IMPATT)二极管 隧道渡越时间(TUNNETT)二极管 混频器 倍频器 太赫兹源

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硅基锗PIN红外探测器的数值模拟研究

8

作者 徐敏杰 魏莹 +1 位作者 蔡雪原 杨建红 《红外》 CAS 2009年第11期35-39,共5页

本文基于漂移扩散模型,对硅基锗PIN红外探测器的电流特性随应变、Ge吸收层厚度、吸收层掺杂浓度的变化进行了数值模拟,并给出了一种器件优化设计方案。研究结果表明,当Ge应变从0增加到0.3%时,器件的暗电流增大了约50%;当Ge吸收层厚度从1... 本文基于漂移扩散模型,对硅基锗PIN红外探测器的电流特性随应变、Ge吸收层厚度、吸收层掺杂浓度的变化进行了数值模拟,并给出了一种器件优化设计方案。研究结果表明,当Ge应变从0增加到0.3%时,器件的暗电流增大了约50%;当Ge吸收层厚度从1μm增加到4μm时,器件的暗电流降低了近80%,量子效率增大了近1倍;当吸收层的掺杂浓度由1×10^(14)cm^(-3)增大2个量级时,器件的光电流降低了近60%。综合考虑吸收层厚度对器件量子效率和暗电流的影响以及吸收层掺杂浓度对光电流的影响,对硅基锗PIN红外探测器的外延锗吸收层进行了设计:外延生长厚度为4μm,掺杂浓度为1×10^(14)cm^(-3),以期能为提高器件性能和制备实际器件提供良好的依据。 展开更多

关键词 红外探测器 PIN 硅锗 暗电流 应变

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关于塑封VDMOS器件热点的研究

9

作者 柴彦科 蒲年年 +3 位作者 谭稀 徐冬梅 崔卫兵 刘肃 《现代电子技术》 2014年第17期113-116,共4页

功率VDMOS器件作为新一代高压大电流功率器件兼有双极晶体管和普通MOS器件的优点,广泛应用于各个领域。由于功率VDMOS的工作条件恶劣,在高温大电压的应用环境下失效概率较大。在所有的失效机制中,很大一部分是由于器件无法承受瞬间高压... 功率VDMOS器件作为新一代高压大电流功率器件兼有双极晶体管和普通MOS器件的优点,广泛应用于各个领域。由于功率VDMOS的工作条件恶劣,在高温大电压的应用环境下失效概率较大。在所有的失效机制中,很大一部分是由于器件无法承受瞬间高压脉冲,致使器件芯片烧坏失效。表现出的是在芯片某处产生一明显的烧穿点即所谓的"热点"。这里主要介绍了塑封VDMOS器件进行单雪崩能量测试过程和实际应用中不良品产生热点的原因,从二次击穿的角度对其进行理论解释并提出一些改进措施。 展开更多

关键词 功率晶体管 单雪崩能量测试 热点 失效分析

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硅/硅直接键合的界面应力 被引量：6

10

作者 陈新安 黄庆安 +1 位作者 李伟华 刘肃 《微纳电子技术》 CAS 2004年第10期29-33,43,共6页

硅/硅直接键合技术广泛应用于SOI,MEMS和电力电子器件等领域,键合应力对键合的成功和器件的性能产生很大的影响。键合过程引入的应力主要是室温下两硅片面贴合时表面的起伏引起的弹性应力;高温退火阶段由于两个硅片的热膨胀系数不同引... 硅/硅直接键合技术广泛应用于SOI,MEMS和电力电子器件等领域,键合应力对键合的成功和器件的性能产生很大的影响。键合过程引入的应力主要是室温下两硅片面贴合时表面的起伏引起的弹性应力;高温退火阶段由于两个硅片的热膨胀系数不同引起的热应力和由于界面的本征氧化层或与二氧化硅键合时二氧化硅发生粘滞流动引起的粘滞应力。另外,键合界面的气泡、微粒和带图形的硅片键合都会引入附加的应力。 展开更多

关键词 硅直接键合 应力 弹性变形 高温退火

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高精度低噪声基准电压源的设计 被引量：4

11

作者 刘春娟 王永顺 刘肃 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期624-629,共6页

利用反向带隙电压原理,采用基于CMOS阈值电压的自偏置共源共栅电流镜技术,设计了一种低压低噪声基准电压源。该电压基准源没有外加滤波电容的情况下,通过双极型晶体管大的输出阻抗特性,实现了更低的噪声输出,提高了输出电压的精度。Hsp... 利用反向带隙电压原理,采用基于CMOS阈值电压的自偏置共源共栅电流镜技术,设计了一种低压低噪声基准电压源。该电压基准源没有外加滤波电容的情况下,通过双极型晶体管大的输出阻抗特性,实现了更低的噪声输出,提高了输出电压的精度。Hspice仿真结果表明,在0.95V电源电压下,输出基准电压为233.9mV,温度系数为7.6×10-6/°C,30Hz频率下输出频带噪声谱线密度是15nV/Hz。在0.9～2.0V的电源电压范围内,室温下基准电压的变化为1.7mV。流片后的测试结果验证了所设计的基准电压源能工作于较低电源电压,输出基准电压的温度系数小,噪声与功耗低。 展开更多

关键词 基准电压源 低电压 阈值电流产生电路 自偏置 低噪声

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基于HDMI视频信号接收的电荷泵PLL设计 被引量：2

12

作者 肖剑 李冬仓 +1 位作者 孙硕 张福甲 《西安石油大学学报（自然科学版）》 CAS 2007年第6期96-100,共5页

介绍了一种实现HDMI中数字视频信号接收的方法,设计并实现了一种新的用于HDMI中像素数据和时钟信号恢复的电荷泵锁相环;通过V-I电路的改进降低了压控震荡器的增益,改善了控制电压的波动对压控震荡器频率的影响,从而减小时钟抖动;采用频... 介绍了一种实现HDMI中数字视频信号接收的方法,设计并实现了一种新的用于HDMI中像素数据和时钟信号恢复的电荷泵锁相环;通过V-I电路的改进降低了压控震荡器的增益,改善了控制电压的波动对压控震荡器频率的影响,从而减小时钟抖动;采用频率检测电路对输入时钟信号频率进行自动检测分段,可实现大的频率捕获范围,从而实现了对高达UXGA格式的数字视频信号接收;采用Hspice-RF工具对压控震荡器的抖动和相位噪声性能进行仿真,SMIC0.18μsCMOS混合信号工艺进行了流片验证,测试结果表明输入最大1.65Gbit/s像素数据信号条件下PLL输出的时钟信号抖动小于200ps. 展开更多

关键词 高清晰度多媒体接口(HDMI) 锁相环 频率捕获 过采样

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给-受体材料系统中光致发光的峰值波长随浓度变化的理论(英文) 被引量：1

13

作者 彭应全 范国莹 +2 位作者 周茂清 吕文理 王颖 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期216-220,共5页

高效的给-受体(DA)能量传输材料体系被公认为有机激光器中的重要组成部分。基于Frster传输和受激发射的理论,我们提出了一种在DA系统下发射光谱的数值模型。该模型较好地描述了在DA材料系统中发射光谱随着受主浓度变化的最主要特征,... 高效的给-受体(DA)能量传输材料体系被公认为有机激光器中的重要组成部分。基于Frster传输和受激发射的理论,我们提出了一种在DA系统下发射光谱的数值模型。该模型较好地描述了在DA材料系统中发射光谱随着受主浓度变化的最主要特征,即光致发光谱峰值波长随着受体浓度的增加而非线性增大,并在浓度较高时趋于受体的单体发射波长。 展开更多

关键词 有机激光器 发射光谱 受主浓度 给-受体材料系统

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从多子角度阐述p-n结理论 被引量：1

14

作者 杨建红 赵飞虎 +1 位作者 吴承龙 盛晓燕 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2011年第9期549-552,557,共5页

传统方法在分析p-n结理论时仅仅关注了过剩少子的扩散电流,但是随着其浓度梯度的降低,扩散电流趋于零,则电流的连续性将难以理解。另外,如果仅仅考虑过剩少子的注入,则无法理解"中性区"的电中性(即电中性条件将被破坏)。针对... 传统方法在分析p-n结理论时仅仅关注了过剩少子的扩散电流,但是随着其浓度梯度的降低,扩散电流趋于零,则电流的连续性将难以理解。另外,如果仅仅考虑过剩少子的注入,则无法理解"中性区"的电中性(即电中性条件将被破坏)。针对以上矛盾,以基本的器件物理为基础,分析并得到过剩多子必然存在于中性区,且其分布和数量与过剩少子相同,因而过剩多子的扩散电流也参与p-n结的电流输运。在充分考虑过剩多子的基础上,对p-n结的工作机理可以有更好、更深刻的理解。理想二极管方程在一些假设下仅仅考虑了空间电荷区两边过剩少子的扩散电流,提供了一个很巧妙地计算总电流的方法。 展开更多

关键词 P-N结 过剩多子 过剩少子 扩散电流 电流连续性 电流输运

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应用于A/D转换器中的基准电压源的设计 被引量：2

15

作者 刘肃 刘丰 《通信电源技术》 2003年第5期14-16,共3页

基准电压源是A/D转换器中非常重要的模块,它的稳定性直接影响着A/D转换器的性能。在TSMC0.18μm/3.3VN wellCMOS工艺条件下,温度系数可达十几个ppm/℃。在频率等于100kHz时,PSRR达到54dB,功耗只有0.25mW。

关键词 基准电压源 A/D转换器 CMOS 电源抑制比

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铁电栅材料GaN基场效应晶体管的特性

16

作者 蔡雪原 冉金枝 +1 位作者 魏莹 杨建红 《微纳电子技术》 CAS 2008年第12期694-697,共4页

针对铁电薄膜/GaN基FET结构,利用数值方法研究了铁电栅材料自发极化强度PS变化对GaN基表面电子浓度nS和场效应晶体管转移特性Id-Vg的影响,给出了典型PS和εr值下跨导gm与Vg的关系。结果表明:零栅压下,nS在随PS(0～±59μC/cm2)变化... 针对铁电薄膜/GaN基FET结构,利用数值方法研究了铁电栅材料自发极化强度PS变化对GaN基表面电子浓度nS和场效应晶体管转移特性Id-Vg的影响,给出了典型PS和εr值下跨导gm与Vg的关系。结果表明:零栅压下,nS在随PS(0～±59μC/cm2)变化时有4～6个数量级的提高或降低;当Vg=0.65V、PS为-26～26μC/cm2时,nS提高约4个数量级;负栅压下,nS因受引起电子耗尽的PS的影响而降低6～7个数量级,而PS未对Id-Vg产生明显影响,跨导gm在1V左右的栅偏压下达到最大值。这些结果对利用铁电极化和退极化可能改善新型器件性能的研究具有重要意义。 展开更多

关键词 GaN基FET 自发极化 铁电材料 载流子浓度 转移特性 跨导

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台面刻蚀深度对埋栅SITH栅阴击穿的影响

17

作者 岳红菊 刘肃 +1 位作者 王永顺 李海蓉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第6期546-548,共3页

针对台面刻蚀深度对埋栅型静电感应晶闸管(SITH)栅阴击穿特性的影响做了实验研究。实验结果表明,随着台面刻蚀深度的增大,器件栅阴击穿由原来的软击穿变为硬击穿,同时击穿电压升高,SITH设计了独立的台面槽,并研究了台面刻蚀深度与栅阴... 针对台面刻蚀深度对埋栅型静电感应晶闸管(SITH)栅阴击穿特性的影响做了实验研究。实验结果表明,随着台面刻蚀深度的增大,器件栅阴击穿由原来的软击穿变为硬击穿,同时击穿电压升高,SITH设计了独立的台面槽,并研究了台面刻蚀深度与栅阴击穿电压和栅阴击穿特性间的关系,指出台面刻蚀深度的增加可以有效减弱表面电荷和表面缺陷对器件的影响,改善栅阴击穿曲线,提高栅阴击穿电压。同时,还简要描述了这种器件的制造工艺。 展开更多

关键词 静电感应晶闸管 埋栅结构 台面刻蚀 栅阴击穿 表面缺陷

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Si基JBS整流二极管的设计与制备 被引量：6

18

作者 王朝林 王一帆 +1 位作者 岳红菊 刘肃 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期180-183,共4页

基于JBS整流二极管理论,详细介绍了一种Si基JBS整流二极管设计方法、制备工艺及测试结果。在传统肖特基二极管(SBD)有源区,利用光刻和固态源扩散工艺形成掺硼的蜂窝状结构,与n型衬底形成pn结,反向偏置时抑制了因电压增加引起的金属-半... 基于JBS整流二极管理论,详细介绍了一种Si基JBS整流二极管设计方法、制备工艺及测试结果。在传统肖特基二极管(SBD)有源区,利用光刻和固态源扩散工艺形成掺硼的蜂窝状结构,与n型衬底形成pn结,反向偏置时抑制了因电压增加引起的金属-半导体势垒高度降低,减小了漏电流;采用离子注入形成两道场限环的终端结构,有效防止了边缘击穿,提高了反向击穿电压。对制备的器件使用Tektronix 370B可编程特性曲线图示仪进行了I-V特性测试,结果表明本文设计的Si基JBS整流二极管正向压降VF=0.78 V(正向电流IF=5 A时),反向击穿电压可达340 V。 展开更多

关键词 Si基JBS整流二极管 功率肖特基二极管 蜂窝状结构 I-V特性 场限环

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3.3V/0.18μm恒跨导轨对轨CMOS运算放大器的设计 被引量：4

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作者 马玉杰 高俊丽 +2 位作者 后永奇 耿晓勇 杨建红 《电子技术应用》 北大核心 2012年第11期48-50,54,共4页

基于0.18μm CMOS工艺,设计了一种3.3 V低压轨对轨(Rail-to-Rail)运算放大器。该运算放大器的输入级采用3倍电流镜控制的互补差分对结构,实现了满电源幅度的输入输出和恒输入跨导;输出级采用前馈式AB类输出控制电路,保证了轨对轨的输出... 基于0.18μm CMOS工艺,设计了一种3.3 V低压轨对轨(Rail-to-Rail)运算放大器。该运算放大器的输入级采用3倍电流镜控制的互补差分对结构,实现了满电源幅度的输入输出和恒输入跨导;输出级采用前馈式AB类输出控制电路,保证了轨对轨的输出摆幅以及较强的驱动能力。仿真结果表明,直流开环增益为120 dB,单位增益带宽为5.98 MHz,相位裕度为66°,功耗为0.18 mW,在整个共模范围内输入级跨导变化率为2.45%。 展开更多

关键词 运算放大器 低压 恒跨导 轨对轨

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基于并五苯/酞菁铅异质结的近红外光敏有机场效应管(英文) 被引量：2

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作者 周茂清 李尧 +2 位作者 姚博 吕文理 彭应全 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期342-348,共7页

采用并五苯(Pentacene)和酞菁铅(PbPc)两种有机材料作为有源层,制备了异质结有机光敏场效应管。在波长为808 nm、强度为124 mW/cm2的近红外光照条件下,异质结phOFET获得最大的光暗电流比达4.4×104,栅压为-50 V时的最大光响应度为11... 采用并五苯(Pentacene)和酞菁铅(PbPc)两种有机材料作为有源层,制备了异质结有机光敏场效应管。在波长为808 nm、强度为124 mW/cm2的近红外光照条件下,异质结phOFET获得最大的光暗电流比达4.4×104,栅压为-50 V时的最大光响应度为118 mA/W,比单层酞菁铅phOFET分别高出766倍和785倍。在经过120 h后,器件的最大光暗电流比和最大光响应度分别稳定于5.4×104和326 mA/W附近。由于在异质结phOFET中采用了对近红外光具有高吸收效率的酞菁铅作为光敏层,而高空穴迁移率的并五苯材料作为靠近栅介质的沟道层,光生载流子的产生与传输能力得到了有效的提高。实验结果表明,基于并五苯/酞菁铅的有机异质结应用于光敏有机场效应管的结构设计中,可以使phOFET成为一种同时具有良好光敏性及稳定性的近红外光探测器件。 展开更多

关键词 异质结 并五苯 酞菁铅 近红外 光敏有机场效应管

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