水热法合成稀土氟化物材料YLiF_4:Er,Tm,Yb的上转换发光特性 被引量：13

1

作者 裴晓将 侯延冰 +2 位作者 徐征 赵谡玲 滕枫 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期819-823,共5页

利用水热法合成了不同掺杂浓度Er3+ ,Tm3+ 和Yb3+ 的YLiF4 材料,研究了Er3+ ,Tm3+ 和Yb3+ 在材料中的光吸收,以及在980nm红外光激发下样品的上转换发光特性。实验发现,在980nm激光激发下,光功率为数10mW ,材料可以发出很强的白光。测量... 利用水热法合成了不同掺杂浓度Er3+ ,Tm3+ 和Yb3+ 的YLiF4 材料,研究了Er3+ ,Tm3+ 和Yb3+ 在材料中的光吸收,以及在980nm红外光激发下样品的上转换发光特性。实验发现,在980nm激光激发下,光功率为数10mW ,材料可以发出很强的白光。测量发现,蓝光来源于Tm3+ ,绿光来源于Er3+ ,而红光来源于Tm3+ 和Er3+ 的共同作用。通过分析输出光强与泵浦功率的双对数曲线,发现4 84nm蓝光发射,5 2 4和5 5 2nm绿光发射以及6 6 5nm红光发射均属于双光子过程,4 5 0nm蓝光和35 9nm紫外光属于三光子过程。分析发光机理属于协作敏化和声子辅助共振能量传递过程的结合。 展开更多

关键词 上转换发光 水热法 稀土离子Er^3+ Tm^3+和Yb^3+ YLiF4

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用吸收差谱研究电子俘获材料的光激励发光 被引量：3

2

作者 孙力 王永生 +1 位作者 何志毅 孟宪国 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第11期1749-1752,共4页

以SrS:Eu,Sm为例说明可以利用电子俘获材料在光激发前后的吸收谱的差别来获取电子俘获材料光激励发光的信息。电子俘获材料在激发后的吸收光谱同时包含了不同陷阱(杂质)对光激励的吸收情况。因此激发前后的吸收光谱差(吸收差谱)除了能... 以SrS:Eu,Sm为例说明可以利用电子俘获材料在光激发前后的吸收谱的差别来获取电子俘获材料光激励发光的信息。电子俘获材料在激发后的吸收光谱同时包含了不同陷阱(杂质)对光激励的吸收情况。因此激发前后的吸收光谱差(吸收差谱)除了能给出与光激励谱相同的信息外,还包含空穴陷阱的激励,光存储总量等信息,因此有助于更全面地了解材料的光激励发光过程。 展开更多

关键词 电子俘获材料 吸收光谱 光激励发光

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新有机材料的电致发光的研究 被引量：1

3

作者 徐维杰 段恒勇 邓振波 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期199-202,共4页

采用新合成的有机材料 硅烷衍生物作为发光物质制备了发蓝、绿光的薄膜电致发光器件。其结构为glass/ITO/PVK +SiH/Alq/Mg∶Ag。分别测量了SCS SiH ,聚乙烯咔唑 (PVK)薄膜的光致发光光谱以及器件的电致发光光谱。其中SCS SiH薄膜的光致... 采用新合成的有机材料 硅烷衍生物作为发光物质制备了发蓝、绿光的薄膜电致发光器件。其结构为glass/ITO/PVK +SiH/Alq/Mg∶Ag。分别测量了SCS SiH ,聚乙烯咔唑 (PVK)薄膜的光致发光光谱以及器件的电致发光光谱。其中SCS SiH薄膜的光致发光谱峰位置在 4 96nm ,有机器件的电致发光光谱的峰值为50 0nm。随着驱动电压的增加发光谱峰蓝移 ,其变化范围为 2 5nm。在电流密度为 89mA/cm2 下器件的发光亮度可达 81 0cd/m2 。 展开更多

关键词 有机电致发光 硅烷衍生物 光谱蓝移

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ZnO薄膜的制备和发光特性的研究 被引量：33

4

作者 梅增霞 张希清 +4 位作者 衣立新 韩建民 赵谡玲 王晶 李庆福 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期389-392,共4页

用射频磁控溅射的方法在石英衬底上沉积了氧化锌薄膜。在室温下测量了样品的XRD曲线、吸收光谱以及光致发光光谱,探讨了气氛中氧气与氩气比对制备薄膜的影响。从XRD谱中可以看出,样品具有较好的结晶状态。另外,样品在紫外有较强的吸收,... 用射频磁控溅射的方法在石英衬底上沉积了氧化锌薄膜。在室温下测量了样品的XRD曲线、吸收光谱以及光致发光光谱,探讨了气氛中氧气与氩气比对制备薄膜的影响。从XRD谱中可以看出,样品具有较好的结晶状态。另外,样品在紫外有较强的吸收,而其光致发光也是较强的紫外发射,这表明带间跃迁占了主导地位。以上结果说明:用溅射方法制备的ZnO薄膜结晶质量较好,富锌状态有所改善。 展开更多

关键词 制备 ZNO薄膜 光致发光 溅射 氧化锌薄膜 半导体材料

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有机EL器件MEH-PPV/Alq_3的光伏特性 被引量：7

5

作者 林鹏 梁春军 +4 位作者 邓振波 熊德平 王丽 张志峰 张希清 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期23-25,共3页

制备了ITOMEHPPVAlq3LiFAl光伏(PV)器件。MEHPPV和Alq3分别为电子受体和给体。光谱响应曲线主要和Alq3的吸收光谱相匹配。在功率为05mW·cm2的紫外氙灯照射下电池的短路电流为24μA·cm-2,开路电压为26V,Fill因子为071,电池的... 制备了ITOMEHPPVAlq3LiFAl光伏(PV)器件。MEHPPV和Alq3分别为电子受体和给体。光谱响应曲线主要和Alq3的吸收光谱相匹配。在功率为05mW·cm2的紫外氙灯照射下电池的短路电流为24μA·cm-2,开路电压为26V,Fill因子为071,电池的能量转换效率达到09%。在直流电的驱动下,器件具有电致发光的特性并且发出明亮的桔红色光,在15V的直流电压驱动下,最大亮度达到了1000cd·cm-2。 展开更多

关键词 ALQ3 有机EL MEH-PPV 器件 电致发光 电池 光谱响应 短路电流 光伏特性 开路电压

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CdSe/CdS核/壳型纳米晶的光谱特性 被引量：17

6

作者 刘舒曼 徐征 +1 位作者 H.Wageh 徐叙瑢 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期908-911,共4页

以巯基乙酸为稳定剂制备了CdSe CdS核 壳型纳米晶。用光吸收谱 (Abs)、光致发光谱 (PL)及光致发光激发谱 (PLE)研究了CdS壳层对CdSe纳米晶电子结构 ,从而对其吸收和发光性能的影响。根据PL和PLE的结果以及带边激子精细结构的计算结果 ... 以巯基乙酸为稳定剂制备了CdSe CdS核 壳型纳米晶。用光吸收谱 (Abs)、光致发光谱 (PL)及光致发光激发谱 (PLE)研究了CdS壳层对CdSe纳米晶电子结构 ,从而对其吸收和发光性能的影响。根据PL和PLE的结果以及带边激子精细结构的计算结果 ,我们用尺寸很小的纳米晶中所形成的基激缔合物解释了PL光谱与吸收边之间较大的Stokes位移。 展开更多

关键词 CdSe/Cds 核/壳型纳米晶 光谱特性 发光增强现象 硫代镉 硒化镉 发光效率

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稀土配合物Eu(asprin)_3phen发光特性的研究 被引量：10

7

作者 沈鸿 徐征 +5 位作者 陶栋梁 杨军 陈晓红 章婷 徐怡庄 吴谨光 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期226-228,共3页

将稀土配合物Eu(asprin)_3phen掺杂到导电聚合物PVK中,制成结构分别为ITO/PVK:RE配合物/LiF/AI(1),ITO/PVK:RE配合物/PBD/LiF/AI(2)的电致发光(EL)器件。发现二者的电致发光谱存在着较大的差别:在器件(1)中,来自Eu^(3+)的位于594nm(~5D_... 将稀土配合物Eu(asprin)_3phen掺杂到导电聚合物PVK中,制成结构分别为ITO/PVK:RE配合物/LiF/AI(1),ITO/PVK:RE配合物/PBD/LiF/AI(2)的电致发光(EL)器件。发现二者的电致发光谱存在着较大的差别:在器件(1)中,来自Eu^(3+)的位于594nm(~5D_0→~7F_1)和614nm(~5D_0→~7F_2)处的发光强度大致相当,而在器件(2)中,EL主要来自Eu^(3+)位于614nm的发光,594nm处的发光很弱,与薄膜状态下的光致发光谱(PL)一致。并针对此现象进行了初步讨论。 展开更多

关键词 稀土配合物 Eu〔asprin)3phen 发光特性 铕 电致发光

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苯甲酰水杨酸铽的合成与发光特性研究 被引量：5

8

作者 林鹏 梁春军 +4 位作者 邓振波 白峰 张志峰 熊德平 张希清 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期828-831,共4页

合成了一类以苯甲酰水杨酸(BenzoylSalicylicAcid,BSA)为配体的稀土铽配合物,将导电高分子材料PVK引入到配合物中,制成了结构为ITO PVK :Tb(BSA) 4 LiF Al的电致发光器件。并对该配合物的吸收特性及电致发光和光致发光性能进行了研究,... 合成了一类以苯甲酰水杨酸(BenzoylSalicylicAcid,BSA)为配体的稀土铽配合物,将导电高分子材料PVK引入到配合物中,制成了结构为ITO PVK :Tb(BSA) 4 LiF Al的电致发光器件。并对该配合物的吸收特性及电致发光和光致发光性能进行了研究,实验数据表明,在PVK与Tb(BSA) 4之间存在着能量传递,在电致发光中,PVK的发光完全被抑制,这与光致发光的表现不同,这是由于两种发光(光致和电致)机理不同造成的。文章同时比较了几种不同PVK掺杂浓度对于器件性能的影响。 展开更多

关键词 稀土 苯甲酰水杨酸铽 能量传递 电致发光

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无机薄膜电致发光研究进展 被引量：6

9

作者 邓朝勇 王永生 杨胜 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期133-135,共3页

薄膜电致发光显示是平板显示的主要技术之一。文章在介绍了无机薄膜电致发光器件结构和工作原理的基础上 ,介绍了薄膜电致发光研究的一般方法 ,描述了无机薄膜电致发光的研究现状 ,分析了薄膜电致发光所面临的问题 ,重点探讨了解决蓝光... 薄膜电致发光显示是平板显示的主要技术之一。文章在介绍了无机薄膜电致发光器件结构和工作原理的基础上 ,介绍了薄膜电致发光研究的一般方法 ,描述了无机薄膜电致发光的研究现状 ,分析了薄膜电致发光所面临的问题 ,重点探讨了解决蓝光问题的几种方案。蓝光亮度已能满足全色显示的要求 ,薄膜电致发光具有广阔的发展前景。 展开更多

关键词 无机薄膜 电致发光 全色显示 蓝光问题

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铽配合物Tb(BA)_3phen的有机电致发光 被引量：3

10

作者 肖静 邓振波 +2 位作者 徐登辉 徐颖 王瑞芬 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第10期1552-1555,共4页

合成了一类新型稀土配合物Tb(BA)3phen,将其掺杂到导电聚合物PVK中获得了纯正、明亮的绿光发射。用这种搀杂体系分别制作了单层发光器件和双层器件。对于单层器件,掺杂浓度为1∶5,甩膜转速1 000 r.min-1时器件的发光效果最好,起亮电压为... 合成了一类新型稀土配合物Tb(BA)3phen,将其掺杂到导电聚合物PVK中获得了纯正、明亮的绿光发射。用这种搀杂体系分别制作了单层发光器件和双层器件。对于单层器件,掺杂浓度为1∶5,甩膜转速1 000 r.min-1时器件的发光效果最好,起亮电压为10 V,最大亮度在21 V时可达26.8 cd.m-2。双层器件用AlQ作为电子传输层,通过改变其厚度得到了发光性能较好的用AlQ作为电子传输材料的器件,其最大亮度在22 V时可达322 cd.m-2。 展开更多

关键词 稀土 配合物 电致发光

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PVK:TPB掺杂体系稳态光谱的研究 被引量：2

11

作者 孙世菊 滕枫 +2 位作者 徐征 张延芬 侯延冰 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期811-814,共4页

研究了掺杂有机蓝光染料TPB的PVK薄膜的发光特性,通过对掺杂薄膜的吸收光谱、激发光谱及发射光谱的分析,研究了PVK与Alq3之间的能量传递规律。当掺杂浓度为5 %时,能量传递效率最高。用一个由单链模型扩展到包括杂质的哈密顿量对实验进... 研究了掺杂有机蓝光染料TPB的PVK薄膜的发光特性,通过对掺杂薄膜的吸收光谱、激发光谱及发射光谱的分析,研究了PVK与Alq3之间的能量传递规律。当掺杂浓度为5 %时,能量传递效率最高。用一个由单链模型扩展到包括杂质的哈密顿量对实验进行模拟,发现该模型能够较好地解释有关的实验结果。 展开更多

关键词 吸收光谱 激发光谱 发射光谱 能量传递

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一种新型共掺杂稀土配合物的发光特性 被引量：1

12

作者 白峰 邓振波 +4 位作者 徐征 高新 李勇 徐怡庄 吴瑾光 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第10期1168-1171,共4页

制备了一类以苯甲酰水杨酸 (BenzoylSalicylicAcid ,BSA)为第一配体 ,邻菲罗啉 (phenanthroline ,phen)为第二配体的共掺杂稀土铕镧配合物La0 6Eu0 4(BSA) 3 phen。用其作为发光层材料制作了电致发光器件 :ITO/PVK :La0 6Eu0 4(BSA)... 制备了一类以苯甲酰水杨酸 (BenzoylSalicylicAcid ,BSA)为第一配体 ,邻菲罗啉 (phenanthroline ,phen)为第二配体的共掺杂稀土铕镧配合物La0 6Eu0 4(BSA) 3 phen。用其作为发光层材料制作了电致发光器件 :ITO/PVK :La0 6Eu0 4(BSA) 3 phen/Alq/Al。讨论并证明了稀土La3 + 与Eu3 + 之间存在F rster能量传递。同时将该器件与器件ITO/PVK :Eu(BSA) 3 phen/Alq/Al和ITO/PVK :Tb0 6Eu0 4(BSA) 3 phen/Alq/Al的发光进行了比较。表明该器件具有单色性好 ,整流性好的特性 ,同时得到了最大亮度为 10 展开更多

关键词 共掺杂稀土配合物 发光特性 苯甲酰水杨酸 邻菲罗啉 能量传递 电致发光器件

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O_2含量对Fe∶NiO_x阳极催化膜性能的影响

13

作者 黄金昭 徐征 +2 位作者 李海玲 亢国虎 王文静 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期1380-1382,共3页

Fe:NiOx薄膜作为太阳能光电化学制氢的阳极催化膜,是在O2/Ar气氛中,利用射频反应磁控溅射方法制备的.O2含量在10%～40%范围内变化.通过对氧过电位、结构、形貌、组分和透过率的测定,来确定O2含量与上述电化学及物理性能的关系.当O2含量... Fe:NiOx薄膜作为太阳能光电化学制氢的阳极催化膜,是在O2/Ar气氛中,利用射频反应磁控溅射方法制备的.O2含量在10%～40%范围内变化.通过对氧过电位、结构、形貌、组分和透过率的测定,来确定O2含量与上述电化学及物理性能的关系.当O2含量为40%,电流密度为8mA/cm2时的氧过电位为250mV.当O2含量增大,过电势减小,而透过率却有所降低,这与膜的结构和组分有关. 展开更多

关键词 Fe:NiO2 过电势 光电化学

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稀土配合物与PVK共混体系发光特性及载流子复合区域转移的研究

14

作者 程宝妹 邓振波 +2 位作者 梁春军 徐登辉 王瑞芬 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期228-231,共4页

合成了一种新型的铽钆共掺稀土配合物TbGd(BA)6(bipy)2,把它作为发光材料应用于有机电致发光中。文中摸索了器件优化条件,并讨论了TbGd(BA)6(bipy)2与PVK共混体系的发光机理和载流子复合区域的转移。稀土配合物的光致发光是由于外部直... 合成了一种新型的铽钆共掺稀土配合物TbGd(BA)6(bipy)2,把它作为发光材料应用于有机电致发光中。文中摸索了器件优化条件,并讨论了TbGd(BA)6(bipy)2与PVK共混体系的发光机理和载流子复合区域的转移。稀土配合物的光致发光是由于外部直接激发及PVK到稀土配合物的能量传递。电致发光有两个途径,PVK到稀土配合物的能量传递及载流子的直接俘获。在双层器件中,发光区域随Alq3厚度变化,尤其是在高电压下,载流子复合区域移向Alq3一侧,而在增加BCP作为空穴阻挡层的多层器件中,载流子限制在发光层和空穴阻挡层的界面处复合,随着电场的增强,铽发光趋于饱和,而出现了高分子基质的发光。优化后,得到213cd.m-2明亮的铽的绿色发光。 展开更多

关键词 铽配合物 能量传递 有机电致发光 载流子复合区域

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铽配合物TbY(mMBA)_6(phen)_2·2H_2O的有机电致发光分析

15

作者 张梦欣 邓振波 +4 位作者 白峰 张志峰 徐登辉 梁春军 王瑞芬 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期836-839,共4页

将新型稀土配合物TbY(m MBA) 6 (phen) 2 ·2H2 O掺杂到导电聚合物PVK中改善了配合物的成膜性和导电性,作为发光层应用于有机电致发光。分别制作了器件(1) :ITO PVK :TbY(m MBA) 6 (phen) 2 ·2H2 O LiF Al和以Alq为电子传输层... 将新型稀土配合物TbY(m MBA) 6 (phen) 2 ·2H2 O掺杂到导电聚合物PVK中改善了配合物的成膜性和导电性,作为发光层应用于有机电致发光。分别制作了器件(1) :ITO PVK :TbY(m MBA) 6 (phen) 2 ·2H2 O LiF Al和以Alq为电子传输层的器件(2 ) :ITO PVK :TbY(m MBA) 6 (phen) 2 ·2H2 O Alq LiF Al。研究了两种器件的电致发光性能,得到了最大效率为0 88cd·A- 1 的器件。研究了铽配合物与PVK共掺杂体系的激发光谱和光致发光谱,发现两者之间存在着能量转移,说明Y3+ 的存在促进了PVK到Tb3+ 的能量传递。文章就器件的发光特性和掺杂体系的能量传递进行了初步讨论。 展开更多

关键词 电致发光 能量传递 激子

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石英衬底阳极氧化铝膜的制备及其光致发光的研究

16

作者 熊德平 张希清 +1 位作者 林鹏 王丽 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期832-835,共4页

报道了用15wt%H2 SO4 为电解液,在恒温0℃,4 0V电压条件下制备阳极氧化铝膜,用原子力显微镜观察其形貌,表明在简单条件下在石英衬底上制备了致密的氧化铝微晶膜。研究了不同电压条件下制备的氧化铝膜的常温光致发光,并监测了其激发光谱... 报道了用15wt%H2 SO4 为电解液,在恒温0℃,4 0V电压条件下制备阳极氧化铝膜,用原子力显微镜观察其形貌,表明在简单条件下在石英衬底上制备了致密的氧化铝微晶膜。研究了不同电压条件下制备的氧化铝膜的常温光致发光,并监测了其激发光谱,发现其常温光致发光相对强度和发射峰位置与阳极氧化电压关系密切,有相对强度变小和发射峰位置红移的趋势,在4 0V电压条件下出现了35 6nm新的发射峰,而其不同的发射峰激发光谱都为2 10nm ,说明其来源存在关联。详细分析了4 0V电压下的阳极氧化铝膜中出现的35 6 ,386nm近紫外发射,并认为其发光来源于与F心和F+ 心有关的氧缺陷。 展开更多

关键词 氧化铝膜 阳极氧化法 光致发光

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CdS薄膜的化学沉积法制备及其特性的研究 被引量：8

17

作者 孙学柏 张希清 +3 位作者 杜鹏 常笑薇 王俊玲 黄世华 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期32-34,共3页

用化学沉积方法在沉积温度为90℃下制备了CdS薄膜。研究了直接退火处理和涂敷CdCl2甲醇饱和溶液后退火处理对CdS薄膜的影响。利用X射线衍射、扫描电子显微镜对薄膜的晶体结构、表面形貌进行了研究,发现没有任何处理的CdS薄膜没有明显的... 用化学沉积方法在沉积温度为90℃下制备了CdS薄膜。研究了直接退火处理和涂敷CdCl2甲醇饱和溶液后退火处理对CdS薄膜的影响。利用X射线衍射、扫描电子显微镜对薄膜的晶体结构、表面形貌进行了研究,发现没有任何处理的CdS薄膜没有明显的晶型;直接退火处理促进了CdS立方相的结晶,晶粒没有增大且生长出许多细小的晶粒;涂敷CdCl2甲醇饱和溶液后退火处理不仅极大地促进了CdS六角相的结晶,而且晶粒增粗增大,表面更加光滑。用吸收光谱研究了薄膜的光学特性,发现退火使薄膜的禁带宽度变窄,涂敷CdCl2甲醇溶液后退火处理使吸收边变陡和带尾变小。表明涂敷CdCl2甲醇溶液退火处理明显改善CdS薄膜的结晶质量和光学性质。 展开更多

关键词 化学沉积 CDS薄膜 CdCl2处理 退火

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MEH-PPV/ZnO纳米晶无机有机复合电致发光器件的研究 被引量：4

18

作者 李海玲 王永生 +1 位作者 滕枫 徐征 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第10期1172-1175,共4页

以Ⅱ Ⅵ族无机半导体ZnO纳米颗粒为电子传输层 ,MEH PPV为空穴传输层兼发光层 ,得到的电致发光器件比单层MEH PPV器件的发光亮度和效率都明显提高。器件结构为ITO/MEH PPV/ZnO/Al的电致发光光谱同单层PPV器件的光谱出现了不同 ,在 6 2 ... 以Ⅱ Ⅵ族无机半导体ZnO纳米颗粒为电子传输层 ,MEH PPV为空穴传输层兼发光层 ,得到的电致发光器件比单层MEH PPV器件的发光亮度和效率都明显提高。器件结构为ITO/MEH PPV/ZnO/Al的电致发光光谱同单层PPV器件的光谱出现了不同 ,在 6 2 0nm处出现了一个小的发光峰 ,应该是ZnO的发光。另外 ,双层结构器件的启亮电压由单层器件的 9V降到了 4V左右。由I V曲线及发光光谱可判断出发光区域应在MEH PPV/ZnO界面处 。 展开更多

关键词 MEH-PPV聚合物 氧化锌纳米晶 无机有机复合发光材料 电致发光器件

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一种新的时间分辨光谱测量方法 被引量：2

19

作者 石志刚 黄世华 +1 位作者 梁春军 雷全胜 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期217-219,共3页

提出用汇编语言编制程序控制单片机(AT89C51)及外围电路组成的驱动电路驱动步进电机带动单色仪旋转,得到各个期望波长的光,然后使光信号经过光电倍增管(Hamamatsu1P28)进行光电转换后得到电信号,把电信号传进数字示波器,通过数字示波器... 提出用汇编语言编制程序控制单片机(AT89C51)及外围电路组成的驱动电路驱动步进电机带动单色仪旋转,得到各个期望波长的光,然后使光信号经过光电倍增管(Hamamatsu1P28)进行光电转换后得到电信号,把电信号传进数字示波器,通过数字示波器上带有的RS232串口把光谱数据传回计算机处理得到各个波长光的衰减曲线、然后用计算机编程绘图进行处理得到时间分辨光谱的方法。这种测量时间分辨光谱方法的特点是测量各个波长光谱时,在时间上是并行测量而在波长上是串行测量的。通过测量样品Tb(o-BBA)3phen中稀土元素Tb发光的时间分辨光谱验证了这种方法的可行性。介绍了所用测试系统的各部分硬件组成和测试技术,获得了样品Tb(o-BBA)3phen的荧光强度-波长-时间的三维立体图以及对时间积分的积分谱。 展开更多

关键词 光谱测量 时间分辨光谱 积分谱

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富勒稀在光电导中的应用

20

作者 刘峻峰 滕枫 +1 位作者 侯延冰 徐征 《液晶与显示》 CAS CSCD 2002年第6期455-460,共6页

富勒稀及其衍生物是良好的电子受体,可以增加导电聚合物的光电导性能。本文着重以C60为例,分别介绍了在导电聚合物中掺杂富勒稀形成的掺杂体系和二者形成的分层体系。在两个体系中,导电聚合物作为电子给体,C60作为电子受体,促进了激子... 富勒稀及其衍生物是良好的电子受体,可以增加导电聚合物的光电导性能。本文着重以C60为例,分别介绍了在导电聚合物中掺杂富勒稀形成的掺杂体系和二者形成的分层体系。在两个体系中,导电聚合物作为电子给体,C60作为电子受体,促进了激子的解离,提高了体系的感光灵敏度。同时,针对两个体系的不足之处,提出了相应的改进措施。 展开更多

关键词 富勒稀 光电导 C60 电子受体 激子 导电聚合物 掺杂体系 分层体系

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