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题名基于酞菁铜的有机光敏场效应管
被引量：4
- 1
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作者
谢吉鹏
吕文理
杨汀
姚博
彭应全
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机构
兰州大学物理学院微电子研究所
空军大连通信士官学校
兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室
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出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第9期991-995,共5页
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基金
国家自然科学基金(10974074)
教育部博士点基金(20110211110005)资助项目
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文摘
制备了基于酞菁铜(CuPc)的有机光敏场效应晶体管,对器件的光敏特性进行了研究。实验结果表明,基于金源漏电极的器件,在波长655 nm,光强100 mW/cm2的光照下,明/暗电流比约为0.4,光响应度约为2.55 mA/W;而铝为源漏电极的器件,可以获得高达104的明/暗电流比,但光响应度降低为0.39 mA/W。
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关键词
有机光敏场效应晶体管
酞菁铜
明/暗电流比
光响应度
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Keywords
photoresponsive organic field-effect transistors； copper phthalocyanine； photocurrent/dark-current ratio； photoresponsivity
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分类号
TN386
[电子电信—物理电子学]
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题名衬底对PTCDA薄膜结构与电荷输运特性的影响
被引量：1
- 2
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作者
杨汀
谢吉鹏
范国莹
吕文理
彭应全
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机构
兰州大学物理学院微电子研究所
空军大连通信士官学校基础部
兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室
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出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第3期334-340,共7页
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基金
国家自然科学基金(10974074)
甘肃省自然科学基金(0803RJZA104)资助项目
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文摘
在不同导电衬底(Au,Al和ITO)上制备了PTCDA薄膜,用XRD和AFM技术研究了PTCDA薄膜的结构和表面形貌。结果表明,薄膜中的大部分PTCDA分子平面与衬底不平行,这表明薄膜垂直方向的电流传导将以电子传输为主;在ITO和Au衬底上生长的PTCDA薄膜晶粒排列规则,在薄膜垂直方向呈现出较好的电子传输性能;而在Al衬底上生长的PTCDA薄膜晶粒排列无序,电子传输性能差。通过制备单层结构有机薄膜器件,研究了PTCDA薄膜垂直方向的电子迁移率。综合应用金属-有机界面的热电子发射理论和有机层体内空间电荷限制传导理论,并考虑电场强度对迁移率变化的影响,对ITO/PTCDA/Al器件的电流密度-电压曲线进行拟合,得到ITO衬底上生长的PTCDA薄膜在垂直方向随电场强度变化的电子迁移率数值。
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关键词
苝四甲酸二酐
有机半导体
迁移率
电荷传输
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Keywords
PTCDA organic semiconductor carrier mobility charge transport
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分类号
TN241
[电子电信—物理电子学]
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题名基于酞菁钯和C_(60)的异质结有机光敏场效应管
- 3
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作者
陈德强
姚博
吕文理
高鹏杰
彭应全
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机构
兰州大学物理学院微电子研究所
兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室
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出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第5期629-633,共5页
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基金
国家自然科学基金(1097407)
教育部博士点基金(20110211110005)资助项目
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文摘
采用酞菁钯(PdPc)和C60两种有机半导体材料,通过真空热蒸镀法以不同的沉积顺序制备了两种不同结构的平面异质结有机光敏场效应管,并对这两种结构器件的光敏特性进行比较。在波长655 nm、光强100mW/cm2的光照条件下,结构为n+-Si/SiO2/PdPc/C60/Al(S&D)(PdPc/C60-OFET)器件的最大光暗比为2×103,光响应度为3 mA/W;而结构为n+-Si/SiO2/C60/PdPc/Al(S&D)(C60/PdPc-OFET)器件的最大光暗比为3×103,光响应度为11mA/W。实验结果表明C60/PdPc-OFET可以获得更好的光敏特性。
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关键词
有机光敏场效应晶体管
酞菁钯
C60
异质结
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Keywords
photoresponsive organic field-effect transistors
palladium phthalocyanine
C60
heterojunction
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分类号
TN386
[电子电信—物理电子学]
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题名基于PTCDA的有机/无机光敏二极管结构优化
- 4
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作者
刘金凤
姚博
郑挺才
彭应全
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机构
兰州大学物理学院微电子研究所
兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室
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出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第2期218-223,共6页
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基金
国家自然科学基金(1097407)
教育部博士点基金(20110211110005)资助项目
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文摘
以p型硅和苝四甲酸二酐(perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic acid dianhydride,PTCDA)为异质结,梳状金(Au)薄膜作为顶电极和光入射窗口制备了光敏二极管。研究表明,PTCDA的厚度和Au电极的厚度对光敏二极管的光响应度有很大的影响。对比不同PTCDA厚度的器件性能,在PTCDA厚度为100 nm时,光响应度最高达到0.3 A/W。进而采用最优化的100 nm厚的PTCDA薄膜制备硅基光敏二极管,对比不同Au电极厚度的器件性能。在Au厚度为20 nm时,器件的光响应度达到最优化的0.5 A/W。
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关键词
有机/无机异质结
光电探测器
PTCDA
厚度优化
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Keywords
Gold
Heterojunctions
Light sensitive materials
Photodetectors
Photons
Photosensitivity
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分类号
TN386
[电子电信—物理电子学]
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