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ITO薄膜的厚度对其光电性能的影响 被引量：15
1
作者 李林娜 薛俊明 +3 位作者 赵亚洲 李养贤 耿新华 赵颖 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期147-150,共4页
氧化铟锡(indium-tin oxide,ITO)具有在可见光范围内高度透明的特性和优良的电学特性,通常当作透明电极,被广泛应用于太阳电池和发光元器件上。本研究中用电阻加热反应蒸发的方法制备ITO薄膜,测试了膜的厚度、电阻率、可见光透过率、载... 氧化铟锡(indium-tin oxide,ITO)具有在可见光范围内高度透明的特性和优良的电学特性,通常当作透明电极,被广泛应用于太阳电池和发光元器件上。本研究中用电阻加热反应蒸发的方法制备ITO薄膜,测试了膜的厚度、电阻率、可见光透过率、载流子浓度和迁移率,讨论薄膜的厚度对薄膜光电性能的影响。实验中制备的ITO薄膜,透过率良好,电阻率可达6.37×10^(-4)Ω.cm,载流子浓度和迁移率可分别达到1.91×10^(20)cm^(-3)和66.4cm2v^(-1)s^(-1)。将实验中制备的ITO作为nip太阳能电池透明电极,其短路电流为10.13mA/cm^(2),开路电压为0.79V,填充因子为0.648,效率可达到5.193%。 展开更多
关键词 ITO薄膜 电阻蒸发法 载流子浓度 霍尔迁移率
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薄膜太阳电池用TCO薄膜制造技术及其特性研究 被引量：5
2
作者 陈新亮 王斐 +6 位作者 闫聪博 李林娜 林泉 倪牮 张晓丹 耿新华 赵颖 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第18期73-77,共5页
阐述了玻璃衬底、柔性衬底透明导电氧化物薄膜(Transparent conductive oxides-TCO)以及硅基薄膜太阳电池应用方面的最新研究成果。绒面结构可以提高薄膜太阳电池效率和稳定性并降低生产成本。磁控溅射技术和LP-MOCVD技术是制造绒面结构... 阐述了玻璃衬底、柔性衬底透明导电氧化物薄膜(Transparent conductive oxides-TCO)以及硅基薄膜太阳电池应用方面的最新研究成果。绒面结构可以提高薄膜太阳电池效率和稳定性并降低生产成本。磁控溅射技术和LP-MOCVD技术是制造绒面结构ZnO-TCO薄膜(例如"弹坑"状和"类金字塔"状表面)的主流生长技术;高迁移率TCO薄膜(IMO、IWO、ZnO∶Ga等)以及柔性衬底TCO薄膜是研究开发的重点。 展开更多
关键词 镀膜技术 TCO薄膜 绒面结构 高迁移率 缓冲层 梯度掺杂 薄膜太阳电池
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太阳电池用绒面ZnO-TCO薄膜制备技术及特性的研究进展 被引量：4
3
作者 陈新亮 薛俊明 +1 位作者 赵颖 耿新华 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第9期98-103,112,共7页
概括阐述了薄膜太阳电池用绒面结构ZnO透明导电薄膜(ZnO-TCO)方面的最新研究进展。绒面结构ZnO-TCO薄膜可以提高薄膜太阳电池效率和稳定性并降低生产成本。磁控溅射技术和MOCVD(LP-MOCVD/LPCVD)技术是制备绒面结构ZnO-TCO薄膜(例如"... 概括阐述了薄膜太阳电池用绒面结构ZnO透明导电薄膜(ZnO-TCO)方面的最新研究进展。绒面结构ZnO-TCO薄膜可以提高薄膜太阳电池效率和稳定性并降低生产成本。磁控溅射技术和MOCVD(LP-MOCVD/LPCVD)技术是制备绒面结构ZnO-TCO薄膜(例如"弹坑"状和"类金字塔"状表面)的主流生长技术,而喷雾热分解技术则是正在开发的非真空法低成本工艺路线。论述了2种主流技术生长ZnO-TCO薄膜的发展历程,并重点讨论了近期关于绒面ZnO-TCO薄膜微观结构、电学以及光学等特性与工艺关系的研究结果。进一步降低成本和实现大面积产业化是绒面ZnO-TCO薄膜拓展应用的发展趋势。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 透明导电氧化物-TCO 绒面结构 薄膜太阳电池
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用VHF-PECVD技术研制大面积均匀硅基薄膜 被引量：2
4
作者 薛俊明 侯国付 +5 位作者 王凯杰 孙建 任慧志 张德坤 赵颖 耿新华 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第11期1227-1232,共6页
首先对电极表面VHF频段电场分布进行了详细的物理分析,认为当激发频率在VHF频段时驻波和损耗波对电场均匀性分布影响很大,而通过选择不同的电源馈入方式可减小其影响。采用中心馈入法,对馈线和电极的连接方式进行了仔细研究,然后就工作... 首先对电极表面VHF频段电场分布进行了详细的物理分析,认为当激发频率在VHF频段时驻波和损耗波对电场均匀性分布影响很大,而通过选择不同的电源馈入方式可减小其影响。采用中心馈入法,对馈线和电极的连接方式进行了仔细研究,然后就工作压力、沉积功率、流量等工作参数对均匀性、沉积速率、材料特性的影响进行了研究。结果表明:在本文所研究的范围内,适当提高工作气压可以提高薄膜的均匀性,而功率的变化对均匀性影响不大;在一定范围内提高工作气压和功率都可提高沉积速率;从薄膜的质量来说,气压低时较好,而功率则应适当选择。通过优化沉积条件,我们在普通浮法玻璃上制备出了面积为23×24cm^2,厚度不均匀性为±1.4%,最高沉积速率达10.5/s,光敏性最大为2.25×10~5的a-Si:H薄膜材料。 展开更多
关键词 VHF-PECVD 硅基薄膜 大面积均匀性 电源馈入方式
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磁控溅射技术室温生长氢化ZnO：Ga薄膜及其特性研究 被引量：1
5
作者 王斐 陈新亮 +6 位作者 张翅 张德坤 魏长春 黄茜 张晓丹 赵颖 耿新华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期1404-1409,共6页
采用直流脉冲磁控溅射方法,在室温下生长氢化Ga掺杂ZnO薄膜(GZO/H),并通过湿法后腐蚀技术获得绒面结构。研究了室温下H2流量对薄膜结构、光电性能及表面形貌的影响。实验表明,氢化GZO(GZO/H)薄膜具有良好的(002)晶面择优取向生长,引入... 采用直流脉冲磁控溅射方法,在室温下生长氢化Ga掺杂ZnO薄膜(GZO/H),并通过湿法后腐蚀技术获得绒面结构。研究了室温下H2流量对薄膜结构、光电性能及表面形貌的影响。实验表明,氢化GZO(GZO/H)薄膜具有良好的(002)晶面择优取向生长,引入适当流量的H2可以有效提高薄膜的电学特性,GZO/H薄膜具有更低的电阻率以及较高的迁移率和载流子浓度。当通入H2流量为6 sccm时,薄膜电阻率为6.8×10-4Ω.cm,Hall迁移率达34.2 cm2/V.s,制备的GZO/H薄膜可见光区域平均透过率优于85%。此外,研究了H2流量对湿法腐蚀后绒面GZO/H薄膜表面形貌的影响,提出了一种薄膜绒面结构形成过程模型。 展开更多
关键词 脉冲磁控溅射 氧化锌 镓掺杂 H2流量 绒面结构
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SiO2阻挡层对电子束沉积法生长高迁移率IWO薄膜性能的影响 被引量：2
6
作者 任世荣 陈新亮 +4 位作者 张存善 孙建 张晓丹 耿新华 赵颖 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期843-847,共5页
利用电子束沉积技术在玻璃衬底上制备了IWO(In2O3∶WO3)薄膜和SiO2缓冲层,并将SiO2缓冲层对IWO薄膜性能的影响作了探究。SiO2缓冲层在室温生长。SIMS测试表明:SiO2缓冲层能有效阻挡浮法玻璃中的杂质进入到IWO薄膜。实验获得的具有SiO2... 利用电子束沉积技术在玻璃衬底上制备了IWO(In2O3∶WO3)薄膜和SiO2缓冲层,并将SiO2缓冲层对IWO薄膜性能的影响作了探究。SiO2缓冲层在室温生长。SIMS测试表明:SiO2缓冲层能有效阻挡浮法玻璃中的杂质进入到IWO薄膜。实验获得的具有SiO2阻挡层的IWO薄膜的电子迁移率μ～54.5 cm.2V-.1s-1,电阻率ρ～5.86×10-4Ω.cm,电子载流子浓度n～1.95×1020 cm-3,400～1600 nm光谱区域内的平均透过率～76%。 展开更多
关键词 电子束沉积技术 SiO2阻挡层 IWO薄膜 高迁移率
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TiCl_4水解法制备的阻挡层对染料敏化太阳能电池光电性能的影响 被引量：12
7
作者 陈东坡 张晓丹 +2 位作者 魏长春 刘彩池 赵颖 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2011年第2期425-431,共7页
通过不同浓度的TiCl4溶液水解,在光阳极导电玻璃(FTO)基底上制备了阻挡层薄膜,以此来抑制FTO表面的光生电子与I-3之间的复合反应,采用X射线光电子能谱(XPS)和X射线衍射分别测试了阻挡层薄膜的组成,用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)和紫外... 通过不同浓度的TiCl4溶液水解,在光阳极导电玻璃(FTO)基底上制备了阻挡层薄膜,以此来抑制FTO表面的光生电子与I-3之间的复合反应,采用X射线光电子能谱(XPS)和X射线衍射分别测试了阻挡层薄膜的组成,用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)和紫外-可见(UV-Vis)分光光度计测试了阻挡层的形貌和对光的透过率,在AM1.5和暗环境下分别测试了染料敏化太阳能电池(DSSC)的光电性能.实验结果表明:用此方法可以获得由TiO2粒子组成的阻挡层薄膜;阻挡层薄膜的形貌随着TiCl4溶液浓度的增加而改变,它的厚度随着TiCl4溶液浓度的增加而增加;引入阻挡层后,FTO对光的透过率都会下降;这一薄膜的引入可以提高电池的光电性能,用0.04 mo·lL-1的TiCl4溶液制备的阻挡层对暗电流的抑制作用最为明显,电池在AM1.5的条件下测试,转换效率最高7.84%. 展开更多
关键词 染料敏化太阳能电池 阻挡层 TIO2薄膜 暗电流 TICL4
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纯化器对VHF-PECVD制备的不同结构硅薄膜特性的影响 被引量：5
8
作者 张晓丹 赵颖 +9 位作者 朱锋 魏长春 高艳涛 孙建 侯国付 薛俊明 张德坤 任慧志 耿新华 熊绍珍 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期892-897,共6页
本文采用VHF PECVD技术制备了不同结构的硅薄膜 ,分析研究了有、无纯化器对制备薄膜特性的影响。电学特性和结构特性测试结果表明 :在 10W的功率条件下 ,使用纯化器时制备的薄膜是光敏性满足非晶硅电池要求的材料 ,而在不使用纯化器时... 本文采用VHF PECVD技术制备了不同结构的硅薄膜 ,分析研究了有、无纯化器对制备薄膜特性的影响。电学特性和结构特性测试结果表明 :在 10W的功率条件下 ,使用纯化器时制备的薄膜是光敏性满足非晶硅电池要求的材料 ,而在不使用纯化器时制备的材料是适用于太阳能电池有源层的纳米硅材料 ;在 30W时 ,不使用纯化器制备薄膜的晶化明显增大 ,光敏性也相应的降低 ,5 0W的条件表现出相类似的结果 ,初步分析是氧引起的差别 ;激活能的测试结果也表明 ,使用纯化器会降低材料中的氧含量 ,即表现激活能相对大 ;另外 ,沉积速率的测试结果也给出 展开更多
关键词 纯化器 制备 光敏性 降低 硅薄膜 晶化 氧含量 VHF-PECVD 有源层 纳米硅
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微晶硅薄膜纵向不均匀性的Raman光谱和AFM研究 被引量：5
9
作者 张晓丹 赵颖 +7 位作者 朱锋 魏长春 吴春亚 高艳涛 孙建 侯国付 耿新华 熊绍珍 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期960-964,共5页
本文研究了采用VHF PECVD技术制备的微晶硅薄膜的纵向均匀性。喇曼测试结果显示 :微晶硅薄膜存在着生长方向的结构不均匀 ,随厚度的增加 ,材料的晶化率逐渐变大 ;不同衬底其非晶孵化点是不一样的 ,对于同一种衬底 ,绒度大相应的晶化率就... 本文研究了采用VHF PECVD技术制备的微晶硅薄膜的纵向均匀性。喇曼测试结果显示 :微晶硅薄膜存在着生长方向的结构不均匀 ,随厚度的增加 ,材料的晶化率逐渐变大 ;不同衬底其非晶孵化点是不一样的 ,对于同一种衬底 ,绒度大相应的晶化率就大 ,对应着孵化层的厚度小 ;AFM测试结果明显的给出 展开更多
关键词 衬底 微晶硅薄膜 VHF-PECVD AFM 厚度 不均匀性 显示 RAMAN光谱 晶化 测试结果
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全无机胶体量子点显示技术 被引量：7
10
作者 耿卫东 郭嘉 +1 位作者 唐静 刘会刚 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期479-484,共6页
基于胶体量子点发光的全无机显示器件具有优于OLED的电致发光和抗环境性优势,将成为新一代平板显示器件。本文介绍了全无机胶体量子点显示的优势和发展潜力,介绍了GaN电荷传输层量子点显示器件、金属氧化物电荷传输层量子点显示器件、... 基于胶体量子点发光的全无机显示器件具有优于OLED的电致发光和抗环境性优势,将成为新一代平板显示器件。本文介绍了全无机胶体量子点显示的优势和发展潜力,介绍了GaN电荷传输层量子点显示器件、金属氧化物电荷传输层量子点显示器件、交流驱动多层结构的透明量子点显示器以及单极性量子点显示器件等。指出深入研究全无机胶体量子点发光器件的电荷输运机制,在新材料、新器件结构和新驱动机制等方面,改进器件的电致发光效率是目前需要解决的主要问题。 展开更多
关键词 显示器件 胶体量子点 全无机显示器件 外量子效率
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薄膜非晶/微晶叠层电池中NP隧穿结的影响 被引量：9
11
作者 朱锋 赵颖 +7 位作者 魏长春 任慧智 薛俊明 张晓丹 高艳涛 张德坤 孙建 耿新华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期81-84,共4页
本文论述了薄膜非晶/微晶叠层电池中NP隧穿结对电池性能的影响。在薄膜叠层电池中非晶顶电池的N层采用微晶硅,减小了电池的内部串联电阻影响。通过调整非晶硅顶电池N层和微晶硅底电池P层的厚度,降低NP隧穿结的影响,获得薄膜叠层电池效率... 本文论述了薄膜非晶/微晶叠层电池中NP隧穿结对电池性能的影响。在薄膜叠层电池中非晶顶电池的N层采用微晶硅,减小了电池的内部串联电阻影响。通过调整非晶硅顶电池N层和微晶硅底电池P层的厚度,降低NP隧穿结的影响,获得薄膜叠层电池效率11.73%(Voc=1.34V,Jsc=14.53mA/cm2,FF=60.27%),电池面积为0.253 cm2。 展开更多
关键词 非晶/微晶叠层电池 微晶硅 N/P隧穿结
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P型ZnO薄膜的制备及其在太阳电池中的初步应用 被引量：6
12
作者 焦宝臣 张晓丹 +3 位作者 赵颖 孙建 魏长春 杨瑞霞 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期602-605,共4页
利用超声雾化热分解技术(USP)、通过N-Al共掺的方法,在corning 7059衬底上生长出p型透明导电膜。该薄膜在可见光范围内的透过率可达到90%以上。X射线衍射的测试结果表明:p型透明导电膜具有c轴择优生长特性。通过霍耳测试得到p型ZnO薄膜... 利用超声雾化热分解技术(USP)、通过N-Al共掺的方法,在corning 7059衬底上生长出p型透明导电膜。该薄膜在可见光范围内的透过率可达到90%以上。X射线衍射的测试结果表明:p型透明导电膜具有c轴择优生长特性。通过霍耳测试得到p型ZnO薄膜的电学特性为:电阻率为4.21Ω.cm、迁移率是0.22cm2/(V.s)、载流子浓度为6.68×1018cm-3。此材料初步应用到微晶硅电池中,其开路电压为0.47V。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 P型 透明导电薄膜 太阳电池
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ZnO-TCO薄膜及其在太阳电池中的应用 被引量：6
13
作者 陈新亮 薛俊明 +1 位作者 赵颖 耿新华 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期22-25,共4页
概括地阐述了ZnO透明导电薄膜(ZnO-TCO)的特性及其在薄膜太阳电池中的应用,介绍了ZnO薄膜在薄膜太阳电池中的应用背景,阐明了它在其中的作用及ZnO-TCO薄膜的主流生长方法,并给出了近年来ZnO-_ TCO薄膜的主要研究结果,最后展望了其应用... 概括地阐述了ZnO透明导电薄膜(ZnO-TCO)的特性及其在薄膜太阳电池中的应用,介绍了ZnO薄膜在薄膜太阳电池中的应用背景,阐明了它在其中的作用及ZnO-TCO薄膜的主流生长方法,并给出了近年来ZnO-_ TCO薄膜的主要研究结果,最后展望了其应用和发展趋势。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 透明导电氧化物 陷光作用 太阳电池
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溅射气压对直流电源磁控溅射制备掺铝氧化锌薄膜性能的影响 被引量：6
14
作者 李林娜 陈新亮 +2 位作者 孙建 耿新华 赵颖 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第B06期118-122,共5页
以ZnO∶Al2O3(2wt%)陶瓷为溅射靶材,采用直流磁控溅射的方法,在普通玻璃衬底上制备ZnO∶Al(AZO)薄膜,研究了溅射气压对AZO薄膜的结构特性、表面形貌及其光电性的影响。XRD和SEM测试表明所有样品均为多晶六角纤锌矿结构,薄膜呈(002)晶面... 以ZnO∶Al2O3(2wt%)陶瓷为溅射靶材,采用直流磁控溅射的方法,在普通玻璃衬底上制备ZnO∶Al(AZO)薄膜,研究了溅射气压对AZO薄膜的结构特性、表面形貌及其光电性的影响。XRD和SEM测试表明所有样品均为多晶六角纤锌矿结构,薄膜呈(002)晶面择优生长。用体积百分比为0.5%稀盐酸对制备的AZO薄膜进行腐蚀制绒,腐蚀后其表面形貌随溅射气压的不同而改变。在适当溅射气压下(～1.5m Torr)制备的薄膜,通过溅射后腐蚀工艺,可获得表面形貌具有特征陷光结构的AZO薄膜,其表面呈现"弹坑"状,薄膜的绒度随表面形貌的不同而变化。同时通过优化制备工艺,所有溅射气压下制备的AZO薄膜在可见光及近红外范围的平均透过率大于80%,电阻率低于8.5×10-4Ω·cm,可以满足硅基薄膜太阳电池对透明前电极光电性能的要求。 展开更多
关键词 磁控溅射 氧化锌薄膜 溅射气压
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直流磁控溅射法制备单一相高质量β-FeSi_2薄膜 被引量：4
15
作者 侯国付 郁操 +1 位作者 赵颖 耿新华 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第7期861-865,共5页
报道了在单晶Si(100)衬底上,采用室温直流磁控溅射Fe-Si组合靶的方法,并经过后续气氛退火来制备β-FeSi_2薄膜的结果。主要研究了退火时间、退火温度等实验条件对样品结构特性、光学特性和电学特性的影响,制备出了单一相高质量的β-FeS... 报道了在单晶Si(100)衬底上,采用室温直流磁控溅射Fe-Si组合靶的方法,并经过后续气氛退火来制备β-FeSi_2薄膜的结果。主要研究了退火时间、退火温度等实验条件对样品结构特性、光学特性和电学特性的影响,制备出了单一相高质量的β-FeSi_2薄膜。霍尔测试表明未掺杂薄膜是P型导电的,载流子浓度5.747×10^(16)cm^(-3),空穴迁移率168cm^2/Vs。由反射-透射法得到薄膜的禁带宽度为0.879eV,吸收系数在光子能量为1.0eV时达到了1.42×10~5cm^(-1)。基于以上优异的光电性能,β-FeSi_2薄膜可望用作太阳电池的有源层。 展开更多
关键词 β-FeSi2薄膜 直流磁控溅射 Fe—Si组合靶 太阳电池
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B掺杂对平面结构MOCVD-ZnO薄膜性能的影响(英文) 被引量：3
16
作者 陈新亮 薛俊明 +3 位作者 张德坤 孙建 赵颖 耿新华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期997-1002,共6页
本文研究了B2H6掺杂流量（B掺杂）对平面结构MOCVD—ZnO薄膜的微观结构和光电性能影响。XRD、SEM和AFM测试的研究结果表明，玻璃衬底上制备的ZnO薄膜具有（002）峰择优取向的平面结构，B掺杂使薄膜的球状晶粒尺寸变小，10sccm流量时晶... 本文研究了B2H6掺杂流量（B掺杂）对平面结构MOCVD—ZnO薄膜的微观结构和光电性能影响。XRD、SEM和AFM测试的研究结果表明，玻璃衬底上制备的ZnO薄膜具有（002）峰择优取向的平面结构，B掺杂使薄膜的球状晶粒尺寸变小，10sccm流量时晶粒尺寸为-15nm。ZnO：B薄膜的最小电阻率为5．7× 10^-3 Ω · cm。生长的ZnO薄膜（厚度d=1150nm）在400-900nm范围的透过率为82％-97％，且随着BzH6掺杂流量增大，光学吸收边呈现蓝移（即光学带隙t展宽）现象。 展开更多
关键词 MOCVD ZNO薄膜 B掺杂 太阳电池
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薄膜厚度对MOCVD法沉积ZnO透明导电薄膜的影响 被引量：3
17
作者 陈新亮 薛俊明 +4 位作者 孙建 任慧志 张德坤 赵颖 耿新华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期1313-1317,共5页
本文研究了薄膜厚度对MOCVD技术制备未掺杂ZnO薄膜的微观结构和电学特性影响。XRD和SEM的研究结果表明，随着薄膜厚度的增加，ZnO薄膜（110）峰趋于择优取向，且晶粒逐渐长大，薄膜从球状和细长棒状演变为具有类金字塔绒面结构特征的Zn... 本文研究了薄膜厚度对MOCVD技术制备未掺杂ZnO薄膜的微观结构和电学特性影响。XRD和SEM的研究结果表明，随着薄膜厚度的增加，ZnO薄膜（110）峰趋于择优取向，且晶粒逐渐长大，薄膜从球状和细长棒状演变为具有类金字塔绒面结构特征的ZnO薄膜；Hall测量表明，较厚的ZnO薄膜有助于提高薄膜电学特性，可归于晶粒长大和晶体质量提高。40min沉积时间（膜厚为1250m）制备出的ZnO薄膜具有明显绒面结构，其晶粒尺寸为300-500m，电阻率为7．9×10^-3Q·cm，迁移率为26．8cm^2／Vs。 展开更多
关键词 MOCVD ZNO薄膜 透明导电氧化物 太阳电池
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绒面结构ZnO薄膜及其表面处理 被引量：2
18
作者 陈新亮 薛俊明 +4 位作者 张德坤 蔡宁 张晓丹 赵颖 耿新华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期631-633,共3页
本文制备出(110)峰取向的绒面结构MOCVD-ZnO:B薄膜并提出CH3COOH湿法刻蚀的表面处理技术。研究表明,绒面结构ZnO:B薄膜具有"类金字塔"晶粒形状;处理前后ZnO:B薄膜的微观结构,方块电阻和光学性能变化不大。适当的表面处理有助... 本文制备出(110)峰取向的绒面结构MOCVD-ZnO:B薄膜并提出CH3COOH湿法刻蚀的表面处理技术。研究表明,绒面结构ZnO:B薄膜具有"类金字塔"晶粒形状;处理前后ZnO:B薄膜的微观结构,方块电阻和光学性能变化不大。适当的表面处理有助于使薄膜表面趋于柔和,有望改善ZnO/Si界面特性,从而应用于μc-Si薄膜太阳电池。 展开更多
关键词 MOCVD 绒面ZnO薄膜 湿法刻蚀 太阳电池
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VHF-PECVD制备不同衬底温度微晶硅薄膜结构研究 被引量：2
19
作者 张晓丹 赵颖 +5 位作者 高艳涛 朱锋 魏长春 孙建 耿新 熊绍珍 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期920-922,共3页
　采用微区拉曼散射、傅立叶变换红外吸收和光热偏转谱对VHF PECVD制备的不同衬底温度硅薄膜进行了微结构分析.结果表明:随衬底温度的升高,薄膜逐渐由非晶向微晶过渡,晶化率(Xc)逐渐增大,样品中的氢含量逐渐降低.在200～250℃条件下制... 　采用微区拉曼散射、傅立叶变换红外吸收和光热偏转谱对VHF PECVD制备的不同衬底温度硅薄膜进行了微结构分析.结果表明:随衬底温度的升高,薄膜逐渐由非晶向微晶过渡,晶化率(Xc)逐渐增大,样品中的氢含量逐渐降低.在200～250℃条件下制备的微晶硅薄膜具有低的缺陷密度.通过优化工艺条件制备出了效率达7.1%的单结微晶硅太阳电池,电池厚度仅为1.2μm,且没有ZnO背反射电极. 展开更多
关键词 甚高频等离子体增强化学气相沉积 微晶硅 衬底温度
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电阻蒸发铝薄膜结构及其对非晶硅太阳电池性能的影响 被引量：2
20
作者 孙建 薛俊明 +4 位作者 侯国付 王锐 张德坤 赵颖 耿新华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期152-156,共5页
本文首先采用电阻蒸发法制备了不同厚度的Al薄膜,并选择了两个典型厚度的Al薄膜制备工艺来制备非晶硅太阳电池的Al背电极,研究了Al背电极厚度对电池性能的影响。结果表明,Al背电极的厚度由800nm减薄到70nm时,电池的Voc平均值由0.826V增... 本文首先采用电阻蒸发法制备了不同厚度的Al薄膜,并选择了两个典型厚度的Al薄膜制备工艺来制备非晶硅太阳电池的Al背电极,研究了Al背电极厚度对电池性能的影响。结果表明,Al背电极的厚度由800nm减薄到70nm时,电池的Voc平均值由0.826V增加到0.829V,电池的Jsc平均值由11.747mA/cm2减小到11.318 mA/cm2,电池的FF平均值由0.701增加到0.728,而电池效率的平均值略有增加,由6.803%增加到6.833%。用扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)研究了玻璃衬底上蒸发的Al薄膜和非晶硅电池Al背电极表面形貌和微观结构的变化,分析了电池性能随Al背电极厚度变化的原因。 展开更多
关键词 电阻蒸发 Al背电极 非晶硅太阳电池
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