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Pt/Co/Au多层膜中磁斯格明子的密度调控被引量：3: 1; 作者徐琦张宇中 +9 位作者胡玥李泽林姜泽王楠蒙萱邓霞关超帅朱柳张军伟彭勇《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第2期155-163,共9页; 磁斯格明子是一种拓扑自旋结构,凭借其尺寸小、结构稳定和驱动电流密度低等特性,有望成为新一代赛道磁存储器件的信息存储单元。在存有磁斯格明子的材料体系中,具有界面Dzyaloshinskii-Moriya Interaction(DMI)的铁磁多层膜可与现代纳... 展开更多; 关键词磁斯格明子球差电镜洛伦兹技术磁性层厚度; 在线阅读下载PDF 职称材料

单发光层结构的白色有机电致发光器件的研究被引量：1: 2; 作者李建丰孙硕 +1 位作者欧谷平张福甲《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期382-384,共3页; 在研究了合成并提纯的蓝光材料Liq和黄光染料Rubrene发光特性的基础上,采用高效的荧光染料Rubrene作为掺杂剂掺杂在母体材料Liq中,制备了单发光层结构的有机电致发光器件。当掺杂摩尔分数为1.0%时,器件得到了近白色发光(色度x=0.29,y=0.... 展开更多; 关键词白色有机电致发光器件掺杂能量转移; 在线阅读下载PDF 职称材料

TMEP作为缓冲层增加有机发光器件的效率的研究: 3; 作者李建丰李勇华 +3 位作者孙硕董茂军欧谷平张福甲《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第10期1572-1574,共3页; 在有机发光器件中的发光层和阴极之间插入了稳定性好、有良好电子传输能力的苝酸四甲酯(TMEP)新型缓冲层,改善了有机电致发光器件的亮度和发光效率。在电流密度为200mA/cm2时,有缓冲层的器件B效率为0.82cd/A,没有缓冲层的器件A效率为0.1... 展开更多; 关键词有机电致发光 TMEP缓冲层发光效率; 在线阅读下载PDF 职称材料

9,9′-联蒽/SiO_2表面及界面的AFM和XPS的研究: 4; 作者李建丰宋青 +2 位作者牛振川刘林东张福甲《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期1660-1662,共3页; 在热氧化硅片的衬底上真空蒸镀了1层9,9′-联蒽的薄膜。利用原子力显微镜和X射线光电子能谱对其表面及界面的形貌和电子状态进行了分析。结果发现表面极不平整,存在大量裂缝和空隙,并吸附了空气中大量的气体分子;9,9′-bianthracene薄... 展开更多; 关键词 9 9′-联蒽 AFM XPS; 在线阅读下载PDF 职称材料

RFID中非易失存储单元及灵敏放大电路的设计被引量：2: 5; 作者贾晓云冯鹏 +2 位作者张胜广吴南健刘肃《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期413-418,共6页; 针对无源超高频射频识别标签芯片的应用需求设计了一种非易失性存储单元及其灵敏放大电路。该存储单元包括了两个浮栅节点并利用隧道效应(FN)隧穿机制来实现电子向浮栅的注入和擦除,因此其具有较低的编程功耗和较高的数据存储可靠性。... 展开更多; 关键词 CMOS标准工艺非易失性存储单元灵敏放大电路射频识别(RFID); 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Pt/Co/Au多层膜中磁斯格明子的密度调控被引量：3: 1; 作者徐琦张宇中胡玥李泽林姜泽王楠蒙萱邓霞关超帅朱柳张军伟彭勇; 机构兰州大学材料与能源学院兰州大学物理与科学技术学院兰州大学电镜中心; 出处《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第2期155-163,共9页; 基金国家自然科学基金面上项目(No 51771085).; 文摘磁斯格明子是一种拓扑自旋结构,凭借其尺寸小、结构稳定和驱动电流密度低等特性,有望成为新一代赛道磁存储器件的信息存储单元。在存有磁斯格明子的材料体系中,具有界面Dzyaloshinskii-Moriya Interaction(DMI)的铁磁多层膜可与现代纳米制造工艺兼容,并且这种铁磁多层膜产生的磁斯格明子在室温下可稳定存在,这为基于磁斯格明子研发的电子器件提供了材料基础。然而磁性多层膜中界面DM相互作用、交换相互作用和偶极相互作用等各种作用之间的竞争,导致了磁斯格明子密度的随机变化,降低了磁斯格明子器件的可控性。因此,系统的研究材料参数对磁斯格明子密度的调控具有重要的意义。本文通过改变磁性层Co层的厚度调控了磁性多层膜中磁斯格明子的密度。实验结果表明,随着Co层厚度的增加,磁斯格明子的密度先增加后减少,其中Co层为2.1 nm时磁斯格明子密度最大。理论计算表明,磁性层厚度的变化会引起磁各向异性的转变和内禀属性DM相互作用的改变,进而影响磁斯格明子密度的变化。; 关键词磁斯格明子球差电镜洛伦兹技术磁性层厚度; Keywords magnetic skyrmions spherical electron microscopy Lorentz technique magnet layer thickness; 分类号 O44 [理学—电磁学] O469 [理学—凝聚态物理] TG115.215.3 [金属学及工艺—物理冶金]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名单发光层结构的白色有机电致发光器件的研究被引量：1: 2; 作者李建丰孙硕欧谷平张福甲; 机构兰州大学物理与科学技术学院; 出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期382-384,共3页; 基金国家自然科学基金资助项目(60676033) 甘肃省自然科学基金资助项目(ZS041-A25-001); 文摘在研究了合成并提纯的蓝光材料Liq和黄光染料Rubrene发光特性的基础上,采用高效的荧光染料Rubrene作为掺杂剂掺杂在母体材料Liq中,制备了单发光层结构的有机电致发光器件。当掺杂摩尔分数为1.0%时,器件得到了近白色发光(色度x=0.29,y=0.34),在驱动电压为24V时,器件的亮度达到了2804cd/m2,在驱动电压为16V时,器件的效率达到了4.6cd/A。; 关键词白色有机电致发光器件掺杂能量转移; Keywords white OLEDs doped energy transport; 分类号 TN383.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名TMEP作为缓冲层增加有机发光器件的效率的研究: 3; 作者李建丰李勇华孙硕董茂军欧谷平张福甲; 机构兰州大学物理与科学技术学院兰州交通大学数理与软件工程学院; 出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第10期1572-1574,共3页; 基金国家自然科学基金资助项目(60676033) 甘肃省自然科学基金资助项目(3ZS041-A25-001); 文摘在有机发光器件中的发光层和阴极之间插入了稳定性好、有良好电子传输能力的苝酸四甲酯(TMEP)新型缓冲层,改善了有机电致发光器件的亮度和发光效率。在电流密度为200mA/cm2时,有缓冲层的器件B效率为0.82cd/A,没有缓冲层的器件A效率为0.14cd/A。; 关键词有机电致发光 TMEP缓冲层发光效率; Keywords organic electroluminescence TMEP buffer layer efficiency; 分类号 TN383.1 [电子电信—物理电子学] TN873.3 [电子电信—信息与通信工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名9,9′-联蒽/SiO_2表面及界面的AFM和XPS的研究: 4; 作者李建丰宋青牛振川刘林东张福甲; 机构兰州交通大学数理与软件工程学院兰州大学物理与科学技术学院; 出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期1660-1662,共3页; 基金国家自然科学基金资助项目(60676033) 兰州交通大学大学生创新实验计划资助项目(201046); 文摘在热氧化硅片的衬底上真空蒸镀了1层9,9′-联蒽的薄膜。利用原子力显微镜和X射线光电子能谱对其表面及界面的形貌和电子状态进行了分析。结果发现表面极不平整,存在大量裂缝和空隙,并吸附了空气中大量的气体分子;9,9′-bianthracene薄膜中的氧,主要来自表面吸附的氧气和水分子的扩散以及湿氧氧化时残留在氧化层中水分子和氧分子的扩散。所以对OFET而言,采用溅射工艺制备的SiO2层应比热氧化生长的SiO2层更合适。; 关键词 9 9′-联蒽 AFM XPS; Keywords 9 9′-bianthracene atomic force microscopy X-ray photoelectron spectroscopy; 分类号 TN304.5 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名RFID中非易失存储单元及灵敏放大电路的设计被引量：2: 5; 作者贾晓云冯鹏张胜广吴南健刘肃; 机构兰州大学物理与科学技术学院微电子研究所中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期413-418,共6页; 基金国家科技支撑项目(2012BAH20B02) 国家高技术研究发展计划(863)资助项目(2012AA012301) 国家科技重大专项(2012ZX03004007-002); 文摘针对无源超高频射频识别标签芯片的应用需求设计了一种非易失性存储单元及其灵敏放大电路。该存储单元包括了两个浮栅节点并利用隧道效应(FN)隧穿机制来实现电子向浮栅的注入和擦除,因此其具有较低的编程功耗和较高的数据存储可靠性。为了减小存储单元的面积并进一步降低编程功耗,还采用了厚度仅为4 nm的栅氧作为隧穿结。此外,还设计了一种适合于该存储单元的灵敏放大电路,不仅可以读取存储数据,还可配合存储单元进行数据的擦写操作,从而简化存储单元的设计。基于0.18μm单多晶硅标准CMOS工艺实现了该存储单元及其灵敏放大电路,其单元面积仅为108μm2,经测试表明该存储单元可配合灵敏放大电路实现数据的正确读写,编程电压约为6 V,在擦写次数达到10 000次后,仍具有1.5 V的阈值窗口。; 关键词 CMOS标准工艺非易失性存储单元灵敏放大电路射频识别(RFID); Keywords standard CMOS process non-volatile memory cell sense amplifier circuit radio frequency identification（RFID）; 分类号 TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	Pt/Co/Au多层膜中磁斯格明子的密度调控	徐琦张宇中胡玥李泽林姜泽王楠蒙萱邓霞关超帅朱柳张军伟彭勇	《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心	2024	3	在线阅读下载PDF 职称材料
2	单发光层结构的白色有机电致发光器件的研究	李建丰孙硕欧谷平张福甲	《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心	2008	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	TMEP作为缓冲层增加有机发光器件的效率的研究	李建丰李勇华孙硕董茂军欧谷平张福甲	《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心	2007	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	9,9′-联蒽/SiO_2表面及界面的AFM和XPS的研究	李建丰宋青牛振川刘林东张福甲	《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心	2011	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	RFID中非易失存储单元及灵敏放大电路的设计	贾晓云冯鹏张胜广吴南健刘肃	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2013	2	在线阅读下载PDF 职称材料