检索结果-维普期刊中文期刊服务平台

CRD的特性和硅外延层质量控制被引量：1: 1; 作者洪云翔张浙源《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1994年第3期28-31,共4页; 本文分析了ＣＲＤ特性和外延层质量的关系，并报导了改善外延层质量的方法和措施。由于外延层晶格结构以及外延层厚和电阻率的均匀性提高，使ＣＲＤ的Ｉ＿Ｈ值精确控制和击穿电压Ｖ＿Ｂ值提高有了明显的进展。; 关键词半导体器件恒流二极管外延层; 在线阅读下载PDF 职称材料

HVIC中的高压器件——RESURF结构LDMOSFET: 2; 作者徐家权郎金荣 +1 位作者叶润涛朱大中《浙江大学学报（自然科学版）》 CSCD 1993年第1期26-34,共9页; RESURF(减小表面电场)结构的LDMOSFET(水平沟道二次扩散MOS场效应晶体管)是HVIC(高压集成电路)中较为理想的高压输出器件。本文对RESURF结构的LDMOSFET进行了理论与计算机分析,为探求该器件的设计依据及其与双极器件相兼容的工艺方案,... 展开更多; 关键词高压器件高压IC 功率IC HVIC; 在线阅读下载PDF 职称材料

加强失效分析,提高产品可靠性: 3; 作者魏艳梅《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第5期67-68,共2页; 通过对一批七专电路键合点严重腐蚀的失效分析,提出了相应的改进措施,使产品的可靠性得到了保障。; 关键词可靠性失效分析半导体器件理化实验; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	CRD的特性和硅外延层质量控制	洪云翔张浙源	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	1994	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	HVIC中的高压器件——RESURF结构LDMOSFET	徐家权郎金荣叶润涛朱大中	《浙江大学学报（自然科学版）》 CSCD	1993	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	加强失效分析,提高产品可靠性	魏艳梅	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2002	0	在线阅读下载PDF 职称材料