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采用高压RF-PECVD法制备高电导、高晶化率的p型微晶硅材料
被引量：
8
1
作者
侯国付
薛俊明
+5 位作者
袁育杰
张德坤
孙建
张建军
赵颖
耿新华
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第1期85-88,共4页
本文报道了采用高压射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法制备高电导、高晶化率的p型微晶硅材料的结果。重点研究了反应压力和辉光功率对p型微晶硅材料结构和电学特性的影响。通过沉积参数的优化,在很薄的厚度(33nm)时,材料的暗...
本文报道了采用高压射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法制备高电导、高晶化率的p型微晶硅材料的结果。重点研究了反应压力和辉光功率对p型微晶硅材料结构和电学特性的影响。通过沉积参数的优化,在很薄的厚度(33nm)时,材料的暗电导率依然达到1.81S/cm,激活能达25meV,晶化率为57%。文中还对高压RF-PECVD能够制备p型微晶硅材料的生长机理和高电导机理进行了分析。
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关键词
p型微晶硅
高压RF-PECVD
太阳电池
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职称材料
直流磁控溅射法制备单一相高质量β-FeSi_2薄膜
被引量：
4
2
作者
侯国付
郁操
+1 位作者
赵颖
耿新华
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第7期861-865,共5页
报道了在单晶Si(100)衬底上,采用室温直流磁控溅射Fe-Si组合靶的方法,并经过后续气氛退火来制备β-FeSi_2薄膜的结果。主要研究了退火时间、退火温度等实验条件对样品结构特性、光学特性和电学特性的影响,制备出了单一相高质量的β-FeS...
报道了在单晶Si(100)衬底上,采用室温直流磁控溅射Fe-Si组合靶的方法,并经过后续气氛退火来制备β-FeSi_2薄膜的结果。主要研究了退火时间、退火温度等实验条件对样品结构特性、光学特性和电学特性的影响,制备出了单一相高质量的β-FeSi_2薄膜。霍尔测试表明未掺杂薄膜是P型导电的,载流子浓度5.747×10^(16)cm^(-3),空穴迁移率168cm^2/Vs。由反射-透射法得到薄膜的禁带宽度为0.879eV,吸收系数在光子能量为1.0eV时达到了1.42×10~5cm^(-1)。基于以上优异的光电性能,β-FeSi_2薄膜可望用作太阳电池的有源层。
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关键词
β-FeSi2薄膜
直流磁控溅射
Fe—Si组合靶
太阳电池
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职称材料
题名
采用高压RF-PECVD法制备高电导、高晶化率的p型微晶硅材料
被引量：
8
1
作者
侯国付
薛俊明
袁育杰
张德坤
孙建
张建军
赵颖
耿新华
机构
南开大学
光电
子薄膜器件
与技术
研究所
光电
子薄膜器件
与技术
天津市
重点
实验室
光电
信息科学
与技术
教育部
重点
实验室
(
南开大学
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第1期85-88,共4页
基金
国家重点基础研究发展计划(973)项目(2006CB202602和2006CB202603)
天津市自然科学基金项目(043612511)资助
文摘
本文报道了采用高压射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法制备高电导、高晶化率的p型微晶硅材料的结果。重点研究了反应压力和辉光功率对p型微晶硅材料结构和电学特性的影响。通过沉积参数的优化,在很薄的厚度(33nm)时,材料的暗电导率依然达到1.81S/cm,激活能达25meV,晶化率为57%。文中还对高压RF-PECVD能够制备p型微晶硅材料的生长机理和高电导机理进行了分析。
关键词
p型微晶硅
高压RF-PECVD
太阳电池
Keywords
p-type microcrystalline silicon
high-pressure RF-PECVD
solar cell
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
直流磁控溅射法制备单一相高质量β-FeSi_2薄膜
被引量：
4
2
作者
侯国付
郁操
赵颖
耿新华
机构
南开大学
光电
子薄膜器件
与技术
研究所
南开大学
光电
子薄膜器件
与技术
天津市
重点
实验室
光电
信息科学
与技术
教育部
重点
实验室
(
南开大学
出处
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第7期861-865,共5页
基金
天津市应用基础研究计划项目(07JCYBJC04000)
国家重点基础研究发展计划项目(2006CB202602
2006CB202603)
文摘
报道了在单晶Si(100)衬底上,采用室温直流磁控溅射Fe-Si组合靶的方法,并经过后续气氛退火来制备β-FeSi_2薄膜的结果。主要研究了退火时间、退火温度等实验条件对样品结构特性、光学特性和电学特性的影响,制备出了单一相高质量的β-FeSi_2薄膜。霍尔测试表明未掺杂薄膜是P型导电的,载流子浓度5.747×10^(16)cm^(-3),空穴迁移率168cm^2/Vs。由反射-透射法得到薄膜的禁带宽度为0.879eV,吸收系数在光子能量为1.0eV时达到了1.42×10~5cm^(-1)。基于以上优异的光电性能,β-FeSi_2薄膜可望用作太阳电池的有源层。
关键词
β-FeSi2薄膜
直流磁控溅射
Fe—Si组合靶
太阳电池
Keywords
β-FeSi2 thin films
DC-magnetron sputtering
Fe-Si mixed targets
solar ceils
分类号
TN304.105.5 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
采用高压RF-PECVD法制备高电导、高晶化率的p型微晶硅材料
侯国付
薛俊明
袁育杰
张德坤
孙建
张建军
赵颖
耿新华
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
8
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
直流磁控溅射法制备单一相高质量β-FeSi_2薄膜
侯国付
郁操
赵颖
耿新华
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
4
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职称材料
已选择
0
条
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引证文献
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