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高择优取向P型Bi_(2)Te_(3)基材料制备及性能
1
作者
苏紫珊
蔡新志
+2 位作者
熊平尚
童培云
朱刘
《粉末冶金技术》
北大核心
2025年第1期79-85,共7页
以Bi_(0.4)Sb_(1.6)Te_(3)+3%Te(质量分数)熔炼晶棒为原料,利用水冷铜坩埚磁悬浮熔炼技术制备出取向性非常好的合金铸锭,将合金铸锭锤磨破碎筛分,得到P型Bi_(2)Te_(3)基合金粉体,采用真空热压烧结技术制备沿(00l)晶面择优取向的P型Bi_(2...
以Bi_(0.4)Sb_(1.6)Te_(3)+3%Te(质量分数)熔炼晶棒为原料,利用水冷铜坩埚磁悬浮熔炼技术制备出取向性非常好的合金铸锭,将合金铸锭锤磨破碎筛分,得到P型Bi_(2)Te_(3)基合金粉体,采用真空热压烧结技术制备沿(00l)晶面择优取向的P型Bi_(2)Te_(3)基热电材料,研究铸锭、合金粉体和热压烧结块体的微观形貌和择优取向,以及粉体粒径对烧结块体电性能的影响。结果表明,经过急冷破碎筛分后的粉体沿(00l)晶面具有高择优取向。使用100~200目粒度的粉体在500℃、40 MPa烧结条件下制备样品,其功率因子达到44.5μW·cm^(−1)·K^(−2),可切割厚度为0.3 mm的薄片,合格率超过90%。与区熔N型匹配常规127对4 cm×4 cm半导体致冷器,型号为TEC1-12706器件的最大温差可达70℃,为高性能Bi_(2)Te_(3)基热电材料制备提供了方向。
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关键词
Bi_(2)Te_(3)
择优取向
磁悬浮熔炼
水冷铜
热电材料
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职称材料
直流辉光放电质谱法测定高纯α-Al 2 O 3颗粒中16种杂质元素
被引量：
4
2
作者
谭秀珍
李江霖
+2 位作者
李瑶
邓育宁
朱刘
《中国无机分析化学》
CAS
北大核心
2023年第7期755-760,共6页
采用高纯Ga作为辅助电极,通过考察取样量、放电参数对基体信号强度、信号稳定性、基体和Ga的信号比值的影响,建立了直流辉光放电质谱法(dc-GDMS)测定高纯α-Al_(2)O_(3)颗粒中的Li、Be、Na、Mg等16种杂质元素含量的分析方法。当选取3颗2...
采用高纯Ga作为辅助电极,通过考察取样量、放电参数对基体信号强度、信号稳定性、基体和Ga的信号比值的影响,建立了直流辉光放电质谱法(dc-GDMS)测定高纯α-Al_(2)O_(3)颗粒中的Li、Be、Na、Mg等16种杂质元素含量的分析方法。当选取3颗2 mm左右大小的α-Al_(2)O_(3)颗粒用Ga包裹,在1.6 mA/950 V的放电参数下,基体27 Al信号稳定,强度为3.2×10^(8) cps,Al、Ga的信号比约为1∶270。采用实验方法对α-Al_(2)O_(3)颗粒独立测定5次,相对标准偏差均在30%以内。为了验证Ga对α-Al_(2)O_(3)颗粒测定结果的影响,分别采用电感耦合等离子体发射光谱法(ICP-OES)和dc-GDMS法对易于消解的γ-Al_(2)O_(3)粉进行测定。对于dc-GDMS法,选择压在Ga上的γ-Al_(2)O_(3)粉直径约为4~5 mm,在同样的放电参数下,27 Al的信号强度为3.0×10^(9) cps,Al、Ga的信号比约为1∶29。γ-Al_(2)O_(3)粉的GDMS测定结果和ICP-OES基本一致。采用Ga作辅助电极测定α-Al_(2)O_(3)颗粒和γ-Al_(2)O_(3)粉的检出限均可达ng/g。
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关键词
直流辉光放电质谱仪(dc-GDMS)
高纯Ga
高纯α-Al
2
O
3颗粒
杂质元素
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职称材料
题名
高择优取向P型Bi_(2)Te_(3)基材料制备及性能
1
作者
苏紫珊
蔡新志
熊平尚
童培云
朱刘
机构
先导
薄膜
材料
(
广东
)
有限公司
广东
先导
稀材股份
有限公司
国家稀散金属工程技术研究中心
出处
《粉末冶金技术》
北大核心
2025年第1期79-85,共7页
文摘
以Bi_(0.4)Sb_(1.6)Te_(3)+3%Te(质量分数)熔炼晶棒为原料,利用水冷铜坩埚磁悬浮熔炼技术制备出取向性非常好的合金铸锭,将合金铸锭锤磨破碎筛分,得到P型Bi_(2)Te_(3)基合金粉体,采用真空热压烧结技术制备沿(00l)晶面择优取向的P型Bi_(2)Te_(3)基热电材料,研究铸锭、合金粉体和热压烧结块体的微观形貌和择优取向,以及粉体粒径对烧结块体电性能的影响。结果表明,经过急冷破碎筛分后的粉体沿(00l)晶面具有高择优取向。使用100~200目粒度的粉体在500℃、40 MPa烧结条件下制备样品,其功率因子达到44.5μW·cm^(−1)·K^(−2),可切割厚度为0.3 mm的薄片,合格率超过90%。与区熔N型匹配常规127对4 cm×4 cm半导体致冷器,型号为TEC1-12706器件的最大温差可达70℃,为高性能Bi_(2)Te_(3)基热电材料制备提供了方向。
关键词
Bi_(2)Te_(3)
择优取向
磁悬浮熔炼
水冷铜
热电材料
Keywords
Bi_(2)Te_(3)
preferred orientation
magnetic levitation melting
water-cooled copper
thermoelectric material
分类号
TF125 [冶金工程—粉末冶金]
TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
直流辉光放电质谱法测定高纯α-Al 2 O 3颗粒中16种杂质元素
被引量：
4
2
作者
谭秀珍
李江霖
李瑶
邓育宁
朱刘
机构
广东
先导
稀材股份
有限公司
先导
薄膜
材料
(
广东
)
有限公司
出处
《中国无机分析化学》
CAS
北大核心
2023年第7期755-760,共6页
文摘
采用高纯Ga作为辅助电极,通过考察取样量、放电参数对基体信号强度、信号稳定性、基体和Ga的信号比值的影响,建立了直流辉光放电质谱法(dc-GDMS)测定高纯α-Al_(2)O_(3)颗粒中的Li、Be、Na、Mg等16种杂质元素含量的分析方法。当选取3颗2 mm左右大小的α-Al_(2)O_(3)颗粒用Ga包裹,在1.6 mA/950 V的放电参数下,基体27 Al信号稳定,强度为3.2×10^(8) cps,Al、Ga的信号比约为1∶270。采用实验方法对α-Al_(2)O_(3)颗粒独立测定5次,相对标准偏差均在30%以内。为了验证Ga对α-Al_(2)O_(3)颗粒测定结果的影响,分别采用电感耦合等离子体发射光谱法(ICP-OES)和dc-GDMS法对易于消解的γ-Al_(2)O_(3)粉进行测定。对于dc-GDMS法,选择压在Ga上的γ-Al_(2)O_(3)粉直径约为4~5 mm,在同样的放电参数下,27 Al的信号强度为3.0×10^(9) cps,Al、Ga的信号比约为1∶29。γ-Al_(2)O_(3)粉的GDMS测定结果和ICP-OES基本一致。采用Ga作辅助电极测定α-Al_(2)O_(3)颗粒和γ-Al_(2)O_(3)粉的检出限均可达ng/g。
关键词
直流辉光放电质谱仪(dc-GDMS)
高纯Ga
高纯α-Al
2
O
3颗粒
杂质元素
Keywords
direct-current glow discharge mass spectrometry(dc-GDMS)
high purity gallium
high purityα-Al 2 O 3 particle
impurity element
分类号
O657.63 [理学—分析化学]
TH843 [机械工程—精密仪器及机械]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高择优取向P型Bi_(2)Te_(3)基材料制备及性能
苏紫珊
蔡新志
熊平尚
童培云
朱刘
《粉末冶金技术》
北大核心
2025
0
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职称材料
2
直流辉光放电质谱法测定高纯α-Al 2 O 3颗粒中16种杂质元素
谭秀珍
李江霖
李瑶
邓育宁
朱刘
《中国无机分析化学》
CAS
北大核心
2023
4
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职称材料
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