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槽栅型肖特基势垒静电感应晶体管
1
作者
杨涛
刘肃
+2 位作者
李思渊
王永顺
李海蓉
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第1期65-67,共3页
传统的静电感应晶体管多采用扩硼的方法制备栅极区,这种工艺热预算较高,使得工艺复杂程度和生产成本较高,基于此提出并设计了一种新型的槽栅型肖特基势垒静电感应晶体管。使用V形槽工艺,用溅射铝的方法代替扩硼工艺制备静电感应晶体管...
传统的静电感应晶体管多采用扩硼的方法制备栅极区,这种工艺热预算较高,使得工艺复杂程度和生产成本较高,基于此提出并设计了一种新型的槽栅型肖特基势垒静电感应晶体管。使用V形槽工艺,用溅射铝的方法代替扩硼工艺制备静电感应晶体管的栅极区,简化了工艺流程,使器件在调试过程中具有很大灵活性。使用PECVD(等离子体增强化学气相淀积)工艺,解决了槽栅结构静电感应晶体管的栅极区与源极区容易短路的问题。给出了详细的工艺流程。
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关键词
静电感应晶体管
V形槽
等离子体增强化学气相淀积
肖特基势垒
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职称材料
题名
槽栅型肖特基势垒静电感应晶体管
1
作者
杨涛
刘肃
李思渊
王永顺
李海蓉
机构
兰州
大学
物理
科学与
技术
学院
微
电子
学研究所
兰州交通大学电子与信息工程学院电子科学与技术系
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第1期65-67,共3页
文摘
传统的静电感应晶体管多采用扩硼的方法制备栅极区,这种工艺热预算较高,使得工艺复杂程度和生产成本较高,基于此提出并设计了一种新型的槽栅型肖特基势垒静电感应晶体管。使用V形槽工艺,用溅射铝的方法代替扩硼工艺制备静电感应晶体管的栅极区,简化了工艺流程,使器件在调试过程中具有很大灵活性。使用PECVD(等离子体增强化学气相淀积)工艺,解决了槽栅结构静电感应晶体管的栅极区与源极区容易短路的问题。给出了详细的工艺流程。
关键词
静电感应晶体管
V形槽
等离子体增强化学气相淀积
肖特基势垒
Keywords
SIT
V-groove
plasma enhanced chemical vapor deposition （PECVD）
Schottky barrier
分类号
TN386.3 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
槽栅型肖特基势垒静电感应晶体管
杨涛
刘肃
李思渊
王永顺
李海蓉
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008
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