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GaSb单晶研究进展
被引量：
4
1
作者
刘京明
杨俊
+3 位作者
赵有文
杨成奥
蒋洞微
牛智川
《人工晶体学报》
北大核心
2024年第1期1-11,共11页
近年来,锑化物红外技术发展迅速,成为半导体技术的重要发展方向之一。锑化镓(GaSb)作为典型的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,凭借优异的性能成为锑化物红外光电器件的关键衬底材料。随着锑化物红外技术逐步成熟和应用逐渐开展,人们对GaSb单晶片...
近年来,锑化物红外技术发展迅速,成为半导体技术的重要发展方向之一。锑化镓(GaSb)作为典型的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,凭借优异的性能成为锑化物红外光电器件的关键衬底材料。随着锑化物红外技术逐步成熟和应用逐渐开展,人们对GaSb单晶片的需求日益剧增的同时也对其质量提出更高的要求。GaSb单晶片质量直接影响着外延材料和器件性能,这就要求GaSb单晶片具有大尺寸、更低的缺陷密度、更好的表面质量和一致性。本文就GaSb晶体材料的性质、制备方法、国内外机构的研究进展及其应用情况进行了综述,并对其发展前景和趋势进行了展望。
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关键词
锑化镓
化合物半导体
锑化物
晶体
红外光电器件
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职称材料
题名
GaSb单晶研究进展
被引量：
4
1
作者
刘京明
杨俊
赵有文
杨成奥
蒋洞微
牛智川
机构
中国科学院
半导体研究所
光电子
材料与
器件
重点
实验室
(
中国科学院
)
中国科学院
大学
中国科学院
大学
材料
科学
与
光电
技术
学院
出处
《人工晶体学报》
北大核心
2024年第1期1-11,共11页
基金
国家自然科学基金(62374161)。
文摘
近年来,锑化物红外技术发展迅速,成为半导体技术的重要发展方向之一。锑化镓(GaSb)作为典型的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,凭借优异的性能成为锑化物红外光电器件的关键衬底材料。随着锑化物红外技术逐步成熟和应用逐渐开展,人们对GaSb单晶片的需求日益剧增的同时也对其质量提出更高的要求。GaSb单晶片质量直接影响着外延材料和器件性能,这就要求GaSb单晶片具有大尺寸、更低的缺陷密度、更好的表面质量和一致性。本文就GaSb晶体材料的性质、制备方法、国内外机构的研究进展及其应用情况进行了综述,并对其发展前景和趋势进行了展望。
关键词
锑化镓
化合物半导体
锑化物
晶体
红外光电器件
Keywords
GaSb
compound semiconductor
antimonide
crystal
infrared optoelectronics
分类号
O471 [理学—半导体物理]
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作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaSb单晶研究进展
刘京明
杨俊
赵有文
杨成奥
蒋洞微
牛智川
《人工晶体学报》
北大核心
2024
4
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