期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
硅/硅直接键合制造双极型静电感应晶体管
被引量：
1
1
作者
李思渊
桑保生
+1 位作者
刘肃
杨建红
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1991年第6期15-16,共2页
用硅/硅直接键合片(SDB)代替了高阻外延片成功地制造了新型电力器件双极型静电感应晶体管(BSIT),正向阻断电压800V以上,漏极输出电流2A,展示了SDB片广阔的应用前景。
关键词
双极晶体管
制造
硅/硅
直接键合片
在线阅读
下载PDF
职称材料
静电感应晶闸管（SITH）沟道势垒的分析
被引量：
3
2
作者
李思渊
刘瑞喜
+3 位作者
李成
席传裕
刘肃
杨建红
《兰州大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
1995年第4期78-88,共11页
首先对ＳＩＴＨ通态和阻断态的Ｉ－Ｖ特性给出了物理考察和解释，然后在解析方法所得沟道电势分布表达的基础上，用有限差分法和迭代法精确地求解了沟道电势，得到了马鞍状的势分布，进而研究了沟道势垒随偏压的变化。
关键词
静电感应晶闸管
沟道
势垒
晶闸管
全文增补中
题名
硅/硅直接键合制造双极型静电感应晶体管
被引量：
1
1
作者
李思渊
桑保生
刘肃
杨建红
机构
兰州大学场感应器件研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1991年第6期15-16,共2页
文摘
用硅/硅直接键合片(SDB)代替了高阻外延片成功地制造了新型电力器件双极型静电感应晶体管(BSIT),正向阻断电压800V以上,漏极输出电流2A,展示了SDB片广阔的应用前景。
关键词
双极晶体管
制造
硅/硅
直接键合片
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
静电感应晶闸管（SITH）沟道势垒的分析
被引量：
3
2
作者
李思渊
刘瑞喜
李成
席传裕
刘肃
杨建红
机构
兰州大学场感应器件研究所
出处
《兰州大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
1995年第4期78-88,共11页
文摘
首先对ＳＩＴＨ通态和阻断态的Ｉ－Ｖ特性给出了物理考察和解释，然后在解析方法所得沟道电势分布表达的基础上，用有限差分法和迭代法精确地求解了沟道电势，得到了马鞍状的势分布，进而研究了沟道势垒随偏压的变化。
关键词
静电感应晶闸管
沟道
势垒
晶闸管
Keywords
static induction thyristor
characteristics
analysis
channel
分类号
TN34 [电子电信—物理电子学]
全文增补中
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
硅/硅直接键合制造双极型静电感应晶体管
李思渊
桑保生
刘肃
杨建红
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1991
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
静电感应晶闸管（SITH）沟道势垒的分析
李思渊
刘瑞喜
李成
席传裕
刘肃
杨建红
《兰州大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
1995
3
全文增补中
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
