LCOS微显示技术 被引量：15

1

作者 代永平 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期471-477,共7页

硅上液晶(LCOS)显示技术是一种反射式液晶显示技术,其周边驱动器和有源像素矩阵使用CMOS技术制作在单晶硅上,并以该晶片为基底封装液晶盒,因而拥有了小尺寸和高显示分辨率的双重特性。文章介绍了LCOS显示器的原理、制造技术和应用领域,... 硅上液晶(LCOS)显示技术是一种反射式液晶显示技术,其周边驱动器和有源像素矩阵使用CMOS技术制作在单晶硅上,并以该晶片为基底封装液晶盒,因而拥有了小尺寸和高显示分辨率的双重特性。文章介绍了LCOS显示器的原理、制造技术和应用领域,对其发展前景进行了展望。 展开更多

关键词 LCOS屏 反射式 微投影 光机

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VHF-PECVD制备不同氢稀释条件下硅薄膜特性分析 被引量：6

2

作者 张晓丹 高艳涛 +9 位作者 赵颖 朱锋 魏长春 孙建 侯国付 薛俊明 张德坤 任慧志 耿新华 熊绍珍 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期56-59,64,共5页

本文集中报导了不同硅烷浓度条件下,制备的系列硅薄膜电学特性和结构特性的分析研究。结果表明:随着硅烷浓度的逐渐减小,材料逐渐地由非晶向微晶转变。傅立叶变换红外吸收 (FTIR)的测试结果表明:微晶硅材料存在着自然的不稳定性,表现为... 本文集中报导了不同硅烷浓度条件下,制备的系列硅薄膜电学特性和结构特性的分析研究。结果表明:随着硅烷浓度的逐渐减小,材料逐渐地由非晶向微晶转变。傅立叶变换红外吸收 (FTIR)的测试结果表明:微晶硅材料存在着自然的不稳定性,表现为氧含量随着时间的推移而增多。而且,微结构因子(IR)的结果给出:对于适用于电池有源层的微晶硅材料来说,其IR不能太大,也不能太小,本实验中相对好的微晶硅材料其IR为 31%。 展开更多

关键词 硅材料 硅薄膜 VHF-PECVD 有源层 微晶 晶向 电学特性 度条件 因子 不稳定性

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纯化器对VHF-PECVD制备的不同结构硅薄膜特性的影响 被引量：5

3

作者 张晓丹 赵颖 +9 位作者 朱锋 魏长春 高艳涛 孙建 侯国付 薛俊明 张德坤 任慧志 耿新华 熊绍珍 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期892-897,共6页

本文采用VHF PECVD技术制备了不同结构的硅薄膜 ,分析研究了有、无纯化器对制备薄膜特性的影响。电学特性和结构特性测试结果表明 :在 10W的功率条件下 ,使用纯化器时制备的薄膜是光敏性满足非晶硅电池要求的材料 ,而在不使用纯化器时... 本文采用VHF PECVD技术制备了不同结构的硅薄膜 ,分析研究了有、无纯化器对制备薄膜特性的影响。电学特性和结构特性测试结果表明 :在 10W的功率条件下 ,使用纯化器时制备的薄膜是光敏性满足非晶硅电池要求的材料 ,而在不使用纯化器时制备的材料是适用于太阳能电池有源层的纳米硅材料 ;在 30W时 ,不使用纯化器制备薄膜的晶化明显增大 ,光敏性也相应的降低 ,5 0W的条件表现出相类似的结果 ,初步分析是氧引起的差别 ;激活能的测试结果也表明 ,使用纯化器会降低材料中的氧含量 ,即表现激活能相对大 ;另外 ,沉积速率的测试结果也给出 展开更多

关键词 纯化器 制备 光敏性 降低 硅薄膜 晶化 氧含量 VHF-PECVD 有源层 纳米硅

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微晶硅薄膜纵向不均匀性的Raman光谱和AFM研究 被引量：5

4

作者 张晓丹 赵颖 +7 位作者 朱锋 魏长春 吴春亚 高艳涛 孙建 侯国付 耿新华 熊绍珍 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期960-964,共5页

本文研究了采用VHF PECVD技术制备的微晶硅薄膜的纵向均匀性。喇曼测试结果显示 :微晶硅薄膜存在着生长方向的结构不均匀 ,随厚度的增加 ,材料的晶化率逐渐变大 ;不同衬底其非晶孵化点是不一样的 ,对于同一种衬底 ,绒度大相应的晶化率就... 本文研究了采用VHF PECVD技术制备的微晶硅薄膜的纵向均匀性。喇曼测试结果显示 :微晶硅薄膜存在着生长方向的结构不均匀 ,随厚度的增加 ,材料的晶化率逐渐变大 ;不同衬底其非晶孵化点是不一样的 ,对于同一种衬底 ,绒度大相应的晶化率就大 ,对应着孵化层的厚度小 ;AFM测试结果明显的给出 展开更多

关键词 衬底 微晶硅薄膜 VHF-PECVD AFM 厚度 不均匀性 显示 RAMAN光谱 晶化 测试结果

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P型ZnO薄膜的制备及其在太阳电池中的初步应用 被引量：6

5

作者 焦宝臣 张晓丹 +3 位作者 赵颖 孙建 魏长春 杨瑞霞 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期602-605,共4页

利用超声雾化热分解技术(USP)、通过N-Al共掺的方法,在corning 7059衬底上生长出p型透明导电膜。该薄膜在可见光范围内的透过率可达到90%以上。X射线衍射的测试结果表明:p型透明导电膜具有c轴择优生长特性。通过霍耳测试得到p型ZnO薄膜... 利用超声雾化热分解技术(USP)、通过N-Al共掺的方法,在corning 7059衬底上生长出p型透明导电膜。该薄膜在可见光范围内的透过率可达到90%以上。X射线衍射的测试结果表明:p型透明导电膜具有c轴择优生长特性。通过霍耳测试得到p型ZnO薄膜的电学特性为:电阻率为4.21Ω.cm、迁移率是0.22cm2/(V.s)、载流子浓度为6.68×1018cm-3。此材料初步应用到微晶硅电池中,其开路电压为0.47V。 展开更多

关键词 ZNO薄膜 P型 透明导电薄膜 太阳电池

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铁镍氧化物膜电极的制备及其在碱性溶液中析氧的研究 被引量：7

6

作者 宋红 耿新华 +2 位作者 周作祥 王军红 张德坤 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期661-665,共5页

采用对靶直流磁控溅射制备的铁镍氧化物薄膜,其电特性、电化学特性和结构与反应溅射过程中氧氩比之间有很大的关系。实验结果表明氧气流量较高时,材料的导电性较好,但过电位较大;反之氧流量较低时,电阻率较大,过电位较小,表面较粗糙。

关键词 铁镍氧化物 对靶磁控溅射 氧含量 过电位

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微晶硅材料和电池特性的相关研究 被引量：6

7

作者 张晓丹 赵颖 +4 位作者 魏长春 孙建 赵静 耿新华 熊绍珍 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第12期1304-1307,共4页

主要采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了系列微晶硅材料和电池。通过对材料电学特性、结构特性和电池间性能关系的研究,获得了高效率微晶硅薄膜太阳电池所对应材料的基本特性:暗电导在10^(-8)s/cm量级上,光敏性大于1000,晶... 主要采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了系列微晶硅材料和电池。通过对材料电学特性、结构特性和电池间性能关系的研究,获得了高效率微晶硅薄膜太阳电池所对应材料的基本特性:暗电导在10^(-8)s/cm量级上,光敏性大于1000,晶化率约50%。进行了制备电池的开路电压和表观带隙之间关系的研究。 展开更多

关键词 甚高频等离子体增强化学气相沉积 高效率微晶硅薄膜太阳电池 表观带隙

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大面积VHF-PECVD用多点馈入平行板电极馈入点优化的数值研究 被引量：5

8

作者 葛洪 张晓丹 +3 位作者 岳强 张发荣 赵影 赵颖 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期281-285,共5页

本文采用二维准平面电路模型,对大面积甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)用多点馈入平行板电极馈入点的优化进行了数值研究,讨论了不同的多点馈入模式对平行板电极间真空电势分布均匀性的影响。研究结果表明:对于给定激发频率... 本文采用二维准平面电路模型,对大面积甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)用多点馈入平行板电极馈入点的优化进行了数值研究,讨论了不同的多点馈入模式对平行板电极间真空电势分布均匀性的影响。研究结果表明:对于给定激发频率和尺度的大面积平行板电极,功率馈入连接点位置分布和数量成为影响电极间电势分布均匀性的两个重要可控参量,通过优化功率馈入连接点数量和连接点位置分布,可以抑制电势驻波效应及功率馈入点对数奇点效应,很大程度上有效地改善了电极间电势分布的均匀性。本文数值计算结果在一定程度上为VHF-PECVD技术用平行板电极实现大面积薄膜均匀沉积的系统设计提供了理论指导。 展开更多

关键词 多点功率馈入 甚高频等离子体增强化学气相沉积 电势驻波效应 电报效应

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B掺杂对平面结构MOCVD-ZnO薄膜性能的影响(英文) 被引量：3

9

作者 陈新亮 薛俊明 +3 位作者 张德坤 孙建 赵颖 耿新华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期997-1002,共6页

本文研究了B2H6掺杂流量（B掺杂）对平面结构MOCVD—ZnO薄膜的微观结构和光电性能影响。XRD、SEM和AFM测试的研究结果表明，玻璃衬底上制备的ZnO薄膜具有（002）峰择优取向的平面结构，B掺杂使薄膜的球状晶粒尺寸变小，10sccm流量时晶... 本文研究了B2H6掺杂流量（B掺杂）对平面结构MOCVD—ZnO薄膜的微观结构和光电性能影响。XRD、SEM和AFM测试的研究结果表明，玻璃衬底上制备的ZnO薄膜具有（002）峰择优取向的平面结构，B掺杂使薄膜的球状晶粒尺寸变小，10sccm流量时晶粒尺寸为-15nm。ZnO：B薄膜的最小电阻率为5．7× 10^-3 Ω · cm。生长的ZnO薄膜（厚度d=1150nm）在400-900nm范围的透过率为82％-97％，且随着BzH6掺杂流量增大，光学吸收边呈现蓝移（即光学带隙t展宽）现象。 展开更多

关键词 MOCVD ZNO薄膜 B掺杂 太阳电池

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薄膜厚度对MOCVD法沉积ZnO透明导电薄膜的影响 被引量：3

10

作者 陈新亮 薛俊明 +4 位作者 孙建 任慧志 张德坤 赵颖 耿新华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期1313-1317,共5页

本文研究了薄膜厚度对MOCVD技术制备未掺杂ZnO薄膜的微观结构和电学特性影响。XRD和SEM的研究结果表明，随着薄膜厚度的增加，ZnO薄膜（110）峰趋于择优取向，且晶粒逐渐长大，薄膜从球状和细长棒状演变为具有类金字塔绒面结构特征的Zn... 本文研究了薄膜厚度对MOCVD技术制备未掺杂ZnO薄膜的微观结构和电学特性影响。XRD和SEM的研究结果表明，随着薄膜厚度的增加，ZnO薄膜（110）峰趋于择优取向，且晶粒逐渐长大，薄膜从球状和细长棒状演变为具有类金字塔绒面结构特征的ZnO薄膜；Hall测量表明，较厚的ZnO薄膜有助于提高薄膜电学特性，可归于晶粒长大和晶体质量提高。40min沉积时间（膜厚为1250m）制备出的ZnO薄膜具有明显绒面结构，其晶粒尺寸为300-500m，电阻率为7．9×10^-3Q·cm，迁移率为26．8cm^2／Vs。 展开更多

关键词 MOCVD ZNO薄膜 透明导电氧化物 太阳电池

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EDTA对太阳电池用纳米上转换材料性能的影响 被引量：4

11

作者 雷志芳 张晓丹 +3 位作者 金鑫 张存善 熊绍珍 赵颖 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期927-930,941,共5页

采用水热法合成了Er单掺或Yb、Er共掺的NaYF4纳米上转换材料。研究了螯和剂乙二胺四乙酸二钠(EDTA)对材料性能的影响。扫描电镜和透射电子显微镜的结果表明:EDTA引起制备的上转换材料颗粒离散化,颗粒基本为球形,粒径约为40 nm左右。X射... 采用水热法合成了Er单掺或Yb、Er共掺的NaYF4纳米上转换材料。研究了螯和剂乙二胺四乙酸二钠(EDTA)对材料性能的影响。扫描电镜和透射电子显微镜的结果表明:EDTA引起制备的上转换材料颗粒离散化,颗粒基本为球形,粒径约为40 nm左右。X射线衍射的结果表明:EDTA的加入改变了材料的晶相,有助于上转换效率的增强。 展开更多

关键词 乙二胺四乙酸二钠(EDTA) 太阳电池 上转换

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高速微晶硅材料的制备及其特性分析 被引量：3

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作者 张晓丹 赵颖 +5 位作者 高艳涛 朱锋 魏长春 孙建 耿新华 熊绍珍 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期275-277,282,共4页

本文采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备出了系列不同功率的微晶硅薄膜.对薄膜的电学特性和结构特性进行了测试分析,结果表明:制备出了光敏性在500～700、激活能在0.5 eV左右、沉积速率大于0.8 nm/s和晶化率在60%左右的微晶硅... 本文采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备出了系列不同功率的微晶硅薄膜.对薄膜的电学特性和结构特性进行了测试分析,结果表明:制备出了光敏性在500～700、激活能在0.5 eV左右、沉积速率大于0.8 nm/s和晶化率在60%左右的微晶硅材料.同时也对材料的稳定性进行了相关的研究. 展开更多

关键词 微晶硅薄膜 拉曼光谱 光发射谱

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绒面结构ZnO薄膜及其表面处理 被引量：2

13

作者 陈新亮 薛俊明 +4 位作者 张德坤 蔡宁 张晓丹 赵颖 耿新华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期631-633,共3页

本文制备出(110)峰取向的绒面结构MOCVD-ZnO:B薄膜并提出CH3COOH湿法刻蚀的表面处理技术。研究表明,绒面结构ZnO:B薄膜具有"类金字塔"晶粒形状;处理前后ZnO:B薄膜的微观结构,方块电阻和光学性能变化不大。适当的表面处理有助... 本文制备出(110)峰取向的绒面结构MOCVD-ZnO:B薄膜并提出CH3COOH湿法刻蚀的表面处理技术。研究表明,绒面结构ZnO:B薄膜具有"类金字塔"晶粒形状;处理前后ZnO:B薄膜的微观结构,方块电阻和光学性能变化不大。适当的表面处理有助于使薄膜表面趋于柔和,有望改善ZnO/Si界面特性,从而应用于μc-Si薄膜太阳电池。 展开更多

关键词 MOCVD 绒面ZnO薄膜 湿法刻蚀 太阳电池

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LCOS接口专用集成电路的设计 被引量：4

14

作者 宋丹娜 代永平 刘艳艳 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期670-674,共5页

根据LCOS显示以及各种输入视频信号的特点,总结了LCOS接口电路的功能特点。以场序彩色显示LCOS接口控制电路的设计实现为例,详细介绍了接口专用集成电路的设计方法。

关键词 LCOS接口电路 场序彩色 ASIC

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非晶/微晶过渡区内材料性能及电池的研究 被引量：2

15

作者 陈飞 张晓丹 +2 位作者 赵颖 魏长春 孙建 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期119-122,128,共5页

本文采用甚高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,通过调节硅烷浓度,获得了系列硅薄膜材料,并用拉曼散射光谱和X射线衍射光谱对材料的结构特性进行了测试分析,同时还使用原子力显微镜观察比较了薄膜的表面形貌。结果发现:在非晶/... 本文采用甚高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,通过调节硅烷浓度,获得了系列硅薄膜材料,并用拉曼散射光谱和X射线衍射光谱对材料的结构特性进行了测试分析,同时还使用原子力显微镜观察比较了薄膜的表面形貌。结果发现:在非晶/微晶过渡区内存在着一个光敏性较大的区域,这个区域内的材料晶化率为零,但是表面存在一些微小的晶粒;与拉曼散射光谱相比,X射线衍射光谱对微小的晶化更加敏感。以这部分材料作为太阳电池的本征层,在SnO2衬底上制备了p-i-n型太阳电池,电池的初始开路电压(Voc)达到了0.891V。 展开更多

关键词 甚高频等离子增强化学气相沉积 过渡区 太阳电池

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温度对镍铁氧化物膜电极在碱液中析氧行为的影响 被引量：2

16

作者 宋红 孙健 +3 位作者 张庆宝 张德坤 周作祥 耿新华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期536-538,535,共4页

用直流磁控溅射设备制备的镍铁氧化物薄膜作为电解水的阳极材料在不同温度的1M KOH溶液中析氧活性不同。当电流密度为10mA／cm^2时，过电位由22℃时的299mV下降到60℃时的292mV。在低过电位区，Tafel斜率b为27～28mV／dec；高过电位区，... 用直流磁控溅射设备制备的镍铁氧化物薄膜作为电解水的阳极材料在不同温度的1M KOH溶液中析氧活性不同。当电流密度为10mA／cm^2时，过电位由22℃时的299mV下降到60℃时的292mV。在低过电位区，Tafel斜率b为27～28mV／dec；高过电位区，Tafel斜率为130～150mV／dec，并未发现斜率的突变。说明在一定范围内温度的提高并未改变析氧的速控步骤，同时该过程的动力学数据还表明电极析氧反应的可逆性没有显著变化。 展开更多

关键词 镍铁氧化物膜 Tafel斜率 速控步骤

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硅烷浓度对微晶硅太阳电池的影响 被引量：1

17

作者 高艳涛 张晓丹 +3 位作者 朱锋 魏长春 孙建 赵颖 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期514-517,共4页

采用甚高频等离子化学气相沉积技术(VHF-PECVD)制备了系列p-i-n型微晶硅太阳电池,研究了电池有源层硅烷浓度的变化对电池性能的影响。结果发现:随着硅烷浓度的提高电池的短路电流密度先提高然后降低,转换效率与之有相同的变化趋势,而开... 采用甚高频等离子化学气相沉积技术(VHF-PECVD)制备了系列p-i-n型微晶硅太阳电池,研究了电池有源层硅烷浓度的变化对电池性能的影响。结果发现:随着硅烷浓度的提高电池的短路电流密度先提高然后降低,转换效率与之有相同的变化趋势,而开路电压随硅烷浓度的提高而增加,这些变化来源于有源层材料结构的改变。电池的填充因子几乎不受硅烷浓度的影响,但受前电极的影响很大。不同系列电池转化效率的最高点虽然处于非晶到微晶的过渡区,但对应电池的晶化率不同。另外,研究结果也给出非晶/微晶过渡区随着辉光功率的提高和沉积气压的降低向高硅烷浓度方向转移。 展开更多

关键词 甚高频等离子化学气相沉积 微晶硅太阳电池 硅烷浓度

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优化沉积参数对微晶硅薄膜太阳电池性能的影响 被引量：1

18

作者 张晓丹 赵颖 +5 位作者 高艳涛 朱锋 魏长春 孙建 耿新华 熊绍珍 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期170-172,169,共4页

本文主要采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了不同硅烷浓度、辉光功率和反应气体流量的单结微晶硅薄膜太阳电池。电池的I-V测试结果表明:电池的开路电压随功率的降低、硅烷浓度和气体流量的增加而增加,而对应的短路电流密度... 本文主要采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了不同硅烷浓度、辉光功率和反应气体流量的单结微晶硅薄膜太阳电池。电池的I-V测试结果表明:电池的开路电压随功率的降低、硅烷浓度和气体流量的增加而增加,而对应的短路电流密度在一定的硅烷浓度条件下达到最大,填充因子也在逐渐的增加。文中对具体内容进行了详细的分析。 展开更多

关键词 微晶硅薄膜太阳电池 气体流量 硅烷浓度

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基于CPLD的LCOS场序彩色视频控制器设计 被引量：1

19

作者 宋丹娜 代永平 +1 位作者 刘艳艳 商广辉 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期541-546,共6页

针对VGA格式的视频输入信号的特性,结合复杂可编程逻辑器件(CPLD)设计了适用于LCOS场序彩色显示的信号控制器。以CPLD为核心,采用乒乓操作思想协调两片外部静态随机存取存储器(SRAM)对信号进行读写,对数据进行了串并转换,将并行输入的... 针对VGA格式的视频输入信号的特性,结合复杂可编程逻辑器件(CPLD)设计了适用于LCOS场序彩色显示的信号控制器。以CPLD为核心,采用乒乓操作思想协调两片外部静态随机存取存储器(SRAM)对信号进行读写,对数据进行了串并转换,将并行输入的红、绿、蓝视频数据转换为红、绿、蓝子场数据,从而实现场序彩色显示。设计中采用了降低刷新频率的技术,降低了系统功耗。最后运用EDA工具进行了综合仿真。 展开更多

关键词 场序彩色显示 复杂可编程逻辑器件 静态随机存取存储器 乒乓操作

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硅基液晶显示器液晶盒贴合工艺研究 被引量：1

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作者 代永平 宋丹娜 刘艳艳 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期350-355,共6页

研究制备了LCOS显示器,重点研究了LCOS液晶屏的贴合工艺,基于实际测量数据给出了获得所需液晶盒厚度与施加在基板上的压力关系曲线,并展示出实际LCOS液晶盒厚截面的扫描电镜照片。

关键词 硅基液晶 贴合工艺 盒厚 对位标志

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