约束系统的路径积分量子化与正则量子化等价性的探讨

1

作者 缪炎刚 岳丛建 《兰州大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1994年第1期33-35,共3页

对一个有２Ｎ个正则变量，ｍ个第一类约束和２ｎ个第二类约束的系统，利用约化公式从其泛函积分形式导出了所有独立的正则变量满足的正则方程。

关键词 等价 量子化 约束系统 路径 积分

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一种简单实用的微机穆斯堡尔谱系统 被引量：1

2

作者 周荣洁 杨金波 李发伸 《兰州大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1995年第2期46-49,共4页

本文介绍了一种用于穆斯堡尔谱的数据采集、存贮、谱图显示，以及数据拟合分析的微型计算机系统；该系统具有控制简易，抗干扰力强，制作简便等特点。使用该系统代替多道分析器系统，能够成功地完成各种常规的穆斯堡尔谱实验。本文提出... 本文介绍了一种用于穆斯堡尔谱的数据采集、存贮、谱图显示，以及数据拟合分析的微型计算机系统；该系统具有控制简易，抗干扰力强，制作简便等特点。使用该系统代替多道分析器系统，能够成功地完成各种常规的穆斯堡尔谱实验。本文提出了自制高性能价格比的穆斯堡尔谱系统的整体构想。 展开更多

关键词 穆斯堡尔光谱学 计算机系统 数据采集

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Si/SiO_2系统辐照损伤的氢、氧等离子体低温退火研究

3

作者 张旗 李思渊 方玉田 《兰州大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1993年第3期78-82,共5页

本文详细地研究了氧等高离子体造成辐照损伤的Si/SiO_2系统在氢、氧等离子体退火中随压强、温度及退火时间的变化关系。结果表明射频退火对消除辐照损伤是极为有效的,并发现固定电荷密度N和界面态密度N_(?)分别与样品放置方式和气氛密... 本文详细地研究了氧等高离子体造成辐照损伤的Si/SiO_2系统在氢、氧等离子体退火中随压强、温度及退火时间的变化关系。结果表明射频退火对消除辐照损伤是极为有效的,并发现固定电荷密度N和界面态密度N_(?)分别与样品放置方式和气氛密切相关。 展开更多

关键词 等离子退火 辐照损伤 硅 二氧化硅

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磁控溅射制备的氧化钒薄膜的结构研究 被引量：10

4

作者 王玫 李喜梅 +3 位作者 崔敬忠 达道安 姜万顺 邱家稳 《兰州大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1999年第1期62-66,共5页

用Ｘ射线光电子谱（ＸＰＳ），原子力显微镜（ＡＦＭ）和Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）研究了磁控溅射制备的氧化钒薄膜的宏观、微观和电子学结构．建立了薄膜的相结构与ＸＰＳ谱中Ｖ２ｐ３／２特征峰的结合能之间的定量关系．给出了二氧化钒薄... 用Ｘ射线光电子谱（ＸＰＳ），原子力显微镜（ＡＦＭ）和Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）研究了磁控溅射制备的氧化钒薄膜的宏观、微观和电子学结构．建立了薄膜的相结构与ＸＰＳ谱中Ｖ２ｐ３／２特征峰的结合能之间的定量关系．给出了二氧化钒薄膜的ＡＦＭ像．所得到的二氧化钒热致变色薄膜的结构特性与光电特性相一致． 展开更多

关键词 氧化钒 薄膜 结构 磁控溅射 制备

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不同衬底温度下制备的Co-Al-O介质颗粒薄膜的巨磁电阻效应 被引量：3

5

作者 张振刚 黎超 +2 位作者 李成贤 张世斌 葛世慧 《兰州大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1999年第1期57-61,共5页

利用射频反应溅射的方法在不同衬底温度（Ｔｓ）下制备了Ｃｏ－Ａｌ－Ｏ介质颗粒薄膜．薄膜的本征电阻及磁电阻值密切依赖于薄膜制备过程中的衬底温度．通过原子力显微镜对样品表面的观察发现：以Ｃｏ为基的纳米磁性颗粒的尺寸随Ｔｓ的... 利用射频反应溅射的方法在不同衬底温度（Ｔｓ）下制备了Ｃｏ－Ａｌ－Ｏ介质颗粒薄膜．薄膜的本征电阻及磁电阻值密切依赖于薄膜制备过程中的衬底温度．通过原子力显微镜对样品表面的观察发现：以Ｃｏ为基的纳米磁性颗粒的尺寸随Ｔｓ的增加而变大，并且颗粒之间由完全被介质分离逐渐变化到互相连接．对应这种结构上的变化，薄膜的电导机制由隧道效应向金属性电导转变，相应地薄膜的磁电阻值也发生了变化． 展开更多

关键词 薄膜 巨磁电阻效应 介质颗粒薄膜 纳米磁性颗粒

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磁场对共聚反应影响研究 被引量：16

6

作者 陈子瑜 朱晓莉 周朝华 《兰州大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1995年第2期160-162,共3页

磁场对共聚反应影响研究陈子瑜，朱晓莉，周朝华（兰州大学物理学系，兰州７３００００）有关磁场对化学反应的影响，已进行了长期的研究。化学反应中由于磁场的作用导致自由能变化的热力学影响可忽略不计［１］，观察到的影响本质上全... 磁场对共聚反应影响研究陈子瑜，朱晓莉，周朝华（兰州大学物理学系，兰州７３００００）有关磁场对化学反应的影响，已进行了长期的研究。化学反应中由于磁场的作用导致自由能变化的热力学影响可忽略不计［１］，观察到的影响本质上全部是动力学的作用。而磁场对聚合反应... 展开更多

关键词 共聚反应 磁场 竞聚率 分子量

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间接式泥浆泵体积流速流量测量仪的研制 被引量：10

7

作者 张新国 刘征 《兰州大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1993年第3期99-104,共6页

本文介绍了间接式泥浆泵体积流速流量测量仪的设计思想,包括工业现场背景、用户要求的数学物理模型、测量原理与公式推导、微机计算方法与误差分析、硬件软件系统结构,最后给出本仪器的基本性能与运行结果。

关键词 泥浆泵 流量计 间接式 微处理机

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褐煤腐植酸基本性能研究 被引量：11

8

作者 岳廷盛 程家安 马沛岚 《兰州大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1995年第2期82-85,共4页

研究了褐煤中腐植酸的交换容量；ＨＮＯ３、Ｈ３ＰＯ４对腐植酸含量的影响；同时研究了褐煤腐植酸中杂质的固定与清除．

关键词 腐植酸 盐份 褐煤

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衬底上立方氮化硼薄膜的大面积生长 被引量：2

9

作者 马锡英 贺德衍 陈光华 《兰州大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1999年第1期67-71,共5页

采用热丝辅助射频等离子体化学气相沉积（ＣＶＤ）方法在较大面积（≥５ｃｍ２）镍衬底上生长立方氮化硼（ｃ－ＢＮ）薄膜．所用气体为硼烷、氨气和氢气的混合气体．实验发现，灯丝温度及其分布是影响ｃ－ＢＮ薄膜生长的主要因素．Ｘ射... 采用热丝辅助射频等离子体化学气相沉积（ＣＶＤ）方法在较大面积（≥５ｃｍ２）镍衬底上生长立方氮化硼（ｃ－ＢＮ）薄膜．所用气体为硼烷、氨气和氢气的混合气体．实验发现，灯丝温度及其分布是影响ｃ－ＢＮ薄膜生长的主要因素．Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）分析表明，样品中立方相的成分随温度的升高而增加，当温度达到２０００℃时，样品中主要为立方相成分，无六方相（ｈ－ＢＮ）或其它杂相形成．用扫描电镜（ＳＥＭ）对样品表面不同位置形貌观察发现，立方相晶粒大小均匀且分布致密．Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）测得样品中Ｂ原子与Ｎ原子的组分比大约为１１．当温度达到２０００℃以上时，样品中立方相成分减小，说明在合适的温度下，可制备具有理想化学配比的大面积ｃ－ＢＮ薄膜． 展开更多

关键词 大面积生长 CVD 薄膜 立方氮化硼薄膜 生长

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应用数理统计对胎儿双顶径分布规律的研究 被引量：1

10

作者 亢效虎 罗纲成 +2 位作者 崔胤 王先荣 毛叔其 《兰州大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1995年第1期84-86,共3页

本文利用夏皮罗一威尔克（Ｓｈａｐｉｒｏ－Ｗ１ｅｋ）检验和达戈斯提诺（Ｄａｇａｓｔｉｎｏ）检验对６２７例胎儿双顶往的实测值作了正态性研究，结果表明，胎龄４～１０月的胎儿双顶径服从正态分布。给出了正态总体的期望和方差及其... 本文利用夏皮罗一威尔克（Ｓｈａｐｉｒｏ－Ｗ１ｅｋ）检验和达戈斯提诺（Ｄａｇａｓｔｉｎｏ）检验对６２７例胎儿双顶往的实测值作了正态性研究，结果表明，胎龄４～１０月的胎儿双顶径服从正态分布。给出了正态总体的期望和方差及其在置信水平α＝０．０５下的置信区间。 展开更多

关键词 医用数学 数理统计 正态分布 胎儿双顶径

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非晶合金FeNiMoSiB的快中子辐照效应研究 被引量：1

11

作者 李发伸 孙吉军 薛德胜 《兰州大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1993年第4期82-85,共4页

本文报道了低注量(10~4n/cm^2)快中子(14 MeV)辐照非晶合金 Fe_(39)Ni(39)Mo_4Si_(12)B_6的差动热分析(DSC)和穆斯堡尔谱的研究结果,并讨论了中子辐照对其微观结构的影响.

关键词 非晶态合金 快中子 差示扫描量热法 穆斯堡尔光谱学

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溅射a-GeCN_x∶H薄膜的红外和拉曼特性 被引量：1

12

作者 陈光华 马书懿 张仿清 《兰州大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1993年第4期69-72,共4页

本文首次报道了用溅射反应法制备的 a-GeCN_x∶H 薄膜的制备工艺、红外和拉曼谱的特性,并观测到因掺碳引起的新的 N-CH_n 的红外吸收峰.

关键词 溅射法 薄膜 红外光谱 散射谱

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阳离子交换纤维分离稀土的研究——Ⅱ.稀土混合物的分离 被引量：1

13

作者 陈励权 辛文达 +2 位作者 董长发 岳肃俊 关鉴 《兰州大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1993年第3期125-130,共6页

本文研究了用阳离子交换纤维分离稀土元素。通过对三元轻稀土(Pr、Nd、Sm)和重稀土(Dy、Ho、Er)以及含有15个稀土元素的低钇稀土的分离,表明在C_(EDTA=0.030mol/L、C_(NH_4^+)=0.15mol/L、线性流速V=2.0～2.5cm/min、柱比=1:3,常温常压... 本文研究了用阳离子交换纤维分离稀土元素。通过对三元轻稀土(Pr、Nd、Sm)和重稀土(Dy、Ho、Er)以及含有15个稀土元素的低钇稀土的分离,表明在C_(EDTA=0.030mol/L、C_(NH_4^+)=0.15mol/L、线性流速V=2.0～2.5cm/min、柱比=1:3,常温常压条件下,经一次分离,Pr、Nd、Sm、Ho、Er、Oy等的纯度可达99—99.9％,取得了令人满意的效果。 展开更多

关键词 分离 离子交换纤维 稀土族

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^（92）M_o（n，p）^（92m）Nb，^（98）M_o（n，p）^（98m）Nb和^（94）M_o（n，2n）^（93m）M_o反应截面测量 被引量：1

14

作者 孔祥忠 王永昌 +1 位作者 袁俊谦 杨景康 《兰州大学学报（自然科学版）》 CSCD 北大核心 1996年第1期41-44,共4页

报告了Ｅｎ＝１３．４０～１４．７９ＭｅＶ中子能区用活化法以２７Ａｌ（ｎ，α）２４Ｎａ截面为中子注量标准测得的９２Ｍｏ（ｎ，ｐ）９２ｍＮｂ．９８Ｍｏ（ｎ，ｐ）９８ｍＮｂ和９４Ｍｏ（ｎ，２ｎ）９３ｍＭｏ的反应截面．还列举... 报告了Ｅｎ＝１３．４０～１４．７９ＭｅＶ中子能区用活化法以２７Ａｌ（ｎ，α）２４Ｎａ截面为中子注量标准测得的９２Ｍｏ（ｎ，ｐ）９２ｍＮｂ．９８Ｍｏ（ｎ，ｐ）９８ｍＮｂ和９４Ｍｏ（ｎ，２ｎ）９３ｍＭｏ的反应截面．还列举了尽可能收集到的数据，并将９２Ｍｏ（ｎ，ｐ）９２ｍＮｂ和９８Ｍｏ（ｎ，ｐ）９８ｍＮｂ两反应过的实验测量值与理论计算值进行了比较．中子能量是用铌锆截面比法测定的． 展开更多

关键词 活化法 微分截面 钼 中子 核反应 截面

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非晶合金短程序研究与回火条件的选取

15

作者 葛世慧 杨少君 +2 位作者 陈贵林 毛明西 李发伸 《兰州大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1993年第4期96-101,共6页

用核磁共振和穆斯堡尔效应配合研究了 Fe_(84)B_(10)C_6非晶合金的短程序.探讨了用回火非晶合金来研究短程序时的最佳热处理条件.结果表明,在淬态非晶合金中存在体心四方型的 Fe_3B 和正交型的 Fe_3B 两种短程序.当用晶化方法来研究非... 用核磁共振和穆斯堡尔效应配合研究了 Fe_(84)B_(10)C_6非晶合金的短程序.探讨了用回火非晶合金来研究短程序时的最佳热处理条件.结果表明,在淬态非晶合金中存在体心四方型的 Fe_3B 和正交型的 Fe_3B 两种短程序.当用晶化方法来研究非晶合金的短程序时,推荐采用较低的回火温度(略高於非晶合金的晶化开始温度)和短的回火时间. 展开更多

关键词 穆斯堡尔效应 核磁共振 非晶磁性材料 非晶短程序

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射频反应溅射非晶硅基薄膜的红外谱

16

作者 王印月 吴现成 +1 位作者 王辉耀 陈光华 《兰州大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1995年第2期55-59,共5页

本文研究了用射频反应溅射法制备的非晶硅基系列薄膜（ａ－Ｓｉ：Ｈ，ａ－ＳｉＣ_ｘ：Ｈ，ａ－ＳｉＮ_ｘ：Ｈ和ａ－Ｓｉｃ_ｘＮ_ｙ：Ｈ）的红外吸收谱，对其中的主要吸收区进行了分析和讨论。

关键词 反应溅射 薄膜 红外吸收 非晶硅基 红外光谱

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Lp─MOCVD生长InAlAs量子阱结构材料

17

作者 崔敬忠 甘润今 +5 位作者 陈光华 张仿清 杨树人 刘宝林 陈伯军 刘式墉 《兰州大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1995年第1期120-121,共2页

Ｌｐ─ＭＯＣＶＤ生长ＩｎＡｌＡｓ量子阱结构材料崔敬忠，甘润今，陈光华，张仿清（兰州大学物理学系，兰州７３００００）杨树人，刘宝林，陈伯军，刘式墉（国家集成光电子学联合实验室，吉林大学实验区，长春１３００２３）与ＩｎＰ... Ｌｐ─ＭＯＣＶＤ生长ＩｎＡｌＡｓ量子阱结构材料崔敬忠，甘润今，陈光华，张仿清（兰州大学物理学系，兰州７３００００）杨树人，刘宝林，陈伯军，刘式墉（国家集成光电子学联合实验室，吉林大学实验区，长春１３００２３）与ＩｎＰ匹配的Ｉｎ０．５２Ａｌ０．４８Ａｓ... 展开更多

关键词 异质结构 结构材料 量子阱 量子电子学

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C_(60)高效分离提纯的新方法

18

作者 巩金龙 吴卫东 +1 位作者 张仿清 陈光华 《兰州大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1993年第2期152-152,共1页

C_(60)的发现及其物理化学性质的研究引起了国内外学术界的广泛关注,在超导,非线性光学材料,半导体材料,固体润滑材料及 C_(60)化学等各个领域开展了卓有成效的研究工作。随着研究的深入和研究范围的扩大,需要制备出大量高纯度的 C_(60)... C_(60)的发现及其物理化学性质的研究引起了国内外学术界的广泛关注,在超导,非线性光学材料,半导体材料,固体润滑材料及 C_(60)化学等各个领域开展了卓有成效的研究工作。随着研究的深入和研究范围的扩大,需要制备出大量高纯度的 C_(60),以适应日益增长的需要。常规的分离方法是以中性氧化铝作为色谱固定相,以正已烷和甲苯的混合液作为流动相,但氧化铝和溶剂的消耗量都很大,时间耗费也很长,并且分离提纯量小,C_(60)和 C_(70)的回收率也很低,回收率仅为甲苯萃取物(C_(60)/C_(70)混合粉) 展开更多

关键词 碳60 分离 吸附 回收

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LP─MOCVD生长InGaAs／GaAs应变超晶格

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作者 崔敬忠 陈光华 +5 位作者 张仿清 甘润今 杨树人 刘宝林 陈伯军 刘式墉 《兰州大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1994年第3期163-164,共2页

ＬＰ─ＭＯＣＶＤ生长ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变超晶格崔敬忠，陈光华，张仿清，甘润今（兰州大学物理学系，兰州，７３００００）杨树人，刘宝林，陈伯军，刘式墉（国家集成光电子联合实验室吉林大学实验区，长春，１３００２３）自... ＬＰ─ＭＯＣＶＤ生长ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变超晶格崔敬忠，陈光华，张仿清，甘润今（兰州大学物理学系，兰州，７３００００）杨树人，刘宝林，陈伯军，刘式墉（国家集成光电子联合实验室吉林大学实验区，长春，１３００２３）自从Ｌ．Ｅｓａｋｉ和Ｒ．Ｔｓｕ提出超... 展开更多

关键词 LP-MoCVD法 半导体 超晶格

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^(65)Cu(n,2n)^(64)Cu,^(63)Cu(n,α)^(60)Co 和^(46)Ti(n,p)^(46)Sc反应截面测量

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作者 仇九子 袁俊谦 +1 位作者 王永昌 杨景康 《兰州大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1993年第4期112-115,共4页

本文用活化法以^(27)Al(n,α)^(24)Na 反应截面为中子注量标准,测得的14.9 MeV 中子^(65)Cu(n,2n)^(54)Cu 和^(46)Ti(n,p)^(46)Sc 反应截面分别为9334±32和297±10mb,测得的14.62MeV中子^(63)Cu(n,α)^(60)Co 反应截面值为42.3... 本文用活化法以^(27)Al(n,α)^(24)Na 反应截面为中子注量标准,测得的14.9 MeV 中子^(65)Cu(n,2n)^(54)Cu 和^(46)Ti(n,p)^(46)Sc 反应截面分别为9334±32和297±10mb,测得的14.62MeV中子^(63)Cu(n,α)^(60)Co 反应截面值为42.3±1.5 mb.单能中子由 T(d,n)~4He 反应获得,中子能量是用铌锆截面比法测定的.在文中还把本文的结果与其他一些作者的数据进行了比较. 展开更多

关键词 核反应 截面 铜同位素 钛同位素

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