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题名台面刻蚀深度对埋栅SITH栅阴击穿的影响
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作者
岳红菊
刘肃
王永顺
李海蓉
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机构
兰州大学物理科学与技术学院微电子与固体电子学研究所
兰州交通大学电子与信息工程学院
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第6期546-548,共3页
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文摘
针对台面刻蚀深度对埋栅型静电感应晶闸管(SITH)栅阴击穿特性的影响做了实验研究。实验结果表明,随着台面刻蚀深度的增大,器件栅阴击穿由原来的软击穿变为硬击穿,同时击穿电压升高,SITH设计了独立的台面槽,并研究了台面刻蚀深度与栅阴击穿电压和栅阴击穿特性间的关系,指出台面刻蚀深度的增加可以有效减弱表面电荷和表面缺陷对器件的影响,改善栅阴击穿曲线,提高栅阴击穿电压。同时,还简要描述了这种器件的制造工艺。
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关键词
静电感应晶闸管
埋栅结构
台面刻蚀
栅阴击穿
表面缺陷
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Keywords
SITH
buried-gate structure
mesa etching
gate-cathode breakdown
surface defect
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分类号
TN386.7
[电子电信—物理电子学]
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题名一种高精度BiCMOS电流模带隙基准源
被引量：2
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作者
李沛林
杨建红
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机构
兰州大学物理科学与技术学院微电子与固体电子学研究所
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出处
《现代电子技术》
2010年第16期202-204,210,共4页
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文摘
采用Xfab0.35μmBiCMOS工艺设计了一种高电源抑制比(PSRR)、低温漂、输出0.5V的带隙基准源电路。该设计中,电路采用新型电流模带隙基准,解决了传统电流模带隙基准的第三简并态的问题,且实现了较低的基准电压;增加了修调电路,实现了基准电压的微调。利用Cadence软件对其进行仿真验证,其结果显示,当温度在-40～+120℃范围内变化时,输出基准电压的温度系数为15ppm/℃;电源电压在2～4V范围内变化时,基准电压摆动小于0.06mV;低频下具有-102.6dB的PSRR,40kHz前电源抑制比仍小于-100dB。
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关键词
电流模带隙基准
基准电压修调
电源电压抑制比
温度系数
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Keywords
current-mode bandgap reference
reference voltage correction
power supply rejection ratio
temperature coefficient
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分类号
TN432-34
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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