新型光波导阵列电光快速扫描器的光波导效应 被引量：8

1

作者 李家立 石顺祥 +2 位作者 王广生 花吉珍 赵卫 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第8期951-954,共4页

对新型光波导阵列电光快速扫描器中的光波导效应进行了研究 ,分析了考虑光波导模式效应的光波导阵列电光快速扫描器的扫描特性 ,指出光波导模式特性主要影响新型光波导电光快速扫描器的扫描范围和效率 。

关键词 电光快速扫描器 激光电光扫描 光波导阵列 光波导模式 电光效应

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密封半导体器件内部水汽含量的控制 被引量：10

2

作者 顾振球 梁法国 +4 位作者 刘云彩 郝景红 石洁 王长河 吴文章 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第7期56-58,共3页

叙述了器件内部水汽含量的来源和对可靠性的影响，采用控制技术后达到了良好的效果。

关键词 半导体器件 水汽含量 可靠性 密封

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400MHz,CW 300W VDMOS功率场效应晶体管 被引量：5

3

作者 刘英坤 王占利 +5 位作者 何玉樟 郎秀兰 张大立 夏雷 吴坚 周晓黎 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2000年第2期26-28,共3页

采用 Mo栅工艺技术降低栅串联电阻 ,通过优化工艺参数 ,全离子注入工艺 ,研制出了在 40 0 MHz下共源推挽结构连续波输出 30 0 W的高性能 VDMOSFET,其漏极效率大于 5 0 % ,增益大于 9d B。

关键词 Mo栅工艺 VDMOSFET 场效应晶体管

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MMIC放大器R_n-G_n噪声模型的精确测量研究 被引量：3

4

作者 周求湛 焦剑晖 +3 位作者 李玉峰 张新发 徐建生 戴逸松 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第z2期348-349,共2页

MMIC放大器在微波通信等领域有着重要的应用。由于微波信号在传输过程中 ,不可避免的会被噪声和干扰所污染 ,到达接收端时的微波信号已相当微弱 ,所使用的接收微波放大器必须要在工作频段上具备较小的噪声。本文将讨论如何使用 M- L an... MMIC放大器在微波通信等领域有着重要的应用。由于微波信号在传输过程中 ,不可避免的会被噪声和干扰所污染 ,到达接收端时的微波信号已相当微弱 ,所使用的接收微波放大器必须要在工作频段上具备较小的噪声。本文将讨论如何使用 M- L ane方法 (改进的 L ane方法 ) [1 ] ,使用自行研制的精密阻抗变换器 ,得到 MMIC放大器 Rn- Gn 噪声模型中包括最小噪声系数 Fmin在内的 4个参数 ,实验结果证明该方法可以有效地提高 展开更多

关键词 MMIC Rn-Gn噪声模型 阻抗变换器 最小噪声系数

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真空微波器件用TiO2衰减陶瓷 被引量：1

5

作者 高陇桥 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第Z10期53-53,共1页

本文叙述了一种新型的ＴｉＯ２衰减陶瓷的西方和制造工艺，在国内首次用ＨＰ８５１０Ｂ对其ε”、μ”等电性能进行了测定，其数据对吸收机理的深入研究和现行产品质量的改进都具有重要意义。论文还对衰减陶瓷的研究和发展方向，提出了... 本文叙述了一种新型的ＴｉＯ２衰减陶瓷的西方和制造工艺，在国内首次用ＨＰ８５１０Ｂ对其ε”、μ”等电性能进行了测定，其数据对吸收机理的深入研究和现行产品质量的改进都具有重要意义。论文还对衰减陶瓷的研究和发展方向，提出了建设性意见。 展开更多

关键词 微波吸收 热耗散 真空微波器件 TiO2衰减陶瓷

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高面指数GaAs衬底上自组织生长应变In_(0.15)Ga_(0.85)As/GaAs量子线阵列

6

作者 闫发旺 张文俊 +3 位作者 张荣桂 崔立奇 梁春广 刘式墉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第10期74-77,共4页

利用分子束外延（ＭＢＥ）技术在高面指数（５５３）Ｂ ＧａＡｓ衬底上自组织生长了应变Ｇａ０．８５Ｉｎ０．１５Ａｓ／ＧａＡｓ量子线阵列结构。通过原子力显微镜（ＡＦＭ）对 Ｇａ０．８５Ｉｎ０．１５Ａｓ外延层的表面形貌进行了观... 利用分子束外延（ＭＢＥ）技术在高面指数（５５３）Ｂ ＧａＡｓ衬底上自组织生长了应变Ｇａ０．８５Ｉｎ０．１５Ａｓ／ＧａＡｓ量子线阵列结构。通过原子力显微镜（ＡＦＭ）对 Ｇａ０．８５Ｉｎ０．１５Ａｓ外延层的表面形貌进行了观测。测试结果表明量子线的密度高达４×１０~５／ｃｍ。研究了量子线阵列样品的低温偏振光致发光谱（ＰＰＬ），发现其发光峰半高宽（ＦＷＨＭ）最小为 ９．２ ＭｅＶ，最大偏振度可达０．２２，这些测试结果表明制各出了高密度、高均匀性及特性良好的一维量子线阵列结构。 展开更多

关键词 分子束外延 量子线阵列 砷化镓 自组织生长

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移相掩模应用技术

7

作者 贾海强 张玉清 +1 位作者 张慕义 李岚 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第2期28-29,共2页

一种用于大栅宽器件的移相掩模应用技术是将移相器边缘线用作不透明掩模，以代替铬图形。利用此移相掩模技术，制作了特征线长为０．１５μｍ的微细栅条和大栅宽器件。

关键词 亚半微米 移相掩膜 半导体集成电路 应用

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静电感应晶闸管静态特性的仿真模拟 被引量：1

8

作者 薛伟东 李思渊 +1 位作者 刘英坤 刘英坤 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第9期68-71,共4页

引入了一种SITH仿真模型。结合实验数据,利用PSPICE模拟软件,从等效电路的角度对静电感应晶闸管（SITH）进行了正向导通,类三极管正向阻断、负阻转折特性的仿真模拟。

关键词 静态特性 静电感应晶闸管 负阻转折 仿真模拟 SITH 正向导通

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GaAs/InP异质材料及MESFET器件研究

9

作者 陈小红 陈松岩 +3 位作者 张玉清 林爱清 陈丽容 邓彩玲 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2002年第6期759-763,共5页

用低压金属有机气相外延 (LP MOCVD)在InP衬底上生长出较高质量的GaAs材料 ,并对材料进行Raman、光致发光 (PL)谱的测试分析 ,结果表明在GaAs InP外延层中存在伸张应力致使Raman的LO模式的频率红移 ;PL谱峰较强 ,16K下测到GaAs的特征激... 用低压金属有机气相外延 (LP MOCVD)在InP衬底上生长出较高质量的GaAs材料 ,并对材料进行Raman、光致发光 (PL)谱的测试分析 ,结果表明在GaAs InP外延层中存在伸张应力致使Raman的LO模式的频率红移 ;PL谱峰较强 ,16K下测到GaAs的特征激子峰和杂质相关的激子峰 ,表明了GaAs外延层的晶体质量较好 .以此生长方法制备了金属 半导体场效应晶体管 (MESFET) ,其单位跨导可达 2 0 0ms mm . 展开更多

关键词 MESFET器件 GaAs/InP异质材料 光致发光谱 RAMAN谱 金属-半导体场效应晶体管 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料

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软件无线电技术在军事领域的应用

10

作者 沈晓华 刘建 穆杰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第6期10-12,共3页

概要介绍了软件无线电技术产生、发展的背景和现状。描述了软件无线电的工作原理,对软件无线电技术和传统无线电技术的优缺点进行了比较。并对软件无线电技术的先进性、经济性以及未来的发展趋势进行了探讨。

关键词 军事 软件无线电 数字信号处理器 现场可编程门阵列 无线电通信

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浅谈安全防范系统在粮库中的应用

11

作者 郭效尧 《粮油食品科技》 2002年第3期24-25,共2页

安全防范的目的是减少或防止经济损失。如何加强技术安全防范措施、确保粮库安全是提高现代化粮库管理水平的新命题。本文以某粮库为例着重阐述了包括电视监控子系统、周界报警子系统、电子巡更子系统、门禁子系统的粮库安全防范系统的... 安全防范的目的是减少或防止经济损失。如何加强技术安全防范措施、确保粮库安全是提高现代化粮库管理水平的新命题。本文以某粮库为例着重阐述了包括电视监控子系统、周界报警子系统、电子巡更子系统、门禁子系统的粮库安全防范系统的设计依据 ,以及各子系统的组成、功能及特点等。 展开更多

关键词 安全防范系统 粮库 应用

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