半片电池技术在光伏组件中的应用 被引量：9

1

作者 荣丹丹 蒋京娜 +1 位作者 倪健雄 姜磊 《新能源进展》 2017年第4期255-258,共4页

半片技术是降低组件封装损失、提高组件功率的有效途径。本文从半片电池组件功率提升和电池片阴影遮挡两方面进行研究。实验对比了144半片多晶组件与72片整片组件的电参数差异。实验表明,同效率电池制作的半片组件较常规整片组件功率高9... 半片技术是降低组件封装损失、提高组件功率的有效途径。本文从半片电池组件功率提升和电池片阴影遮挡两方面进行研究。实验对比了144半片多晶组件与72片整片组件的电参数差异。实验表明,同效率电池制作的半片组件较常规整片组件功率高9 W,I_(max)和I_(sc)分别增加1.16%和1.32%。本文进一步研究了阴影遮挡对半片组件电性能的影响。半片电池组件和整片电池组件遮挡同样面积电池片,半片电池组件功率损失低于整片电池组件,当电池片的遮挡面积达到半片电池片的90%左右时,半片电池组件Vmax变为没有遮挡时的2/3左右。 展开更多

关键词 光伏组件 半片电池 电学损失 光学增益 遮挡

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反光材料在光伏电站中的应用 被引量：1

2

作者 荣丹丹 蒋京娜 +1 位作者 倪健雄 何毅 《新能源进展》 2018年第3期217-221,共5页

为研究反光材料对光伏电站发电量的影响,根据电站中组件光线分布及保定地区太阳高度变化,建立具有反光系统的实验电站和无反光系统的常规电站。对电站发电量及辐照量、温湿度进行实时监测,对比了反光系统实验电站和常规电站发电量差异,... 为研究反光材料对光伏电站发电量的影响,根据电站中组件光线分布及保定地区太阳高度变化,建立具有反光系统的实验电站和无反光系统的常规电站。对电站发电量及辐照量、温湿度进行实时监测,对比了反光系统实验电站和常规电站发电量差异,分析了实验电站与常规电站在晴天、阴雨天时辐照量与发电量的关系。结果显示:与常规电站相比,反光系统光伏电站发电量增益率为5%~10%,平均综合发电量增益率为7.69%;在晴天及阴雨天时,反光系统光伏电站与常规电站的发电量增益与辐照量大致成反比关系。 展开更多

关键词 光伏系统 光伏组件 反光材料 发电量增益率 辐照量

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光伏电站辐照度ANN预测及其两维变尺度修正方法 被引量：17

3

作者 米增强 王飞 +5 位作者 杨光 王哲 苏适 于波 张亮 杨奇逊 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第2期251-259,共9页

改进现有的太阳辐照度ANN预测模型,提出基于时间周期性和邻近相似性的两维变尺度预测值修正方法。首先增加环境温度和积日作为输入,使模型能更好地拟合辐照度的变化规律,提高其预测性能和泛化能力;并且利用适当的数学变换对多维历史数... 改进现有的太阳辐照度ANN预测模型,提出基于时间周期性和邻近相似性的两维变尺度预测值修正方法。首先增加环境温度和积日作为输入,使模型能更好地拟合辐照度的变化规律,提高其预测性能和泛化能力;并且利用适当的数学变换对多维历史数据输入进行维数约减以降低模型的复杂程度,增强其鲁棒性和适应性;然后根据不同的修正尺度、天气类型和辐射衰减程度定义参考值和相应的权重系数,在此基础上利用历史数据对辐照度的预测值进行修正。实际数据的仿真结果验证了模型改进的合理性和修正方法的有效性。 展开更多

关键词 光伏电站 辐照度 预测模型 时间周期性 邻近相似性 修正方法

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n型硅双面发电光伏组件及其应用 被引量：14

4

作者 吴翠姑 吕学斌 +1 位作者 张雷 刘莹 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第3期200-204,共5页

n型硅双面发电光伏(PV)电池组件具有光致衰减小、弱光响应好、温度系数低等优势,正面和反面均具有把光能转换成电能的能力。通过研究双面发电PV组件的结构和制备技术,成功研发了高效率低成本的n型硅双面发电PV组件。与单面发电光伏组件... n型硅双面发电光伏(PV)电池组件具有光致衰减小、弱光响应好、温度系数低等优势,正面和反面均具有把光能转换成电能的能力。通过研究双面发电PV组件的结构和制备技术,成功研发了高效率低成本的n型硅双面发电PV组件。与单面发电光伏组件相比,双面发电PV组件输出功率更大,从而降低其在光伏系统应用中的综合成本。对双面发电光伏组件在白石子、绿草地和沙地等三种典型环境进行测试并获得实验数据,结果表明,在白石子环境下双面发电光伏组件较单面组件的发电量增加20%,发电量增量最高;其次是沙地环境,发电量增量为8.06%;绿草地环境的发电量增量最低,发电量增量仅为4.69%。通过实验应用研究得出不同反射环境下的发电量数据,可供后续双面发电PV组件电站系统设计做参考。 展开更多

关键词 双面发电 光伏组件 输出功率 N型硅 光伏系统

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新型光伏焊带及其在提升光伏组件发电功率中的应用 被引量：3

5

作者 郑炯 韩帅 +3 位作者 孙仲刚 麻超 王坤 荣丹丹 《可再生能源》 CAS 北大核心 2016年第11期1686-1689,共4页

在光伏组件中,焊带主要起电气连接的作用,同时焊带表面结构与光伏组件的发电功率存在一定的对应关系,焊带表面的结构也存在较大的优化空间。应用全反射原理,通过对光路的分析和计算,得出光伏焊带表面结构对组件功率的影响机理。通过两... 在光伏组件中,焊带主要起电气连接的作用,同时焊带表面结构与光伏组件的发电功率存在一定的对应关系,焊带表面的结构也存在较大的优化空间。应用全反射原理,通过对光路的分析和计算,得出光伏焊带表面结构对组件功率的影响机理。通过两种新型光伏焊带表面结构方案的设计,分别制备出两种类型的光伏组件。当太阳光入射到光伏焊带表面时,光线在光伏焊带表面的反射路径会发生改变,使得光线在玻璃/空气界面发生全反射,这样会增加光伏组件内太阳能电池片的受光总量,从而增加太阳能电池片产生的电子-空穴对的数量,最终提升光伏组件功率。在IEC61215测试标准条件下,两种类型光伏组件的功率分别提升了0.38%和1.00%。 展开更多

关键词 光伏组件 焊带 全反射 电子-空穴对

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储能飞轮转子用金属材料的研究现状 被引量：10

6

作者 孔德群 裴艳敏 +2 位作者 邢立业 崔焘 李珍 《储能科学与技术》 CAS 2014年第1期30-35,共6页

飞轮储能是利用高速旋转的转子来储存能量,是一种理想的绿色环保储能方式,高效清洁且寿命持久。由于储能飞轮的储能密度与比强度呈正比的关系,因此开发与制备新型高比强度材料的飞轮转子是提高其储能能力的重要途径。作者叙述了储能飞... 飞轮储能是利用高速旋转的转子来储存能量,是一种理想的绿色环保储能方式,高效清洁且寿命持久。由于储能飞轮的储能密度与比强度呈正比的关系,因此开发与制备新型高比强度材料的飞轮转子是提高其储能能力的重要途径。作者叙述了储能飞轮用金属材料的发展历程与应用现状:储能飞轮的研制初期一般采用储能密度较低的金属转子,目前储能飞轮的研究重点已转到密度低而强度高的复合材料飞轮,其最优的转子形状具有沿半径方向中间薄、两端厚的特征,以获得更高的储能密度。阐述了金属转子与轮毂的铸造、锻造、机加工、热处理以及质量检验等加工工艺的研究现状。储能飞轮转子用金属材料的发展最终取决于超高强度钢及合金的开发与研究,如超高纯冶炼技术的发展、热处理工艺的优化等。 展开更多

关键词 储能飞轮 转子 金属材料 比强度 储能密度

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n型双面TOPCon太阳电池钝化技术 被引量：5

7

作者 于波 史金超 +3 位作者 李锋 庞龙 刘克铭 于威 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第5期368-373,共6页

隧穿氧化物钝化接触(TOPCon)技术已成为当前产业化高效太阳电池的重点研究方向之一。报道了可应用于规模化生产的n型双面TOPCon太阳电池技术,对前表面SiO_2/多晶硅钝化层进行了优化设计。为了有效降低接触电阻,太阳电池的背表面采用了... 隧穿氧化物钝化接触(TOPCon)技术已成为当前产业化高效太阳电池的重点研究方向之一。报道了可应用于规模化生产的n型双面TOPCon太阳电池技术,对前表面SiO_2/多晶硅钝化层进行了优化设计。为了有效降低接触电阻,太阳电池的背表面采用了全面积SiO_2/多晶硅钝化层结构;为避免多晶硅层对太阳光的寄生吸收,仅将SiO_2/多晶硅钝化层应用于前表面金属接触的底部。J-V特性和少子寿命等分析显示,双面TOPCon结构设计显著提升了太阳电池的表面钝化接触性能,其开路电压和短路电流密度显著增加。所制备的面积为239 cm^2的双面TOPCon太阳电池的平均正面转换效率可达20.33%,相对正面无SiO_2/多晶硅钝化层的常规钝化发射极及背表面全扩散(PERT)结构的太阳电池转换效率提升了0.29%。 展开更多

关键词 隧穿氧化物钝化接触(TOPCon)太阳电池 选择性钝化接触 隧穿氧化层 多晶硅 双面太阳电池

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21.5%以上效率Panda-TOPCon双面电池技术研究 被引量：10

8

作者 翟金叶 张伟 +3 位作者 王子谦 刘大伟 李锋 Ingrid Romijn 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第4期1029-1033,共5页

主要研究可应用于规模化生产的TOPCon(tunnel oxide passivated contact)电池技术,该技术既可改善电池表面钝化又可促进多数载流子传输,进而提升电池的开路电压和填充因子。Panda-TOPCon电池是在英利熊猫(Panda)电池基础上引入TOPCon技... 主要研究可应用于规模化生产的TOPCon(tunnel oxide passivated contact)电池技术,该技术既可改善电池表面钝化又可促进多数载流子传输,进而提升电池的开路电压和填充因子。Panda-TOPCon电池是在英利熊猫(Panda)电池基础上引入TOPCon技术,在研究中对氧化硅/多晶硅叠层(SiO_2/polySi)的表面钝化效果在n型硅片上进行验证,通过优化该结构中SiO_2/polySi掺杂、SiO_2成膜方式以及polySi厚度等,最终制备的Panda-TOPCon电池的开路电压达到676 mV,填充因子达到80%,实现了21.54%的光电转换效率。 展开更多

关键词 双面电池 钝化接触 TOPCon 隧穿氧化层 polySi层

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基于溅射技术的ZnO/Si异质结太阳电池研究

9

作者 宋登元 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期401-406,共6页

ZnO是一种光电性能优异的半导体材料。由于ZnO的宽禁带、良好的电导率和高的可见光谱的透光率,使ZnO非常适合作为异质结太阳电池的发射极及薄膜电池的透明导电电极材料。由于ZnO/Si异质结太阳电池具有制造温度低、价格低廉和高效率的优... ZnO是一种光电性能优异的半导体材料。由于ZnO的宽禁带、良好的电导率和高的可见光谱的透光率,使ZnO非常适合作为异质结太阳电池的发射极及薄膜电池的透明导电电极材料。由于ZnO/Si异质结太阳电池具有制造温度低、价格低廉和高效率的优点,成为太阳电池的重点研究对象。首先综述了铝掺杂ZnO薄膜的晶体结构特性、光学特性和电学特性,随后给出了ZnO/Si异质结太阳电池的量子效率、电流-电压(I-V)特性、电容-电压(C-V)特性、载流子输运机制、光伏特性及太阳电池的效率进展,最后论述了ZnO/Si异质结太阳电池今后发展方向。 展开更多

关键词 氧化锌 硅 溅射 光伏 异质结 太阳电池

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高纯SiO_2隔离层对多晶硅锭和组件光衰的影响

10

作者 牛晓龙 乔松 +3 位作者 张莉沫 夏新中 高文宽 倪建雄 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第11期836-841,共6页

研究了预烧结和未烧结的两种高纯SiO_2隔离层对多晶硅锭少子寿命、氧浓度以及相应光伏组件光致衰减(LID)率的影响。采用含有预烧结隔离层的坩埚和未烧结隔离层的坩埚分别进行多晶硅铸锭实验并测试硅锭及相应光伏组件的性能。结果显示,... 研究了预烧结和未烧结的两种高纯SiO_2隔离层对多晶硅锭少子寿命、氧浓度以及相应光伏组件光致衰减(LID)率的影响。采用含有预烧结隔离层的坩埚和未烧结隔离层的坩埚分别进行多晶硅铸锭实验并测试硅锭及相应光伏组件的性能。结果显示,两种隔离层对铁杂质都具有阻挡作用,预烧结的隔离层有利于降低硅锭中的氧浓度,其对应的硅锭中氧浓度和组件光致衰减率均为最低,而未经烧结的隔离层并未体现出这一作用。通过两种隔离层的SEM图像可以发现,经过预烧结工艺的隔离层结构更为致密;而未经烧结的隔离层中孔隙较多,可能容易引起硅熔体与隔离层或者坩埚进行反应,将较多的氧杂质引入到硅锭中,从而造成氧含量的增加并引起组件较高的光致衰减率。 展开更多

关键词 高纯SiO2隔离层 多晶硅铸锭 杂质 氧浓度 光致衰减(LID)

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高效率n型硅离子注入双面太阳电池

11

作者 李晓苇 史金超 +2 位作者 张伟 沈艳娇 李锋 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第3期211-215,共5页

为进一步提升n型硅双面太阳电池的转化效率,采用了磷离子注入技术制备n型硅双面太阳电池的背场。基于离子注入技术准直性和均匀性好的特点,掺杂后硅片的表面复合电流密度降低到了1.4×10^-13A/cm2,隐性开路电压可达670 mV,且分布区... 为进一步提升n型硅双面太阳电池的转化效率,采用了磷离子注入技术制备n型硅双面太阳电池的背场。基于离子注入技术准直性和均匀性好的特点,掺杂后硅片的表面复合电流密度降低到了1.4×10^-13A/cm2,隐性开路电压可达670 mV,且分布区间更紧凑。在电阻率为13Ω·cm的n型硅片基底上,采用磷离子注入技术工业化生产的n型硅双面太阳电池的正面平均转化效率达到了20.64%,背面平均转化效率达到了19.52%。内量子效率的分析结果显示,离子注入太阳电池效率的增益主要来自长波段光谱响应的提升。 展开更多

关键词 双面太阳电池 n型Si 转化效率 背场 离子注入

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PEALD制备的Al_(2)O_(3)薄膜在n-TOPCon太阳电池上的钝化性能 被引量：2

12

作者 于波 史金超 +4 位作者 李锋 王红芳 陈俊玉 刘克铭 于威 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第5期370-375,共6页

对采用等离子体增强原子层沉积(PEALD)法制备的Al_(2)O_(3)薄膜在n型单晶硅隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)太阳电池正表面的钝化性能进行了研究。采用少数载流子寿命、X射线电子能谱(XPS)及J-V特性的测试分析,重点研究了Al_(2)O_(3)沉积温... 对采用等离子体增强原子层沉积(PEALD)法制备的Al_(2)O_(3)薄膜在n型单晶硅隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)太阳电池正表面的钝化性能进行了研究。采用少数载流子寿命、X射线电子能谱(XPS)及J-V特性的测试分析,重点研究了Al_(2)O_(3)沉积温度、薄膜厚度及薄膜形成后不同退火条件对钝化性能的影响,实现了低表面复合速率、良好钝化效果的产业化制备的Al_(2)O_(3)薄膜工艺。研究结果表明,在沉积温度为150℃、膜厚为5 nm、退火温度为450℃时,测试计算得出薄膜中O和Al的原子数之比为2.08,电池发射极正表面复合速率较低,达到了Al_(2)O_(3)钝化的最优效果,并且分析了Al_(2)O_(3)薄膜的化学态和形成机理。利用其Al_(2)O_(3)薄膜工艺制备的n型单晶硅TOPCon太阳电池开路电压提升了8 mV,电池的平均光电转换效率达到了23.30%。 展开更多

关键词 隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)太阳电池 表面复合速率 钝化 退火 Al_(2)O_(3)

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双面发电高效率N型Si太阳电池及组件的研制 被引量：16

13

作者 宋登元 熊景峰 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第12期2146-2150,共5页

研发双面发电前表面硼发射极高效率N型Si太阳电池及组件。使用大面积(156mm×156mm)碱制绒准方形N型单晶硅片,通过硼磷共扩散在电池前表面形成硼P+发射极以及在背面形成磷N+背面场。PECVD沉积技术在前后表面制备SiNx薄膜起钝化和减... 研发双面发电前表面硼发射极高效率N型Si太阳电池及组件。使用大面积(156mm×156mm)碱制绒准方形N型单晶硅片,通过硼磷共扩散在电池前表面形成硼P+发射极以及在背面形成磷N+背面场。PECVD沉积技术在前后表面制备SiNx薄膜起钝化和减反射作用。双面丝网印刷金属栅线完成电极的制备,形成双面发电电池结构。这种N型Si太阳电池具有效率高、成本低和双面发电的特点,最高效率达到20.08%。利用该高效率N型Si太阳电池制成的光伏组件具有温度系数小、弱光特性好和输出功率初始衰减小的优点。 展开更多

关键词 光伏 N型Si 太阳电池 组件

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高效率晶体硅太阳电池研究及产业化进展 被引量：10

14

作者 宋登元 郑小强 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第11期801-806,811,共7页

高效率晶体硅太阳电池研究及产业化已成为世界各国光伏技术研究的重点和大力发展的战略性新兴产业。2012年晶体硅太阳电池占全球光伏市场约90%的份额,已经成为光伏行业的主流技术,单晶硅太阳电池实验室最高效率已经达到25%,其技术研发... 高效率晶体硅太阳电池研究及产业化已成为世界各国光伏技术研究的重点和大力发展的战略性新兴产业。2012年晶体硅太阳电池占全球光伏市场约90%的份额,已经成为光伏行业的主流技术,单晶硅太阳电池实验室最高效率已经达到25%,其技术研发水平和规模化生产能力直接决定着光伏发电平价上网的速度。论述了太阳电池效率的损失机制和提高太阳电池效率方法,介绍了目前实验室效率最高的三种晶体硅太阳电池的结构、特性及效率提升历史,综述了中国产业化高效率低成本晶体硅太阳电池技术的现状,未来高效率晶体硅电池产业化技术将向着使用n型硅衬底、低成本和薄片化方向发展。 展开更多

关键词 光伏 太阳电池 晶体硅 背接触 异质结

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废弃多晶硅太阳电池回收高纯硅片工艺研究 被引量：8

15

作者 张雷 吴翠姑 +1 位作者 陈志军 刘莹 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第8期626-630,共5页

论述分析了国内外晶体硅太阳电池回收技术现状,研究了太阳电池的结构及制备工艺,提出了废弃多晶硅太阳电池回收高纯硅片的工艺。依次去除铝背场/铝硅合金层/背银、氮化硅减反膜/正银、磷扩散层及金属杂质,得到高纯硅片。硅原料的回收率... 论述分析了国内外晶体硅太阳电池回收技术现状,研究了太阳电池的结构及制备工艺,提出了废弃多晶硅太阳电池回收高纯硅片的工艺。依次去除铝背场/铝硅合金层/背银、氮化硅减反膜/正银、磷扩散层及金属杂质,得到高纯硅片。硅原料的回收率高达76.4%,回收的高纯硅片经检验检测,其电阻率、间隙氧浓度、代位碳含量和少子寿命均符合GB/T 29055—2012中规定的性能参数。该回收工艺路线简单,回收率高,成本低,适于产业化推广。废弃太阳电池的回收再利用不仅可以在一定程度上缓解硅原料短缺的问题,还可以减少废弃的太阳电池给环境造成负担。 展开更多

关键词 太阳电池 晶体硅 回收 废弃电池 硅片

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360W超高功率n型双玻双面发电组件研究及应用 被引量：4

16

作者 李亚彬 倪健雄 +3 位作者 耿亚飞 何毅 冯天顺 郑炯 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第1期56-61,共6页

采用单块组件及3.42 kW电站系统的形式,对不同安装方式及不同反光背景条件下n型双玻双面发电组件的发电量进行跟踪;同时,对超高功率n型双玻双面发电组件进行研究。研究结果表明:在单块组件的理想条件下,双玻双面发电组件的平均单瓦发电... 采用单块组件及3.42 kW电站系统的形式,对不同安装方式及不同反光背景条件下n型双玻双面发电组件的发电量进行跟踪;同时,对超高功率n型双玻双面发电组件进行研究。研究结果表明:在单块组件的理想条件下,双玻双面发电组件的平均单瓦发电量增益为21.38%,最高可达32.99%;在3.42 kW电站系统中,采用较好的反光背景,双玻组件的平均单瓦发电量增益约为13.37%;另外,采用n型"叠瓦"双玻双面发电的形式,组件的综合功率达到361.06 W。 展开更多

关键词 单晶硅 太阳电池 光伏 光致衰减

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准单晶硅铸锭过程中固液相变界面形状的控制 被引量：3

17

作者 孟庆超 张运锋 +3 位作者 刘磊 胡志岩 王全志 熊景峰 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第7期1545-1549,共5页

对太阳电池用准单晶硅铸锭过程中的化料、长晶阶段进行数值模拟和实验对比分析,研究不同炉体局部结构下的种晶熔化界面形状和晶体生长界面形状,从传热学的角度揭示优化控制各阶段界面形状的机理。研究结果表明:在准单晶硅铸锭的熔化及... 对太阳电池用准单晶硅铸锭过程中的化料、长晶阶段进行数值模拟和实验对比分析,研究不同炉体局部结构下的种晶熔化界面形状和晶体生长界面形状,从传热学的角度揭示优化控制各阶段界面形状的机理。研究结果表明:在准单晶硅铸锭的熔化及长晶阶段,均可通过调整铸锭炉内局部挡板的位置改变热量的传输方向,从而在有效保存种晶的同时提供良好的初始长晶界面形状,减小长晶过程中坩埚壁面附近的界面凹度,抑制此处多晶向铸锭中部生长。 展开更多

关键词 准单晶硅铸锭 定向凝固 太阳电池 数值模拟 固液界面形状

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高效单晶硅PERC局部背表面场及接触的优化 被引量：2

18

作者 徐卓 王红芳 +3 位作者 王英超 李锋 史金超 张伟 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第11期850-854,共5页

钝化发射极和背面电池(PERC)技术可有效提高电池效率,在常规p型电池的背面增加了钝化层,并形成了局部背表面场(LBSF)结构。介绍了PERC结构电池的工艺流程,分析了背场(BSF)的形成机制,主要研究了PERC的LBSF制备工艺及影响要素。通过采用... 钝化发射极和背面电池(PERC)技术可有效提高电池效率,在常规p型电池的背面增加了钝化层,并形成了局部背表面场(LBSF)结构。介绍了PERC结构电池的工艺流程,分析了背场(BSF)的形成机制,主要研究了PERC的LBSF制备工艺及影响要素。通过采用激光消融后清洗方法改善了背表面形貌,平整的背表面形貌有利于BSF的形成。通过优化烧结条件,电池的填充因子得到改善。讨论了激光开槽图形对开路电压以及填充因子的影响。测试结果表明,PERC转换效率绝对值提升了0.9%,达到20.83%,填充因子达到80.7%。 展开更多

关键词 背面钝化 局部背表面场(LBSF) 接触 激光 金属化

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n型高效抗PID太阳电池工艺研究 被引量：1

19

作者 张伟 郎芳 +3 位作者 王子谦 翟金叶 刘莹 李锋 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第2期459-463,共5页

电势诱导衰减(PID)效应是导致光伏组件输出功率下降的主要原因之一,该文研究表明通过优化n型太阳电池工艺,包括增加p-n结的深度,提高减反射膜的折射率,采用叠层减反射膜等方式,可阻挡钠离子破坏太阳电池的p-n结,将太阳电池的PID衰减控制... 电势诱导衰减(PID)效应是导致光伏组件输出功率下降的主要原因之一,该文研究表明通过优化n型太阳电池工艺,包括增加p-n结的深度,提高减反射膜的折射率,采用叠层减反射膜等方式,可阻挡钠离子破坏太阳电池的p-n结,将太阳电池的PID衰减控制在1.5%以内。同时结合离子注入技术,太阳电池的量产效率可达到21.4%以上,形成了一套高效率高稳定性的太阳电池制备工艺。 展开更多

关键词 晶体硅太阳电池 衰减 P-N结 掺杂 减反射膜 PID

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太阳电池用多晶硅锭红外检测中阴影的表征分析

20

作者 潘明翠 张莉沫 +3 位作者 孟庆超 张运锋 高文宽 张伟 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第7期551-554,共4页

研究了多晶硅铸锭过程中,硅锭内部红外探伤测试中显示黑斑位置晶体缺陷的杂质组成,并根据杂质成分推导了此种缺陷的形成机理和条件。采用光致发光(PL)技术、扫描电子显微镜(SEM)和X射线能谱仪(EDS)对杂质进行了表征与分析。结果显示,形... 研究了多晶硅铸锭过程中,硅锭内部红外探伤测试中显示黑斑位置晶体缺陷的杂质组成,并根据杂质成分推导了此种缺陷的形成机理和条件。采用光致发光(PL)技术、扫描电子显微镜(SEM)和X射线能谱仪(EDS)对杂质进行了表征与分析。结果显示,形成阴影的夹杂在晶界中存在的形态主要为针状或薄片状,其组成成分主要为C,N和Si元素。而Si_3N_4的出现可能有两个原因:一是Si_3N_4涂层脱落而沉积在晶界中;二是溶解在液相中的N局部过饱和。此外,结晶过程中,SiC也随之成核并生长,在晶界上形成夹杂物,同时伴随着微缺陷的增加。据此提出了去除多晶硅锭内部阴影的几点措施。 展开更多

关键词 多晶硅铸锭 红外检测 杂质 氮化硅 碳化硅

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