与传统的硅基器件相比,碳化硅绝缘栅双极型晶体管(SiC IGBT)具有更小的导通电阻、更高的耐受电压以及更快的开关速度。由于这些优异的特性,SiC IGBT在电力行业有较大的市场需求。基于一款自主研发的15 kV SiC IGBT芯片,测量了芯片的静...与传统的硅基器件相比,碳化硅绝缘栅双极型晶体管(SiC IGBT)具有更小的导通电阻、更高的耐受电压以及更快的开关速度。由于这些优异的特性,SiC IGBT在电力行业有较大的市场需求。基于一款自主研发的15 kV SiC IGBT芯片,测量了芯片的静态特性,搭建了芯片的动态特性测试平台,测量了常温下该15 kV SiC IGBT芯片在2000~9000 V下的动态特性参数,包括开关时间和开关损耗,分析了芯片开关特性参数与外接高压直流源电压的关系,为该型号IGBT芯片性能的进一步改进、优化提供了实验支撑。展开更多
SiC器件具有高温、高压、高频的优异特性,广泛应用于交通、电力等领域,其国产化迫在眉睫。以全球能源互联网研究院有限公司研制的同一批次不同晶圆上的30个1200 V/20 A SiC MOSFET作为研究对象,通过对比实验分析了测试仪器及方法对国产S...SiC器件具有高温、高压、高频的优异特性,广泛应用于交通、电力等领域,其国产化迫在眉睫。以全球能源互联网研究院有限公司研制的同一批次不同晶圆上的30个1200 V/20 A SiC MOSFET作为研究对象,通过对比实验分析了测试仪器及方法对国产SiC MOSFET的静态特性参数测试结果的影响。采用标准差、偏度、峰度、偏离度和变异系数量化评估了SiC MOSFET动、静态特性参数的一致性,发现跨导、漏源极电容、栅源极电容、下降时间和关断延时一致性较好,而导通电阻、阈值电压、栅漏极电容、上升时间和开通延时的一致性较差,从而为后续器件的改进设计提供数据支撑。展开更多
文摘与传统的硅基器件相比,碳化硅绝缘栅双极型晶体管(SiC IGBT)具有更小的导通电阻、更高的耐受电压以及更快的开关速度。由于这些优异的特性,SiC IGBT在电力行业有较大的市场需求。基于一款自主研发的15 kV SiC IGBT芯片,测量了芯片的静态特性,搭建了芯片的动态特性测试平台,测量了常温下该15 kV SiC IGBT芯片在2000~9000 V下的动态特性参数,包括开关时间和开关损耗,分析了芯片开关特性参数与外接高压直流源电压的关系,为该型号IGBT芯片性能的进一步改进、优化提供了实验支撑。
文摘SiC器件具有高温、高压、高频的优异特性,广泛应用于交通、电力等领域,其国产化迫在眉睫。以全球能源互联网研究院有限公司研制的同一批次不同晶圆上的30个1200 V/20 A SiC MOSFET作为研究对象,通过对比实验分析了测试仪器及方法对国产SiC MOSFET的静态特性参数测试结果的影响。采用标准差、偏度、峰度、偏离度和变异系数量化评估了SiC MOSFET动、静态特性参数的一致性,发现跨导、漏源极电容、栅源极电容、下降时间和关断延时一致性较好,而导通电阻、阈值电压、栅漏极电容、上升时间和开通延时的一致性较差,从而为后续器件的改进设计提供数据支撑。
文摘基于深度学习的鸟鸣声识别是当前研究的热点,现有基于语谱图的识别方法无法提取帧间的时序信息,文章提出了一种基于C-LSTM(CNN-Long Short-Term Memory)的鸟鸣声识别方法,该方法以梅尔语谱图为输入,通过CNN提取谱图特征后,输入到LSTM模型中,进一步提取不同帧之间的时序特征,基于该特征实现鸟鸣声的分类。选择Xeno-Canto中的5种鸟类作为研究对象,对比了VGG16模型和C-LSTM模型的平均识别准确率(Mean Average Precision,MAP)值。结果表明,以VGG16和C-LSTM作为识别模型时,测试集的MAP值分别为0.8628和0.9147,文章提出模型的MAP提升5.19%。说明文章提出的C-LSTM更适合于鸟类物种识别,具有更高的识别性能。
